一种晶圆制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶圆，包括参考边和两组切割道；所述参考边与晶圆的晶向垂直或平行；每组切割道中的若干条切割道相互平行；不同组的切割道相互垂直；其中一组中的切割道与所述参考边的夹角在10度至80度之间。本实用新型专利技术晶圆，在进行芯片设计时，让芯片的方向与晶圆的晶向形成一定的角度，在切割时可以不用考虑材料裂开导致的芯片崩边行为；可以提高芯片成品率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆
本技术涉及半导体芯片材料，具体为一种晶圆。
技术介绍
在半导体芯片制作过程中，在一片圆形的晶圆上制作出数十个或者数万个芯片，然后通过切割的方式，将一颗颗芯片分割开独立使用。制作芯片的目前绝大部分都是硅材料，尺寸从2寸-12寸，或者有16寸，其他材料有像砷化镓、氮化镓、碳化硅、蓝宝石等，虽然这些半导体材料在功能和性能上有差别，生长的方法也不同，但是都有一个要求，即是这些晶圆必须要是单晶材料，才能实现芯片的制作，具有半导体的性能。通常生产这些单晶材料的晶向会有<100>、<110>、<111>几种，不同的晶型在性能上会有差别，适用到不同半导体产品中。如图1所示的硅材料，为了区分这几种晶型材料，技术人员在生长这些单晶材料后会人为的通过增加平边作为参考边的方式标示几种晶型。如图2所示，现有芯片制作时基本都是垂直或者平行于参考边，于是切割芯片时也需要平行和垂直参考边，不管采用什么方式砂轮、激光或者金刚石的方式，形成的切割道都是沿着晶向方向。
技术实现思路
专利技术人发现在进行芯片切割时，造成的崩边、崩角的现象比较多；经研究发现：对于半导体单晶材料来说，沿着晶向方向比较容易裂开；造成芯片质量下降，成品率降低。尤其是在硬、脆材料上表现就更为明显，如砷化镓、碳化硅上。本技术的目的是提供一种结构新颖独特，使用方便，并且能够降低晶圆崩边或崩角的晶圆结构；具体技术方案为：一种晶圆，包括参考边和两组切割道；所述参考边与晶圆的晶向垂直或平行；每组切割道中的若干条切割道相互平行；不同组的切割道相互垂直；其中一组中的切割道与所述参考边的夹角在10度至80度之间。进一步，其中一组中的所述切割道与所述参考边的夹角在40度至50度之间。进一步，其中一组中的所述切割道与所述参考边的夹角在44度至46度之间。进一步，其中一组中的所述切割道与所述参考边的夹角为45度。本技术晶圆，在进行芯片设计时，让芯片的方向与晶圆的晶向形成一定的角度，避免半导体材料自行解理，错开晶向进行物理操作，在改善切割工艺的基础上，可以减少崩边的概率；可以提高芯片成品率。附图说明图1为晶圆标准；图2为现有技术中晶圆的结构；图3为本技术中晶圆的结构示意图。图中：1、晶圆；2、参考边；3、切割道。具体实施方式下面利用实施例对本技术进行更全面的说明。本技术可以体现为多种不同形式，并不应理解为局限于这里叙述的示例性实施例。如图3所示，实施例中的晶圆1包括参考边2和两组切割道3；参考边2与晶圆1的晶向垂直或平行；每组切割道中的若干条切割道相互平行；不同组的切割道相互垂直。在进行芯片设计时，让芯片的方向与晶圆的晶向形成45度夹角，在切割时减少晶圆切割时发生芯片崩边行为。芯片的方向与晶圆的晶向的夹角应控制在10度至80度之间；即其中一组切割道3的方向与参考边2的夹角在10度至80度之间。角度尽量靠近45度角，比如40度至50度之间；或者44度至46度；最好选择45度角。上述示例只是用于说明本技术，除此之外，还有多种不同的实施方式，而这些实施方式都是本领域技术人员在领悟本技术思想后能够想到的，故，在此不再一一列举。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆，包括参考边和两组切割道；所述参考边与晶圆的晶向垂直或平行；每组切割道中的若干条切割道相互平行；不同组的切割道相互垂直；其特征在于，其中一组中的切割道与所述参考边的夹角在10度至80度之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆，包括参考边和两组切割道；所述参考边与晶圆的晶向垂直或平行；每组切割道中的若干条切割道相互平行；不同组的切割道相互垂直；其特征在于，其中一组中的切割道与所述参考边的夹角在10度至80度之间。


2.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，其中一组中的所述切...

【专利技术属性】
技术研发人员：张敬伟，那永鑫，
申请(专利权)人：北京世纪金光半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11