半导体装置的数据感测电路制造方法及图纸

根据本公开，一种半导体装置的数据感测电路包括：感测部分，其被配置为感测并放大通过第一数据线和第二数据线之中的被激活的数据线提供的输入信号。数据感测电路还包括：偏移采样部分，其被配置为通过对第一数据线和第二数据线之中的要被激活的一个数据线的第一偏移电压进行采样来产生第二偏移电压，并且被配置为将第二偏移电压储存到第一数据线和第二数据线之中的另一数据线的寄生电容中。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的数据感测电路相关申请的交叉引用本申请要求于2019年5月14日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2019-0056323的韩国申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。
本公开的各种实施例涉及一种半导体电路，并且更具体地，涉及一种半导体装置的数据感测电路。
技术介绍
半导体装置包括被配置为将储存在存储单元中的数据感测并放大的数据感测电路。由于可能是通过制造工艺的改变、具有低电压电平的电源电压的使用以及配置单位存储单元的电容器的电容的减小而引起的数据感测电路的感测裕度的减小，可能会导致操作性能劣化。
技术实现思路
本公开的各种示例性实施例可以提供一种能够增大感测裕度的半导体装置的数据感测电路。在本公开的一个实施例中，一种半导体装置的数据感测电路可以包括感测部分，该感测部分被配置为感测并放大通过第一数据线和第二数据线之中的被激活的数据线提供的输入信号。数据感测电路还可以包括偏移采样部分，该偏移采样部分被配置为通过对所述第一数据线和第二数据线之中的要被激活的一个数据线的第一偏移电压进行采样来产生第二偏移电压，并且被配置为将第二偏移电压储存到第一数据线和第二数据线之中的另一数据线的寄生电容中。在本公开的一个实施例中，一种半导体装置的数据感测电路可以包括感测放大器，该感测放大器被配置为响应于多个控制信号，通过对第一数据线和第二数据线之中的要被激活的一个数据线的第一偏移电压进行采样来产生第二偏移电压，将所述第二偏移电压储存到第一数据线和第二数据线之中的另一数据线中，并控制所述第一偏移电压和所述第二偏移电压，使得所述第一偏移电压被所述第二偏移电压抵消。数据感测电路还可以包括感测放大器控制电路，该感测放大器控制电路被配置为响应于激活信息来产生所述多个控制信号，所述激活信息限定了第一数据线和第二数据线之中的要被激活的一个数据线。附图说明结合附图来描述特征、方面和实施例，其中：图1是示出根据本公开的实施例的数据感测电路的配置的示意图；图2是示出图1所示的感测放大器的配置的示意图；图3是示出根据本公开的实施例的数据感测电路的操作的时序图；图4A、图4B、图4C和图4D是示出根据图3的各个操作区段的电路连接状态的示意图；图5是示出根据本公开的实施例的数据感测电路的操作的时序图；以及图6A、图6B、图6C和图6D是示出根据图5的各个操作区段的电路连接状态的示意图。具体实施方式在下文中，下面通过各种实施例参考附图来描述根据本公开的半导体装置。图1是示出根据本公开的实施例的数据感测电路的配置的示意图。参考图1，根据本公开的实施例的数据感测电路100可以包括感测放大器200和感测放大器控制电路500。感测放大器200可以响应于多个控制信号CTRL而将第一数据线和第二数据线预充电到预充电电压VBLP的电平。响应于多个控制信号CTRL，感测放大器200可以通过对第一数据线和第二数据线之中的要被激活的一个数据线的第一偏移电压进行采样来产生第二偏移电压；将第二偏移电压储存到第一数据线和第二数据线之中的另一数据线中；以及控制第一偏移电压和第二偏移电压，使得在感测并放大被激活的数据线的操作期间，第一偏移电压被第二偏移电压抵消。第一数据线和第二数据线可以是在半导体装置内所利用的各种数据线之中的数据线。本公开的实施例示例了分别与单位存储块11和12耦接的位线作为第一数据线和第二数据线。在下文中，与单位存储块11和12电耦接的位线分别被称为第一位线BLT和第二位线BLB。单位存储块11可以是在整个存储区域内彼此区分的单位区域之中的一个单位区域。多个字线WL和多个第一位线BLT可以设置在单位存储块11内。单位存储块11可以包括电耦接至多个字线WL和多个第一位线BLT的存储单元MC。单位存储块12可以具有与单位存储块11相同的配置。感测放大器控制电路500可以响应于激活信息INF_ACT而产生多个控制信号CTRL。激活信息INF_ACT可以包括能够限定第一数据线和第二数据线之中的要被激活的一个数据线的信息。即，激活信息INF_ACT可以包括能够限定单位存储块11和12之中的被激活的一个单位存储块的信息。例如，激活信息INF_ACT可以包括地址信号和/或被解码的激活命令等等。感测放大器控制电路500可以响应于激活信息INF_ACT而独立地控制多个控制信号CTRL中的每个的激活/去激活定时，稍后将参考下面的附图(例如，图3和图5)进行描述。图2是示出图1所示的感测放大器的配置的示意图。参考图2，感测放大器200可以包括感测部分和偏移采样部分。从感测放大器控制电路500提供的多个控制信号CTRL可以包括信号BLEQ、SAON、SAOP、PMBLT、PMBLB、FBBLT和FBBLB。感测部分可以感测并放大通过第一位线BLT和第二位线BLB之中的被激活的一个位线提供的输入信号。感测部分可以包括第一开关元件201至第五开关元件205。第一开关元件201可以在其源极处电耦接到第一电压VRTO的节点，并且可以在其漏极处电耦接到第一节点N1。第二开关元件202可以在其源极处电耦接到第一电压VRTO的节点，并且可以在其漏极处电耦接到第二节点N2。第三开关元件203可以在其漏极处电耦接到第二电压VSB的节点；可以在其源极处电耦接到第一节点N1；以及可以在其栅极处电耦接到第三节点N3，所述第三节点N3与第一位线BLT电耦接。第四开关元件204可以在其漏极处电耦接到第二电压VSB的节点；可以在其源极处电耦接到第二节点N2；以及可以在其栅极处电耦接到第四节点N4，所述第四节点N4与第二位线BLB电耦接。第五开关元件205可以在其漏极处电耦接到第五节点N5，所述第五节点N5设置在第二节点N2与第四开关元件204的源极之间；可以在其源极处电耦接到预充电电压VBLP的节点；并且可以在其栅极处接收多个控制信号CTRL之中的信号BLEQ。偏移采样部分可以通过对第一位线BLT和第二位线BLB之中的要被激活的一个位线的第一偏移电压进行采样来产生第二偏移电压；将第二偏移电压储存到第一位线BLT和第二位线BLB之中的另一位线的寄生电容中；以及控制第一偏移电压和第二偏移电压，使得在感测并放大被激活的数据线的操作期间，第一偏移电压被第二偏移电压抵消。偏移采样部分可以包括第六开关元件至第十二开关元件211、212、221、222、223、231和232。第六开关元件211可以在其源极处电耦接到第六节点N6，所述第六节点N6设置在第一节点N1与第三开关元件203的源极之间；可以在其漏极处电耦接到第四节点N4；以及可以在其栅极处接收多个控制信号CTRL之中的信号SAON。第七开关元件212可以在其源极处电耦接到第七节点N7，所述第七节点N7设置在第二节点N2与第四开关元件204的源极之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的数据感测电路，所述数据感测电路包括：/n感测部分，其被配置为感测并放大通过第一数据线和第二数据线之中的被激活的数据线提供的输入信号；和/n偏移采样部分，其被配置为：/n通过对所述第一数据线和所述第二数据线之中的要被激活的一个数据线的第一偏移电压进行采样来产生第二偏移电压；以及/n将所述第二偏移电压储存到所述第一数据线和所述第二数据线之中的另一数据线的寄生电容中。/n

【技术特征摘要】
20190514 KR 10-2019-00563231.一种半导体装置的数据感测电路，所述数据感测电路包括：
感测部分，其被配置为感测并放大通过第一数据线和第二数据线之中的被激活的数据线提供的输入信号；和
偏移采样部分，其被配置为：
通过对所述第一数据线和所述第二数据线之中的要被激活的一个数据线的第一偏移电压进行采样来产生第二偏移电压；以及
将所述第二偏移电压储存到所述第一数据线和所述第二数据线之中的另一数据线的寄生电容中。


2.根据权利要求1所述的半导体装置的数据感测电路，其中，所述数据感测电路被配置为使得：在所述数据感测电路的电荷共享操作期间，所述第一偏移电压被所述第二偏移电压抵消。


3.根据权利要求1所述的半导体装置的数据感测电路，其中，所述第一数据线和所述第二数据线是分别与所述半导体装置的单位存储块之中的一个单位存储块和另一单位存储块电耦接的位线。


4.一种半导体装置的数据感测电路，所述数据感测电路包括：
感测放大器，其被配置为：响应于多个控制信号，
通过对第一数据线和第二数据线之中的要被激活的一个数据线的第一偏移电压进行采样来产生第二偏移...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹珉镐，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR