一种以钼多酸为阴离子模板构筑的二十八核炔银簇材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种以钼多酸为阴离子模板构筑的二十八核炔银簇材料及其制备方法，属于无机纳米材料合成的技术领域，该二十八核炔银簇材料的化学式为：C

【技术实现步骤摘要】
一种以钼多酸为阴离子模板构筑的二十八核炔银簇材料及其制备方法
本专利技术属于无机纳米材料合成的
，尤其涉及一种以钼多酸为阴离子模板构筑的二十八核炔银簇材料及其制备方法。
技术介绍
高核银簇合物的形成是一个复杂的过程，涉及到多个组分部件。因此，要想以有序的方式组装成金属银簇合物是极具挑战性的，也就是说，高核银簇合物的合成反应是不可控的。作为银簇化合物的重要分支之一，炔银(I)簇合物的制备和分离是很困难的。早期合成的都是一些结构简单的低核数的炔银簇，这些为后期的高核银簇的发展提供了一些参考和经验。到目前为止，使用阴离子模板法合成的高核银簇多种多样，阴离子的种类和结构也多种多样。阴离子在构筑银簇的过程中主要发挥了以下三个作用：(a)阴离子模板决定着银簇的尺寸和形状；(b)引入阴离子可以抗衡银簇的局部正电荷提高银簇的稳定性；(c)引入功能性的阴离子合成银簇，有可能会将其自身所带的物理性质融入簇合物体系。阴离子模板法已证明其在构筑高核银簇中的有效性，但是，更大核数的银簇的合成受到了内部阴离子模板尺寸的影响。因此，通过引入炔银配体和阴离子模板来合成具有发光性质的高核银簇合物，成为研究热点之一。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术提供了一种以钼多酸为阴离子模板构筑的二十八核炔银簇材料及其制备方法，该银簇材料是采用叔丁基炔银配体，三氟乙酸银辅助配体以及多金属氧酸盐Na5[CuPMo11O39].nH2O合成的，具备潜在的半导体性质和发光性质，可应用于半导体、发光等
本专利技术采用如下技术方案：一种以钼多酸为阴离子模板构筑的二十八核炔银簇材料，所述二十八核炔银簇材料由[AgC≡CtBu]n，CF3COOAg以及Na5[CuPMo11O39].nH2O合成，其化学式为：C120H162Ag28F18Mo2O20。进一步地，所述炔银簇材料属于三斜晶系，空间群为P-1，晶胞参数为α＝82.945(3)°，β＝70.342(3)°，γ＝62.501(3)°，一种以钼多酸为阴离子模板构筑的二十八核炔银簇材料的制备方法，所述炔银簇材料的制备方法具体为：第一步：依次称量[AgC≡CtBu]n，CF3COOAg以及Na5[CuPMo11O39].nH2O溶解在溶剂中，经搅拌反应，获得悬浊液；第二步：将所述悬浊液过滤后，得无色透明溶液，待所述无色透明溶液挥发后，得无色块状晶体，即产物。进一步地，所述[AgC≡CtBu]n，CF3COOAg以及Na5[CuPMo11O39].nH2O的摩尔比为25.0：14.5：1.0。进一步地，所述溶剂为甲醇。进一步地，所述悬浊液的pH＝6.5。进一步地，所述无色透明溶液的挥发温度为室温。进一步地，所述银簇的产率达到45％。进一步地，所述银簇材料具有潜在的半导体性质和发光性质。本专利技术的优点与效果为：本专利技术提供的具有潜在的半导体性质和发光性质的二十八核炔银簇材料，是一种新型结构的银簇材料，该银簇材料是采用叔丁基炔银配体，三氟乙酸银辅助配体以及多金属氧酸盐Na5[CuPMo11O39].nH2O合成的，具备潜在的半导体性质和发光性质，可应用于半导体、发光等
附图说明图1为本专利技术具有潜在的半导体性质和发光性质的二十八核炔银簇材料的晶体结构图；图2为本专利技术具有潜在的半导体性质和发光性质的二十八核炔银簇材料的实验和模拟的粉末衍射曲线；图3为本专利技术具有潜在的半导体性质和发光性质的二十八核炔银簇材料的红外光谱图；图4为本专利技术具有潜在的半导体性质和发光性质的二十八核炔银簇材料的固体紫外光学漫反射光谱和能量间隙；图5为本专利技术具有潜在的半导体性质和发光性质的二十八核炔银簇材料的固态发射光谱，其中，激发波长为244nm(室温)。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术进行进一步的解释，但是并不用于限制本专利技术的保护范围。本实施方案提供了一种具有潜在的半导体性质和发光性质的以钼酸根为阴离子模板修饰的二十八核炔银簇材料，该炔银簇材料的化学式为：C120H162Ag28F18Mo2O20。该炔银簇材料属于三斜晶系，空间群为P-1，晶胞参数为α＝82.945(3)°，β＝70.342(3)°，γ＝62.501(3)°，上述具有潜在的半导体性质和发光性质的二十八核炔银簇材料的制备方法，具体为：依次称量[AgC≡CtBu]n，CF3COOAg以及Na5[CuPMo11O39].nH2O溶解在溶剂甲醇中，经搅拌反应，获得悬浊液；将所述悬浊液过滤后，得无色透明溶液，待所述无色透明溶液挥发后，得无色块状晶体，即产物。其中，[AgC≡CtBu]n，CF3COOAg以及Na5[CuPMo11O39].nH2O的摩尔比为25.0：14.5：1.0，对于银簇材料而言，其关键在于反应原料的配比，在研发过程中，经过大量的实验发现：仅有按照上述配比，才可以合成具有图1所示晶体结构的炔银簇材料。优选，悬浊液的pH＝6.5，其中，偏酸性条件下不易发生银镜反应，而且有利于Ag+聚集成核，上述无色透明溶液的挥发温度为室温，通常室温为25℃，产率为45％。对上述实施方案中具有潜在的半导体性质和发光性质的二十八核炔银簇材料进行了固态紫外吸收光谱和固态发光光谱研究。在室温下测试了该炔银簇材料的固态紫外吸收光谱(如图4所示)，从图中可以很清楚的看到该炔银簇材料的电子吸收光谱在305nm处有一个高能带的吸收峰，并推算出其禁带宽度大约为2.79eV，表明该炔银簇材料是一种潜在的半导体材料。此外，在室温条件下研究了该炔银簇材料的固态发光光谱(如图5所示)。室温时，在244nm的激发波长下，该炔银簇材料在395nm波长处显示出最大的发射峰。实施例1合成二十八核炔银簇材料称量[AgC≡CtBu]n(0.0474g,0.2502mmol)，CF3COOAg(0.0320g,0.1449mmol)和Na5[CuPMo11O39].nH2O(0.0188g,0.0100mmol)溶解到15mL甲醇中，然后将混合物装入反应瓶中在搅拌器上搅拌24小时，混合溶液呈悬浊液，该悬浊液的pH值为6.5。悬浊液用滤纸过滤后得到的无色透明的溶液保存到烧杯中。在室温下挥发，大约经过15天时间得到无色的块状晶体，即为二十八核炔银簇材料。二十八核炔银簇材料的潜在半导体性质在室温下测试了该炔银簇材料的固态紫外吸收光谱(如图4所示)，并且推算出其禁带宽度大约为2.79eV，表明该炔银簇材料是一种潜在的半导体材料。二十八核炔银簇材料的发光性质在室温条件下研究了该二十八核炔银簇材料的固态发光光谱(如图5所示)。温度在室温时，在244nm的激发波长下，该炔银簇材料在395nm波长处显示出最大的发射峰。合成的具有潜在的半导体性质和发光性质的二十八核炔银簇材料的物理性能检测取实例1制得的二十八核炔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种以钼多酸为阴离子模板构筑的二十八核炔银簇材料，其特征在于，所述二十八核炔银簇材料由[AgC≡C

【技术特征摘要】
1.一种以钼多酸为阴离子模板构筑的二十八核炔银簇材料，其特征在于，所述二十八核炔银簇材料由[AgC≡CtBu]n，CF3COOAg以及Na5[CuPMo11O39]·nH2O合成，其化学式为：C120H162Ag28F18Mo2O20。


2.根据权利要求1所述一种以钼多酸为阴离子模板构筑的二十八核炔银簇材料，其特征在于，所述炔银簇材料属于三斜晶系，空间群为P-1，晶胞参数为α＝82.945(3)°，β＝70.342(3)°，γ＝62.501(3)°，


3.一种权利要求1所述的一种以钼多酸为阴离子模板构筑的二十八核炔银簇材料的制备方法，其特征在于，所述炔银簇材料的制备方法具体为：
第一步：依次称量[AgC≡CtBu]n，CF3COOAg以及Na5[CuPMo11O39]·nH2O溶解在溶剂中，经搅拌反应，获得悬浊液；
第二步：将所述悬浊液过滤后，得无色透明溶液，待所述无色透明溶液挥发后，得无色块状晶体，即产物。


4.根据权利要求3所述的一种以...

【专利技术属性】
技术研发人员：周坤，史飓峰，方圆，季久玉，
申请(专利权)人：辽宁石油化工大学，
类型：发明
国别省市：辽宁;21