一种铂电阻温度传感器及其防水封装工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种铂电阻温度传感器，包括：铂电阻芯片，用于获得温度的物理变量并将所述物理变量转化为电信号；第一防护层，设置于所述铂电阻芯片的外侧，并包覆所述铂电阻芯片，所述第一防护层为硬质材料；第二防护层，设置于所述第一防护层的外侧，并且包覆所述第一防护层。本发明专利技术可以保持薄膜铂电阻在热塑封后电阻值精度不变，大幅度提升该温度传感器的可靠性、防潮性和测温准确度。

【技术实现步骤摘要】
一种铂电阻温度传感器及其防水封装工艺方法
本专利技术涉及温度传感器制造
，尤其涉及一种保持薄膜铂电阻阻值精度不变的高精度防水铂电阻温度传感器及其防水封装工艺方法，提高产品测温的准确度和使用寿命。
技术介绍
在现有薄膜铂电阻温度传感器的制造技术中，在高精度的薄膜铂电阻外设置防护热塑封层后，该温度传感器的阻值精度发生显著的降低，不能保持封装前原有的阻值精度，因此，该热塑A封的工艺方法不能用于高精度高可靠的薄膜铂电阻温度传感器的防水封装。不用热塑封的薄膜铂电阻的制造工艺，产品明显存在使用寿命低、防潮防水性差、抗电强度低、绝缘性低等的问题。所以，防止陶瓷薄膜铂电阻热塑封后阻值精度变化降低的工艺方法，对于提高产品的防潮性能、使用寿命、电性能等有很重要的作用。尤其是制造在高温高湿等恶劣环境中使用的高可靠、长寿命、高精度薄膜铂电阻温度传感器是一个可靠的工艺方法。提高产品测温的准确度和寿命。
技术实现思路
本专利技术提供一种保持薄膜铂电阻阻值精度不变铂电阻温度传感器及其防水封装工艺方法。采用此工艺，可以极大地提升温度传感器的可靠性，尤其是保持阻值精度不变，提高测温的准确性，提高产品的使用寿命等。为了解决上述技术问题，本专利技术一种保持薄膜铂电阻阻值精度不变的温度传感器封装制造工艺方法，包括：薄膜铂电阻芯片，用于准确获得温度的物理变量，并将所述物理变量转化为电信号；第一防护层，设置于所述薄膜铂电阻芯片的外侧，并包覆所述铂电阻芯片，所述第一防护层为一种硬质材料；第二防护层，设置于所述第一防护层的外侧，并且包覆所述第一防护层。作为上述技术方案的优选，所述第二防护层为软性非金属材料。作为上述技术方案的优选，所述铂电阻芯片为薄膜铂电阻芯片。作为上述技术方案的优选，所述铂电阻温度传感器还包括防护套管，如不锈钢金属和非金属套管等，所述防护套管套设于所述第二防护层外。作为上述技术方案的优选，所述第一防护层和第二防护层为绝缘材料层。作为上述技术方案的优选，所述铂电阻温度传感器还包括铂电阻引脚引线，所述铂电阻引脚与所述铂电阻芯片电性连接，所述第一防护层包覆所述铂电阻引脚与所述铂电阻芯片的连接端。作为上述技术方案的优选，所述铂电阻引脚延伸至所述第一防护层的外部，所述第二防护层包覆位于第一防护层外部的铂电阻引脚和导线。作为上述技术方案的优选，所述铂电阻温度传感器还包括导线，所述导线与所述铂电阻引脚连接，所述第二防护层包覆所述导线与所述铂电阻引脚的连接部分。作为上述技术方案的优选，所述防护套管为金属管套或非金属管套。本专利技术另一方面提供了一种保持薄膜铂电阻阻值精度不变的热塑封的防水封装工艺方法，所述方法包括的具体步骤为：(1)配比第一包裹材料浆料；(2)将薄膜铂电阻芯片浸入所述浆料中使得铂电阻芯片表面包覆第一包裹材料浆料；(3)将铂电阻芯片取出，将包覆于铂电阻芯片表面的第一包裹材料浆料在常温下固化形成第一防护层；(4)将包覆有第一防护层的铂电阻芯片进行加热、保温、冷却处理；(5)在第一包裹材料的外部、引脚外部以及导线外部包覆保护材料，将保护材料加热熔化，冷却之后在第一包裹材料外部、引脚外部以及导线外部形成第二防护层。本专利技术提供一种保持薄膜铂电阻阻值精度不变的温度传感器及其封装工艺，其在铂电阻芯片外设置有第一防护层，并且在第一防护层外侧设置第二防护层，同时第一防护层采用硬质材料，设置第一防护层和第二防护层可以更好的对铂电阻芯片起到保护作用，具有更好的防潮效果，另外，第一防护层采用硬质材料可以消除第二防护层所带来的应力，抵抗外部包裹材料产品的压力，使芯片不受力，因此本专利技术的一种铂电阻温度传感器具有更可靠的性能。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本专利技术的具体实施方式。附图说明图1示出了本专利技术实施例一种铂电阻温度传感器的结构示意图；图2示出了本专利技术实施例一一种铂电阻温度传感器的结构示意图；图3示出了本专利技术实施例二一种铂电阻温度传感器的结构示意图；图4示出了本专利技术实施例第一防护层的封装结构示意图；图5示出了本专利技术实施例第二防护层的封装结构示意图。附图标记说明：1、铂电阻芯片；2、第一防护层；3、铂电阻引脚；4、第二防护层；5、导线。具体实施方式为使本专利技术的目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而非全部实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。参见图1至图5，本专利技术实施例提供了一种铂电阻温度传感器，包括：铂电阻芯片1，用于准确获得温度的物理变量并将所述物理变量转化为电信号；第一防护层2，设置于铂电阻芯片1的外侧，并包覆铂电阻芯片1，第一防护层2为硬质材料；第二防护层4，设置于第一防护层2的外侧，并且包覆第一防护层2。本专利技术实施例提供一种铂电阻温度传感器，其在铂电阻芯片1外设置有第一防护层2，并且在第一防护层2外侧设置第二防护层4，同时第一防护层2采用硬质材料，设置第一防护层2和第二防护层4可以更好的对铂电阻芯片1起到保护作用，具有更好的防潮效果，另外，第一防护层2采用硬质材料可以消除第二防护层4所带来的应力，抵抗外部包裹材料产品的压力，使铂电阻芯片1不受力，保证陶瓷薄膜铂电阻的封装过程中，阻值精度保持不变，因此本专利技术的一种铂电阻温度传感器具有更可靠的性能。在本实施例的进一步可实施方式中，第二防护层4为铁氟龙等材料。本实施例中的第二防护层4为铁氟龙等材料可以对铂电阻芯片1起到更好的保护作用，可以防止外部的作用力作用于铂电阻芯片1，也可以防止外部的潮气和杂质对铂电阻芯片1污染和腐蚀和作用。在本实施例的进一步可实施方式中，第二防护层4可以和导线绝缘层结合精密，防止潮气和杂质从该结合部进入，对铂电阻芯片污染腐蚀，从而起到保护作用，延长产品的使用寿命和保持高性能稳定不变。具体的，本专利技术中导线为单股导线、多股导线、单芯导线、多芯导线、护套线，其导体为铜丝、镀锡铜丝、镀镍铜丝、镀银铜丝，导体的截面积为0～2平方毫米，导线的绝缘层为PTFE、FEP、PFA、ETFE、PVDF等各型号氟塑料和PVC、PE、TPE、TPU等绝缘材料。但本专利技术不排除其他能达到相同效果的材料，均落入本专利技术的保护范围中。在本实施例的进一步可实施方式中，铂电阻芯片1为陶瓷薄膜铂电阻芯片。本实施例中的铂电阻芯片1为陶瓷薄膜铂电阻芯片可以提高温度传感器的灵敏度和阻值精度，而且其更加稳定，进一步可提高温度传感器的使用性能，提高温度传感器的测试温度的准确度。在本实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铂电阻温度传感器，其特征在于，包括：/n铂电阻芯片，用于获得温度的物理变量并将所述物理变量转化为电信号；/n第一防护层，设置于所述铂电阻芯片的外侧，并包覆所述铂电阻芯片，所述第一防护层为硬质材料；/n第二防护层，设置于所述第一防护层的外侧，并且包覆所述第一防护层。/n

【技术特征摘要】
1.一种铂电阻温度传感器，其特征在于，包括：
铂电阻芯片，用于获得温度的物理变量并将所述物理变量转化为电信号；
第一防护层，设置于所述铂电阻芯片的外侧，并包覆所述铂电阻芯片，所述第一防护层为硬质材料；
第二防护层，设置于所述第一防护层的外侧，并且包覆所述第一防护层。


2.根据权利要求1所述的铂电阻温度传感器，其特征在于，所述第二防护层为软性非金属材料。


3.根据权利要求1所述的铂电阻温度传感器，其特征在于，所述铂电阻芯片为薄膜铂电阻芯片。


4.根据权利要求1所述的铂电阻温度传感器，其特征在于，所述铂电阻温度传感器还包括防护套管，所述防护套管套设于所述第二防护层外。


5.根据权利要求1所述的铂电阻温度传感器，其特征在于，所述第一防护层和第二防护层为绝缘材料层。


6.根据权利要求1所述的铂电阻温度传感器，其特征在于，所述铂电阻温度传感器还包括铂电阻引脚，所述铂电阻引脚与所述铂电阻芯片连接，所述第一防护层包覆所述铂电阻引脚与所述铂电阻芯片的连接端。


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【专利技术属性】
技术研发人员：杨承盛，
申请(专利权)人：宁波三汇传感器有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33