量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：获取预制件，所述预制件包括基板、形成在所述基板上的阳极层和形成在所述阳极层上的量子点发光层；于所述量子点发光层之上沉积有机缓冲层；所述有机缓冲层的材料为含有‑NH‑、‑NH

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管及其制备方法
本专利技术涉及显示器件
，特别是涉及量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
量子点(quantumdots)是一种零维纳米材料，通常为粒径介于2nm～20nm之间的半导体纳米颗粒，因此又可称为半导体纳米晶体，严格上定义为半径小于或接近于激子玻尔半径的纳米晶体。量子点具有窄发射光谱、发射波长可通过控制粒径尺寸进行调节、光稳定性较好等独特的光学性质，早已引起广大科学研究者的广泛兴趣和极大关注。特别是在显示领域，量子点电致发光器件——量子点发光二极管(QLED)显示器具有色域高、自发光、反应速度快等优点，一度成为近几年的研究热点，并且被认为是继有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示之后的新一代显示器。量子点发光二极管的结构一般为阳极/空穴注入层/空穴传输层/量子点发光层/电子传输层/阴极，量子点可分散于溶剂中配制成量子点墨水等印刷材料，可采用打印、移印、旋涂等方法制造量子点薄膜。现有的电子传输材料一般为ZnO基的电子传输材料。ZnO纳米粒子一般易分散于醇类有机溶剂，也可以采用打印、移印、旋涂等方法制造制备ZnO薄膜。电子传输材料墨水的配备要兼顾可打印性，如墨水的亲疏水性、粘度、表面张力、沸点及挥发速度以及分散稳定性等，以及在量子点层上的可铺展性，以保证QLED的发光均匀性和发光稳定性。但是，由于量子点层配体的影响，电子传输材料墨水难以量子点层上良好地铺展。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种量子点发光二极管的制备方法。该制备方法有利于电子传输材料墨水在量子点层上的铺展，形成均匀的电子传输层，便于制备得到发光效率高和发光稳定性好的量子点发光二极管。一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：获取预制件，所述预制件包括基板、形成在所述基板上的阳极层和形成在所述阳极层上的量子点发光层；于所述量子点发光层之上沉积有机缓冲层；所述有机缓冲层的材料为含有-NH-、-NH2和-COOH中至少一个基团的有机材料；于所述有机缓冲层之上沉积电子传输层墨水。在其中一个实施例中，于所述量子点发光层之上沉积所述有机缓冲层时的温度大于或等于所述有机缓冲层的材料的熔点，且于所述有机缓冲层之上沉积电子传输层墨水时的温度小于所述有机缓冲层的材料的熔点。在其中一个实施例中，于所述有机缓冲层之上沉积电子传输层墨水时的温度大于0℃，且较所述有机缓冲层的材料的熔点低至少5℃；及/或，于所述量子点发光层之上沉积所述有机缓冲层时的温度为在所述有机缓冲层的材料的熔点基础上增加5至50℃。在其中一个实施例中，于所述有机缓冲层之上沉积电子传输层墨水后，所述量子点发光二极管的制备方法还包括：在加热并且抽真空的条件下去除所述电子传输层墨水中的溶剂以及所述有机缓冲层，形成电子传输层。在其中一个实施例中，在预设温度加热并且抽真空的条件下去除所述电子传输层墨水中的溶剂以及所述有机缓冲层；所述预设温度大于所述有机缓冲层的材料的熔点。在其中一个实施例中，所述预设温度为在所述有机缓冲层的材料的熔点基础上增加5至50℃。在其中一个实施例中，所述预设温度为在所述有机缓冲层的材料的熔点基础上增加10至30℃。在其中一个实施例中，所述有机缓冲层的材料的熔点为20-50℃，沸点为150-350℃；及/或，所述有机缓冲层的厚度为10-50nm。在其中一个实施例中，所述有机缓冲层的材料选自二癸胺、十二胺、对甲苯胺、N-甲基乙酰胺、2-吡咯烷酮、氨基甲酸乙酯、三乙醇胺、二乙醇胺、三异丙醇胺、癸酸和叔戊酸中的至少一种。本专利技术还提供所述的制备方法制备得到的量子点发光二极管。与现有技术相比较，本专利技术具有如下有益效果：本专利技术的量子点发光二极管的制备方法，在制备量子点发光层后，在量子点发光层之上沉积有机缓冲层，所述有机缓冲层的材料为含有-NH-、-NH2和-COOH中至少一个基团的有机材料，由此改变了量子点发光层的界面性质，降低了电子传输层墨水在成膜过程中的接触角，使电子传输层墨水在其上面能够很好的铺展，均匀成膜。由此，由该制备方法有利于电子传输材料墨水在量子点层上的铺展，形成均匀的电子传输层，使制备得到的量子点发光二极管发光效率高和发光稳定性好。具体实施方式以下结合具体实施例对本专利技术的量子点发光二极管及其制备方法作进一步详细的说明。需要说明的是，当元件被称为“形成在……上”时，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本专利技术的实施例提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：获取预制件，所述预制件包括基板、形成在所述基板上的阳极层和形成在所述阳极层上的量子点发光层；于所述量子点发光层之上沉积有机缓冲层；所述有机缓冲层的材料为含有-NH-、-NH2和-COOH中至少一个基团的有机材料；于所述有机缓冲层之上沉积电子传输层墨水。上述具有量子点发光层的预制件是指根据需求完成量子点发光层以及量子点发光层前工序后获得的中间器件。在其中一些具体的实施例中，该预制件的结构可包括基板，以及阳极/空穴注入层/空穴传输层/量子点发光层，或阳极/空穴注入层/量子点发光层，或阳极/量子点发光层，或阳极/空穴传输层/量子点发光层。其中，所述阳极、空穴注入层、空穴传输层和量子点发光层均可采用本领域现有的常用材料种类。当阳极和量子点发光层之间设置有空穴传输层时，可以提高载流子的传输性能，获得更高的发光效率。在一个具体的实施例中，于所述量子点发光层之上沉积所述有机缓冲层时的温度(T3)大于或等于所述有机缓冲层的材料的熔点(T0)，且于所述有机缓冲层之上沉积电子传输层墨水时的温度(T2)小于所述有机缓冲层的材料的熔点(T0)。控制温度T2小于T0，可保证所述有机缓冲层为固体状态，对所述电子传输层墨水形成支撑，更有利于所述电子传输层墨水的铺展。可以理解地，T2也可以不小于T0，在该情况下，所述有机缓冲层为熔融或部分熔融状态，对所述电子传输层墨水铺展的促进作用优于直接在量子点发光层上沉积电子传输层墨水，但不及T2小于T0时。作为优选地，0℃<T2<T0-5℃。控制温度T3大于T0。可使有机缓冲层的材料在量子点发光层之上具有更好的流动性，更有利于有机缓冲层的沉积铺展，尤其是当所述有机缓冲层以将相应材料熔融后直接铺设在所述量子点发光层之上的方式进行沉积时。可以理解地，所述有机缓冲层也可先以溶剂分散相应材料制备墨水，再打印的方式进行沉积制备。作为优选地，T3＝T0+5至50℃。在一个具体的实施例中，于所述有机缓冲层之上沉积电子传输层墨水后，所述量子点发光二极管的制备方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n获取预制件，所述预制件包括基板、形成在所述基板上的阳极层和形成在所述阳极层上的量子点发光层；/n于所述量子点发光层之上沉积有机缓冲层；所述有机缓冲层的材料为含有-NH-、-NH

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
获取预制件，所述预制件包括基板、形成在所述基板上的阳极层和形成在所述阳极层上的量子点发光层；
于所述量子点发光层之上沉积有机缓冲层；所述有机缓冲层的材料为含有-NH-、-NH2和-COOH中至少一个基团的有机材料；
于所述有机缓冲层之上沉积电子传输层墨水。


2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，于所述量子点发光层之上沉积所述有机缓冲层时的温度大于或等于所述有机缓冲层的材料的熔点，且于所述有机缓冲层之上沉积电子传输层墨水时的温度小于所述有机缓冲层的材料的熔点。


3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，于所述有机缓冲层之上沉积电子传输层墨水时的温度大于0℃，且较所述有机缓冲层的材料的熔点低至少5℃；及/或，于所述量子点发光层之上沉积所述有机缓冲层时的温度为在所述有机缓冲层的材料的熔点基础上增加5至50℃。


4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，于所述有机缓冲层之上沉积电子传输层墨水后，所述量子点发光二极管的制备方法还包括：在加热并且抽真空的条件下去除所述电子传输层墨水中的溶...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗健，庄锦勇，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44