加热的陶瓷面板制造技术

公开一种用于在处理腔室内分配气体的装置。所述装置具有主体，所述主体由分配部分形成，所述分配部分被耦接部分环绕。加热器设置在所述分配部分内，以将所述主体加热到高温。桥接件延伸在所述耦接部分与所述分配部分之间。所述桥接件限制所述分配部分与所述耦接部分之间的热传递。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】加热的陶瓷面板
技术介绍

本公开内容总的来说涉及用于在工艺腔室中分配气体的装置，并更具体地，涉及一种被加热的陶瓷面板。相关技术的描述在集成电路的制造中，诸如化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)之类的沉积工艺用于在半导体基板上沉积各种材料的膜。在其它操作中，使用诸如蚀刻之类的层改变工艺来暴露层的一部分以进一步沉积。通常，这些工艺以重复的方式用来制造电子器件(诸如半导体器件)的各个层。随着对改进的器件的需要持续增长，对制造这种器件所用方法的需要也随之增长。在新的工艺中使用的化学物质(诸如前驱物气体)不断需要增加的工艺控制(诸如温度控制)以进行此类工艺。因此，本领域中需要能够为器件制造和处理提供增加的温度控制的工艺腔室部件。
技术实现思路
在一个实施方式中，一种面板具有主体，所述主体由加热器层和电极层形成。所述电极层的外径限定所述主体的分配部分。多个孔径在所述分配部分内穿过所述主体形成，以用于使气体从其中通过。加热器设置在所述加热器层内以加热所述主体。桥接件环绕所述分配部分并将所述分配部分耦接到耦接部分。在另一个实施方式中，一种面板具有主体，其中所述主体由电极层、加热器层和接地层形成。粘结层设置在所述电极层与所述加热器层之间和所述加热器层与所述接地层之间。多个孔径形成为穿过所述主体。每个孔径具有第一端和第二端，其中所述第一端位于所述主体的外表面处，并且每个孔径的所述第二端流体地耦接到设置在所述电极层中的一个或多个喷嘴。所述主体还包括热扼流圈。在另一个实施方式中，一种气体分配装置具有陶瓷主体。所述主体由第一层、第二层和第三层形成。穿过所述陶瓷主体形成多个孔径。加热器设置在所述第一层中，并且电极设置在所述第二层中。桥接部分从第三层垂直地延伸。耦接部分设置在所述桥接部分的与第三层相对的一端处。所述桥接部分是热扼流圈，所述热扼流圈限制从所述加热器到所述耦接部分的热传递。附图简述为了能够详细地理解本公开内容的上述特征所用方式，可以参考实施方式进行对上文简要地概述的本公开内容的更具体的描述，其中一些实施方式被示于图中。然而，应注意，附图仅示出了示例性实施方式，并且因此不应视为对范围的限制，因为本公开内容可以允许其它等效实施方式。图1示出了根据本公开内容的一个实施方式的示例性工艺腔室的示意性布置。图2示出了根据本公开内容的一个实施方式的示例性面板的示意性布置的横截面。图3示出了根据本公开内容的另一个实施方式的示例性面板的示意性布置的横截面。图4示出了根据本公开内容的另一个实施方式的示例性面板的示意性布置的横截面。图5示出了根据本公开内容的另一个实施方式的示例性面板的示意性布置的横截面。为了促进理解，已经尽可能使用相同的附图标号标示附图共有的相同要素。将设想，一个实施方式的元素和特征可以有益地并入其它实施方式，而不再进一步叙述。具体实施方式本公开内容总的来说涉及一种用于工艺腔室中的气体分配的装置。更具体地，本公开内容的方面涉及一种陶瓷面板。面板具有陶瓷主体，所述陶瓷主体由分配部分形成，所述分配部分被耦接部分环绕。加热器设置在分配部分内，以将主体加热到高温。桥接件在耦接部分与分配部分之间延伸。桥接件限制分配部分与耦接部分之间的热传递。图1示出了根据一个实施方式的示例性工艺腔室100的示意性横截面图。工艺腔室100具有主体102，主体102具有侧壁104和基部106。盖组件108耦接到主体102以在其中限定工艺容积110。主体102由诸如铝或不锈钢之类的金属形成，但也可以利用适于与在其中的工艺一起使用的任何材料。基板支撑件112设置在工艺容积110内并在工艺腔室100内的处理期间支撑基板W。基板支撑件112包括耦接到轴116的支撑主体114。轴116耦接到支撑主体114的下表面并通过基座106中的开口118延伸出主体102。轴116耦接到致动器120，以使轴116和耦接到其的支撑主体114在基板装载位置与处理位置之间垂直地移动。真空系统130流体耦接到工艺容积110，以便从工艺容积110排出气体。为了促进工艺腔室100中的基板W的处理，基板W设置在支撑主体114的与轴116相对的上表面上。端口122形成在侧壁104中以促进基板W进出工艺容积110。门124(诸如狭缝阀)被致动以选择性地使得基板W能够穿过端口122以装载到基板支撑件112上或从基板支撑件112移除。电极126设置在支撑主体114内并通过轴116电耦接到电源128。电极126被电源128选择性地偏置以产生电磁场来将基板W夹持到支撑主体114的上表面和/或促进等离子体生成或控制。在某些实施方式中，加热器190(诸如电阻加热器)设置在支撑主体114内，以加热设置在其上的基板W。盖组件108包括盖132、区隔板134和面板136。区隔板134包括由环形延伸部162包围的凹陷的圆形分配部分160。区隔板134设置在盖132与面板136之间并在环形延伸部162处耦接到盖132和面板136中的每个。盖132耦接到环形延伸部162的与主体102相对的上表面。面板136耦接到环形延伸部162的下表面。第一容积146限定在区隔板134与盖132之间。第二容积148限定在区隔板134与面板136之间。多个孔径150形成为穿过区隔板134的分配部分160，并且促进第一容积146与第二容积148之间的流体连通。入口端口144设置在盖132内。入口端口144流体耦接到气体导管138。气体导管138使得气体能够从第一气源140(诸如工艺气源)流过入口端口144进入第一容积146。第二气源142(诸如清洁气源)任选地耦接到气体导管138。在一个示例中，第一气源140将第一气体(诸如蚀刻气体或沉积气体)供应到工艺容积110以在基板W上蚀刻或沉积层。第二气源142将第二气体(诸如清洁气体)供应到工艺容积110，以便从工艺腔室100的内表面(诸如侧壁104的面向工艺容积110的表面)去除颗粒沉积物。密封件152(诸如O形环)在环绕第一容积146的环形延伸部162的上表面处设置在区隔板134与盖132之间，以便将工艺容积110与外部环境隔离，从而使得能够通过真空系统130维持在工艺容积110中的真空。面板136具有分配部分164和设置在分配部分164的径向外侧的耦接部分166。分配部分164设置在工艺容积110与第二容积148之间。耦接部分166在面板136的外周处环绕分配部分164。为了促进处理基板W，RF发生器180任选地耦接到面板136，以激发来自第一气源140、第二气源142或第一气源140和第二气源142两者的气体来形成电离物质。在一个示例中，RF发生器180和面板136结合电极126和电源128促进在工艺容积110内产生电容耦合的等离子体。一个或多个孔径154在分配部分164内穿过面板136设置。孔径154使得工艺容积110与第二容积148之间能够流体连通。在操作期间，气体从入口端口144流入第一容积146中、穿过区隔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理基板的面板，包括：/n主体，所述主体由加热器层和电极层形成，其中所述电极层的外径限定所述主体的分配部分；/n多个孔径，所述多个孔径被形成为在所述分配部分内穿过所述主体；/n加热器，所述加热器设置在所述加热器层内；和/n桥接件，所述桥接件环绕所述分配部分，其中所述桥接件将所述分配部分耦接到耦接部分。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180417 US 62/658,7261.一种用于处理基板的面板，包括：
主体，所述主体由加热器层和电极层形成，其中所述电极层的外径限定所述主体的分配部分；
多个孔径，所述多个孔径被形成为在所述分配部分内穿过所述主体；
加热器，所述加热器设置在所述加热器层内；和
桥接件，所述桥接件环绕所述分配部分，其中所述桥接件将所述分配部分耦接到耦接部分。


2.如权利要求1所述的面板，其特征在于，进一步包括电极，所述电极设置在所述电极层内。


3.如权利要求1所述的面板，其特征在于，进一步包括接地电极，所述接地电极设置在所述加热器层内。


4.如权利要求1所述的面板，其特征在于，所述主体包括陶瓷材料。


5.如权利要求4所述的面板，其特征在于，所述陶瓷材料是氮化铝。


6.如权利要求1所述的面板，其特征在于，进一步包括粘结层，所述粘结层设置在所述加热器层与所述电极层之间。


7.如权利要求1所述的面板，其特征在于，所述桥接件是热扼流圈并且具有比所述耦接部分的厚度和所述分配部分的厚度要小的厚度。


8.一种用于处理基板的面板，包括：
主体，其中所述主体包括：
电极层；
加热器层；
接地层；和
粘结层，所述粘结层设置在所述电极层与所述加热器层之间和所述加热器层与所述接地层之间；
多个孔径，所述多个孔径被形成为穿过所述主体，所述多个孔径具有第一端和第二端，其中所述第一端位于所述主体的外表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·C·罗查阿尔瓦雷斯，D·H·考齐，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US