【技术实现步骤摘要】
一种红外热电堆传感器的测试装置及其测试方法
本专利技术属于MEMS(Micro-Electro-MechanicalSystem,微机电系统)器件测试领域,尤其涉及一种热电堆输出电压-环境温度-物体温度矩阵表的测试装置及其测试方法。
技术介绍
在热电堆输出电压-环境温度-物体温度矩阵表测试中,要求物体(标准黑体)温度从零下几十度变化至100度以上,环境温度从-20~100度附近变化。而绝大多数黑体的工作温度介于0~40度之间,无法满足测试要求,一些能在-20~100度环境下工作的黑体,价格都非常的昂贵,价值几十万元。并且为测试设备提供环境温度的高低温实验箱,温度稳定需要时间较长,一般单点温度稳定时间少则需要30分钟,非常不利于密集环境温度点的测试。现有测试中实测矩阵表量不足,大多数据采用插值得到,也不利于客户端高精度的应用。因此,有必要提出一种技术方案来克服上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种红外热电堆传感器的测试装置及其测试方法,其在热电堆输出电压-环境温度-物体温度矩阵表测试中,可以实现低成本,高精度,高效率。根据本专利技术的一个方面,本专利技术提供一种红外热电堆传感器的测试装置,其包括:黑体,其作为标准辐射源为测试提供标准物体温度Tobj;由隔热材料制成的隔热体,其具有贯穿所述隔热体的空腔,所述空腔包括靠近所述黑体的第一端口和远离所述黑体的第二端口;热载体,其内放置有红外热电堆传感器,所述热载体可进入和退出所述隔热体的空腔,当所述热载体位于标 ...
【技术保护点】
1.一种红外热电堆传感器的测试装置,其特征在于,其包括:/n黑体,其作为标准辐射源为测试提供标准物体温度Tobj;/n由隔热材料制成的隔热体,其具有贯穿所述隔热体的空腔,所述空腔包括靠近所述黑体的第一端口和远离所述黑体的第二端口;/n热载体,其内放置有红外热电堆传感器,所述热载体可进入和退出所述隔热体的空腔,当所述热载体位于标准测试位置时,放置有红外热电堆传感器的所述热载体进入所述隔热体的空腔。/n
【技术特征摘要】
1.一种红外热电堆传感器的测试装置,其特征在于,其包括:
黑体,其作为标准辐射源为测试提供标准物体温度Tobj;
由隔热材料制成的隔热体,其具有贯穿所述隔热体的空腔,所述空腔包括靠近所述黑体的第一端口和远离所述黑体的第二端口;
热载体,其内放置有红外热电堆传感器,所述热载体可进入和退出所述隔热体的空腔,当所述热载体位于标准测试位置时,放置有红外热电堆传感器的所述热载体进入所述隔热体的空腔。
2.根据权利要求1所述的红外热电堆传感器的测试装置,其特征在于,所述隔热体包括隔热框架,所述隔热框架为中空结构,所述空腔位于所述隔热框架内,且所述隔热框架和所述空腔之间存在围绕所述空腔的空区域,所述隔热框架采用低热导率材料,所述空区域填充高热阻材料。
3.根据权利要求2所述的红外热电堆传感器的测试装置,其特征在于,所述低热导率材料为特氟龙,PPS(聚苯硫醚),电木中的一个或多个;所述高热阻材料为泡沫、塑料、特氟龙中的一个或多个。
4.根据权利要求1所述的红外热电堆传感器的测试装置,其特征在于,所述热载体包括前置隔热板和散热器,所述红外热电堆传感器位于前置隔热板和散热器之间,当所述热载体位于标准测试位置时,所述前置隔热板位于所述隔热体的空腔的第一端口;所述散热器位于所述隔热体的空腔的第二端口。
5.根据权利要求4所述的红外热电堆传感器的测试装置,其特征在于,所述热载体还包括压板、底板、器件底座、电路板和导热柱,
所述前置隔热板、压板、红外热电堆传感器、底板、器件底座、电路板和散热器依次堆叠设置,所述导热柱位于底板和散热器之间。
6.根据权利要求5所述的红外热电堆传感器的测试装置,其特征在于,
所述前置隔热板采用低热导率,耐温材料制作而成;
所述压板和底板采用高热导率的材料,其用于降低红外热电堆传感器的温度梯度,并且通过给压板施加预压力,使红外热电堆传感器能紧贴在底板的靠近所述压板的表面;
所述器件底座用于放置紧贴在底板上的红外热电堆传感器,并使红外热电堆传感器和电路板之间形成良好的电学连接;
所述导热柱用于控制位于所述隔热体内的热载体的热流的导向,使存于热载体内的热量绝大部分通过导热柱传至散热器耗散。
7.根据权利要求1所述的红外热电堆传感器的测试装置,其特征在于,其还包括控制模块,所述控制模块用于控制所述热载体的散热器的对流换热系数。
8.根据权利要求7所述的红外热电堆传感器的测试装置,其特征在于,所述控制模块包括风扇,所述风扇通过变换风速来控制述热载体的散热器的对流换热系数,
其中所述控制模块基于红外热电堆传感器的温度检测单元得到的环境温度与室温的温差来调整所述热载体的散热器的对流换热系数,以使得当前环境温度与室温T0...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘尧,凌方舟,蒋乐跃,储莉玲,苏云鹏,
申请(专利权)人:美新半导体天津有限公司,
类型:发明
国别省市:天津;12
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