一种倒装LED封装器件及其制备方法和应用技术

一种倒装LED封装器件，其封装工艺包括如下步骤：S1、将铜带冲切成型，并且将冲压后的铜材表面电镀银层，得到具有正极和负极的铜支架；S2、将铜支架作为基板，在正极铜支架和负极铜支架上分别用固晶方式点上助焊剂，将芯片分别与正极铜支架和负极铜支架上的助焊剂共晶连接；过回流焊，使得芯片焊接在铜支架上；S3、在铜支架上模压荧光胶，再将模压后的铜支架贴在UV膜上；S4、切割出散粒，解UV得到倒装LED封装器件。本发明专利技术采用铜带直接冲压成形，共晶后模压外封胶，制作工艺，散热效果及可靠性比陶瓷支架更高，成本更低；芯片四周没有绝缘材料阻挡，比碗杯支架发光角度更大，封装尺寸更小，更灵活，LED灯珠可靠性更高。

【技术实现步骤摘要】
一种倒装LED封装器件及其制备方法和应用
本专利技术涉及显示技术相关
，尤其涉及一种倒装LED封装器件及其制备方法和应用。
技术介绍
LED是发光二极管的简称，具有体积小、寿命长，节能环保等优点，可以替代传统光源。发光二极管在具体应用之前需要进行LED封装才能够正式使用。现有技术市面上的LED封装包括以下缺陷：现有技术一：倒装LED采用倒装陶瓷共晶的方法来制备。由于陶瓷本身不导电，为了导电陶瓷的正反两面需覆铜，上下焊盘中间由导通孔相连。这种方法，陶瓷基板的制作成本较高，工艺复杂，可靠性不高，散热功能有限。现有技术二：倒装LED工艺采用倒装碗杯支架的方法来制备。碗杯支架焊盘之间充填绝缘材料，碗杯内再点外封胶。这种方法中，LED封装尺寸受限，发光角度收到芯片四周绝缘材料的阻挡，封装尺寸和发光角度受到限制。因此上述的封装技术已经无法满足市场的需求，需要研究出一种制作工艺简单，散热效果好且发光角度大，封装尺寸更小，更灵活，可靠性高的倒装LED封装器件。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种制作工艺简单，散热效果好且发光角度大，封装尺寸小，可靠性高的倒装LED封装器件及其制备方法和应用。为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：本专利技术的第一个目的在于提供一种倒装LED封装器件，其封装工艺包括如下步骤：S1、将铜带冲切成型，并且将冲压后的铜材表面电镀银层，得到具有正极和负极的铜支架；S2、将所述铜支架作为基板，在正极铜支架和负极铜支架上分别用固晶方式点上助焊剂，将芯片正负极分别与正极铜支架和负极铜支架粘接，通过共晶方式，使得芯片与支架焊接在一起，共晶温度为320°；S3、在所述铜支架上模压荧光胶，再将模压后的铜支架贴在UV膜上；S4、依据需要的尺寸切割出散粒，解UV得到所述倒装LED封装器件。具体的，S1中，所述铜带的尺寸为0.2-0.4mm。具体的，S1中，所述电镀银层为在所述铜材表面电镀铜层，然后再镀镍层，再镀银层。具体的，S2中，通过WB机台的吸嘴将所述芯片分别与正极铜支架和负极铜支架上的助焊剂共晶连接。具体的，S2中，所述共晶连接中，共晶温度为320°。具体的，所述助焊剂为选自包括但不限于含松香树脂及其衍生物，活化剂，表面活性剂的粘稠液体的助焊剂或助焊膏中的一种或多种。具体的，所述荧光胶为选自包括但不限于环氧树脂，有机硅胶，有机硅树脂中的一种或多种。(比如聚氨酯、环氧等类型)具体的，所述芯片通过所述助焊剂与所述铜支架基板的正极区域、负极区域电连接。本专利技术的第二个目的在于提供一种倒装LED封装器件的制备方法，所述倒装LED封装器件的封装工艺包括如下步骤：S1、将铜带冲切成型，并且将冲压后的铜材表面电镀银层，得到具有正极和负极的铜支架；S2、将所述铜支架作为基板，在正极铜支架和负极铜支架上分别用固晶方式点上助焊剂，将芯片正负极分别与正极铜支架和负极铜支架粘接，通过共晶方式，使得芯片与支架焊接在一起，共晶温度为320°；S3、在所述铜支架上模压荧光胶，再将模压后的铜支架贴在UV膜上；S4、依据需要的尺寸切割出散粒，解UV得到所述倒装LED封装器件。本专利技术的第三个目的在于一种倒装LED封装器件的显示应用，采用如上所述倒装LED封装器件。与现有技术相比，本专利技术采用铜带直接冲压成形，共晶后模压外封胶，制作工艺，散热效果及可靠性比陶瓷支架更高，成本更低；芯片四周没有绝缘材料阻挡，比碗杯支架发光角度更大，封装尺寸更小，更灵活，LED灯珠可靠性更高。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。附图1为现有技术一的结构示意图；附图2为现有技术二的结构示意图；附图3为本专利技术中铜板冲压成型的局部结构示意图；附图4为本专利技术中单颗铜片的结构示意图；附图5为本专利技术中铜支架上点助焊剂的结构示意图；附图6为本专利技术中铜支架上点助焊剂后，芯片与其固定连接的结构示意图；附图7为本专利技术中过回流焊后，芯片焊接在所述铜支架上的结构示意图；’附图8分别为本专利技术中整片金属支架模压荧光胶的反面局部结构示意图；附图9为本专利技术中整片金属支架模压荧光胶后切割。附图中涉及的附图标记和组成部分说明：1、助焊剂；2、铜支架；3、芯片。具体实施方式现有技术市面上的LED封装包括以下缺陷：现有技术一：倒装LED采用倒装陶瓷共晶的方法来制备。由于陶瓷本身不导电，为了导电陶瓷的正反两面需覆铜，上下焊盘中间由导通孔相连。这种方法，陶瓷基板的制作成本较高，工艺复杂，可靠性不高，散热功能有限。现有技术二：倒装LED工艺采用倒装碗杯支架的方法来制备。碗杯支架焊盘之间充填绝缘材料，碗杯内再点外封胶。这种方法中，LED封装尺寸受限，发光角度收到芯片四周绝缘材料的阻挡，封装尺寸和发光角度收到限制。因此上述的封装技术已经无法满足市场的需求，需要研究出一种制作工艺简单，散热效果好且发光角度大，封装尺寸小，可靠性高的倒装LED封装器件。下面将通过具体实施方式对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术的第一个目的提供一种倒装LED封装器件，其封装工艺包括如下步骤：S1、将铜带(尺寸为0.2-0.4mm)冲切成型，并且将冲压后的铜材表面电镀银层(在铜材表面电镀铜层，然后再镀镍层，再镀银层)，得到具有正极和负极的铜支架；S2、将铜支架作为基板，在正极铜支架和负极铜支架上分别用固晶方式点上助焊剂(包括但不限于含松香树脂及其衍生物，活化剂，表面活性剂的粘稠液体的助焊剂或助焊膏中的一种或多种)，将芯片(电极为AuSn20)正负极分别与正极铜支架和负极铜支架粘接，通过共晶方式，使得芯片与支架焊接在一起，共晶温度为320°。S3、在铜支架上模压荧光胶(包括但不限于环氧树脂，有机硅胶，有机硅树脂中的一种或多种)，再将模压后的铜支架贴在UV膜上；S4、切割出散粒，解UV得到倒装LED封装器件。芯片通过助焊剂与铜支架基板的正极区域、负极区域电连接。本专利技术的第二个目的提供一种倒装LED封装器件的制备方法，采用如上倒装LED封装器件的封装工艺包括如下步骤：S1、将铜带冲切成型，并且将冲压后的铜材表面电镀银层，得到具有正极和负极的铜支架；S2、将铜支架作为基板，在正极铜支架和负极铜支架上分别用固晶方式点上助焊剂，将芯片(电极为AuSn20)正负极分别与正极铜支架和负极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒装LED封装器件，其特征在于，其封装工艺包括如下步骤：/nS1、将铜带冲切成型，并且将冲压后的铜材表面电镀银层，得到具有正极和负极的铜支架；/nS2、将所述铜支架作为基板，在正极铜支架和负极铜支架上分别用固晶方式点上助焊剂，将芯片正负极分别与正极铜支架和负极铜支架粘接，通过共晶方式，使得芯片与支架焊接在一起；/nS3、在所述铜支架上模压荧光胶，再将模压后的铜支架贴在UV膜上；/nS4、依据需要尺寸切割出散粒，解UV得到所述倒装LED封装器件。/n

【技术特征摘要】
1.一种倒装LED封装器件，其特征在于，其封装工艺包括如下步骤：
S1、将铜带冲切成型，并且将冲压后的铜材表面电镀银层，得到具有正极和负极的铜支架；
S2、将所述铜支架作为基板，在正极铜支架和负极铜支架上分别用固晶方式点上助焊剂，将芯片正负极分别与正极铜支架和负极铜支架粘接，通过共晶方式，使得芯片与支架焊接在一起；
S3、在所述铜支架上模压荧光胶，再将模压后的铜支架贴在UV膜上；
S4、依据需要尺寸切割出散粒，解UV得到所述倒装LED封装器件。


2.根据权利要求1所述倒装LED封装器件，其特征在于：S1中，所述铜带的尺寸为0.2-0.4mm。


3.根据权利要求1所述倒装LED封装器件，其特征在于：S1中，所述电镀银层为在所述铜材表面电镀铜层，然后再镀镍层，再镀银层。


4.根据权利要求1所述倒装LED封装器件，其特征在于：S2中，通过DieBonding机台的吸嘴将所述芯片正负极粘接在支架正负电极上。


5.根据权利要求1所述倒装LED封装器件，其特征在于：S2中，所述共晶连接中，共晶温度为320°。


6.根据权利要求1所述倒装LED封装器件，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：高宝贵，
申请(专利权)人：盐城东山精密制造有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32