【技术实现步骤摘要】
指纹传感器和指纹传感器阵列以及设备
公开了指纹传感器、指纹传感器阵列以及设备。
技术介绍
随着近年来电子设备的安全性变得更加重要,电子设备包括各种用户认证功能以向被认证的用户提供服务。这些用户认证功能之一是指纹认证功能。指纹认证功能可以使用指纹传感器来执行,该指纹传感器可以确定用户的指纹与预先存储的指纹之间的对应关系。
技术实现思路
一些示例实施方式提供了配置为用简单的结构和工艺实现改善的性能的一种或更多种指纹传感器。一些示例实施方式提供了包括所述一种或更多种指纹传感器的一种或更多种指纹传感器阵列。一些示例实施方式提供了包括所述一种或更多种指纹传感器和/或所述一种或更多种指纹传感器阵列的一种或更多种设备。根据一些示例实施方式,一种指纹传感器可以包括:第一电极;第二电极;不与第一电极直接接触的光吸收层,该光吸收层不与第二电极直接接触;以及绝缘层,在第一电极与光吸收层之间以及在第二电极与光吸收层之间。光吸收层可以包括p型半导体和n型半导体,p型半导体和n型半导体中的至少一个可以是配置为吸收可见波长区域的至少一部分中的光的吸光材料。吸光材料可以包括有机吸光材料。指纹传感器还可以包括在光吸收层与第一电极之间的反射层。第一电极和第二电极可以在光吸收层的彼此相反侧,使得光吸收层在第一电极与第二电极之间。绝缘层可以包括在第一电极与光吸收层之间的第一绝缘层以及在第二电极与光吸收层之间的第二绝缘层。第一电极和第二电极可以在光吸收层的相同侧上彼此平行,绝 ...
【技术保护点】
1.一种指纹传感器,包括:/n第一电极;/n第二电极;/n不与所述第一电极直接接触的光吸收层,所述光吸收层不与所述第二电极直接接触;以及/n绝缘层,在所述第一电极与所述光吸收层之间以及在所述第二电极与所述光吸收层之间。/n
【技术特征摘要】
20190515 KR 10-2019-00570971.一种指纹传感器,包括:
第一电极;
第二电极;
不与所述第一电极直接接触的光吸收层,所述光吸收层不与所述第二电极直接接触;以及
绝缘层,在所述第一电极与所述光吸收层之间以及在所述第二电极与所述光吸收层之间。
2.根据权利要求1所述的指纹传感器,其中
所述光吸收层包括p型半导体和n型半导体,以及
所述p型半导体和所述n型半导体中的至少一个是配置为吸收可见波长区域的至少一部分中的光的吸光材料。
3.根据权利要求2所述的指纹传感器,其中所述吸光材料包括有机吸光材料。
4.根据权利要求1所述的指纹传感器,还包括:
在所述光吸收层与所述第一电极之间的反射层。
5.根据权利要求1所述的指纹传感器,其中
所述第一电极和所述第二电极在所述光吸收层的彼此相反侧,使得所述光吸收层在所述第一电极与所述第二电极之间,以及
所述绝缘层包括:
在所述第一电极与所述光吸收层之间的第一绝缘层,以及
在所述第二电极与所述光吸收层之间的第二绝缘层。
6.根据权利要求1所述的指纹传感器,其中
所述第一电极和所述第二电极在所述光吸收层的相同侧上彼此平行,以及
所述绝缘层和所述光吸收层每个在所述第一电极和所述第二电极两者上。
7.根据权利要求1所述的指纹传感器,其中所述指纹传感器被配置为感测取决于所述光吸收层中吸收的光的强度的电容变化。
8.根据权利要求1所述的指纹传感器,其中所述指纹传感器被配置为没有取决于所述光吸收层中吸收的光的强度的实质性的电流变化。
9.一种指纹传感器阵列,包括根据权利要求1所述的指纹传感器。
10.一种设备,包括根据权利要求1所述的指纹传感器。
11.一种设备,包括:
显示面板,配置为在所述显示面板的显示区域中显示图像;以及
在所述显示面板上的指纹传感器阵列,所述指纹传感器阵列包括多个指纹传感器,所述多个指纹传感器中的每个指纹传感器包括:
第一电极,
第二电极,
不与所述第一电极直接接触的光吸收层,所述光吸收层不与所述第二电极直接接触,以及
绝缘层,在所述第一电极与所述光吸收层之间以及在所述第二电极与所述光吸收层之间。
12.根据权利要求11所述的设备,其中所述多个指纹传感器在所述显示面板的所述显示区域的一些或全部中。
13.根据权利要求12所述的设备,其中
所述显示面板的所述显示区域包括:
有源区,包括配置为发光的多个子像素,以及
非有源区,不包括所述多个子像素,
其中所述多个指纹传感器在所述非有源区中,使得所述多个指纹传感器至少部分地不垂直重叠所述多个子像素中的任何子像素。
14.根据权利要求13所述的设备,其中所述多个指纹传感器各自垂直地重叠所述显示面板的在所述多个子像素中的至少两个相邻子像素之间的单独部分。
15.根据权利要求11所述的设备,其中每个指纹传感器还包括在所述光吸收层与所述第一电极之间的反射层。
16.根据权利要求11所述的设备,其中
所述第一电极在第一方向上延伸,
所述第二电极在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸,以及
所述光吸收层在所述第一电极和所述第二电极的桥处在所述第一电极与所述第二电极之间。
17.根据权利要求16所述的设备,其中所述绝缘层包括:
在所述第一电极与所述光吸收层之间的第一绝缘层,以及
在所述第二电极与所述光吸收层之间的第二绝缘层。
18.根据权利要求11所述的设备,其中
所述第一电极和所述第二电极在所述光吸收层的相同侧上彼此平行,以及
所述绝缘层和所述光吸收层每个在...
【专利技术属性】
技术研发人员:李启滉,朴敬培,朴性俊,尹晟荣,陈勇完,许哲准,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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