基板处理装置、半导体装置的制造方法和程序制造方法及图纸

具有容纳基板的处理室、将含有与金属反应的化合物的处理气体供给至处理室内的气体供给系统和对处理室内的气氛进行排气的气体排气系统；气体排气系统具有与处理室连通的共通排气配管、一端经由第一阀门与共通排气配管连接且由不与所述化合物反应的树脂构成的第一排气配管、一端经由第二阀门与共通排气配管连接且由金属构成的第二排气配管、与所述第一排气配管连接的第一排气装置和与所述第二排气配管连接的第二排气装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置、半导体装置的制造方法和程序
本专利技术涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法和程序。
技术介绍
作为半导体装置的制造工序的一个工序，有时进行包括以下工序的基板处理：将含有过氧化氢(H2O2)的液体原料气化而生成气化气体的工序和对处理室内的基板供给该气化气体的工序(例如，参照专利文献1、2)。现有技术文献专利文献专利文献1:国际公开第2014/069826号专利文献2:国际公开第2013/070343号
技术实现思路
专利技术要解决的课题在使用包含H2O2等具有与金属高反应性的化合物的气体作为处理气体时，如果经由由金属构成的排气配管对处理气体进行排气，则有时金属与化合物反应而腐蚀排气配管，或者与化合物反应后的金属成分附着在处理室内的基板上而产生金属污染。另一方面，如果使用由与这样的化合物的反应性低的树脂等材料构成的排气配管，有时无法确保在提高排气的真空度(降低排气管内的压力)时所要求的排气配管的耐压性能、耐气体透过性能。本专利技术的目的在于提供即使在使用含有具有与金属高反应性的化合物的气体来作为处理气体时，也能够在大范围的压力区域内实现排气的技术。解决课题的方法根据本专利技术的一个方案，提供一种技术，具有容纳基板的处理室、将含有与金属反应的化合物的处理气体供给至上述处理室内的气体供给系统和对上述处理室内的气氛进行排气的气体排气系统；上述气体排气系统具有与上述处理室连通的共通排气配管、一端经由第一阀门与上述共通排气配管连接且由不与上述化合物反应的树脂构成的第一排气配管、一端经由第二阀门与上述共通排气配管连接且由金属构成的第二排气配管、与上述第一排气配管连接的第一排气装置和与上述第二排气配管连接的第二排气装置。专利技术效果根据本专利技术，即使在使用含有具有与金属高反应性的化合物的气体作为处理气体时，也能够在大范围的压力区域实现排气。附图说明[图1]是本专利技术的一个实施方式中适合使用的基板处理装置的纵型处理炉的概略构成图，是以纵截面图显示处理炉部分的图。[图2]是本专利技术的一个实施方式中适合使用的基板处理装置的控制器的概略构成图，是以框图显示控制器的控制系统的图。[图3]是显示事前处理工序的一例的流程图。[图4]是显示在事前处理工序后实施的基板处理工序的一例的流程图。具体实施方式＜本专利技术的一个实施方式＞以下，对于本专利技术的一个实施方式，使用图1～图4进行说明。(1)基板处理装置的构成如图1所示，处理炉202具有反应管203。反应管203例如由石英(SiO2)等耐热性材料构成，作为上端具有气体供给料斗203p，下端具有炉口(开口)的圆筒部件而构成。在反应管203的筒中空部形成处理室201。处理室201构成为能够容纳多枚作为基板的晶圆200。在反应管203的下方设置有作为盖部的密封帽219，其能使反应管203的下端开口气密地闭塞。密封帽219例如由石英等非金属材料构成，形成为圆盘状。在密封帽219的上表面设置有作为与反应管203的下端抵接的密封构件的O型圈220。在密封帽219的下方设置有旋转机构267。旋转机构267的旋转轴255贯通密封帽219而与晶圆盒217连接。旋转机构267构成为通过使晶圆盒217旋转而使晶圆200旋转。在旋转轴255上设置的旋转轴255的轴承部219s作为磁密封部件等流体密封部件来构成。密封帽219构成为通过在反应管203外部设置的作为升降机构的晶圆盒升降机115而在垂直方向上升降。晶圆盒升降机115构成为通过使密封帽219升降而将晶圆200搬入处理室201内和搬出处理室201外(搬送)的搬送机构。作为基板支撑件的晶圆盒217构成为能够将多枚(例如25～200枚)晶圆200以水平姿态且相互中心对齐的状态在垂直方向上整列地多级支撑，即，隔着间隔而排列。晶圆盒217例如由石英等耐热材料构成，上下具有顶板217a、底板217b。在晶圆盒217的下部，以水平姿态被多级支撑的隔热体218例如由石英等耐热性材料构成，构成为抑制晶圆容纳区域与炉口附近区域之间的热传导。也可以将隔热体218认为是晶圆盒217的构成部件的一部分。在反应管203的外侧，设置有作为加热部的加热器207。加热器207围绕处理室201内的晶圆容纳区域垂直安装。加热器207除了将在晶圆容纳区域容纳的晶圆200加热至预定温度之外，还作为向供给至处理室201内的气体赋予热能来抑制其液化的液化抑制机构来发挥作用，或作为利用热使该气体活性化的激发机构来发挥作用。在处理室201内，沿着反应管203的内壁设置有作为温度检测部的温度传感器263。基于由温度传感器263检测的温度信息，调整加热器207的输出。在反应管203的上端设置的气体供给料斗203p与气体供给管232a连接。气体供给管232a中，从上游侧开始依次设置有气体发生器250a、作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)241a和作为开关阀的阀门243a。作为气化器的气体发生器250a构成为将作为液体原料的过氧化氢水在例如大约大气压下加热到120～200℃的范围内的预定温度(气化温度)等，通过使之气化或雾化来产生处理气体。这里所说的过氧化氢水，是指将常温下为液体的过氧化氢(H2O2)溶解于作为溶剂的水(H2O)中而得到的水溶液。在将过氧化氢水气化而得到的气体中，分别以预定浓度含有H2O2和H2O。以下，将这种气体也称为含H2O2气体。处理气体中所含的H2O2是活性氧的一种，不稳定，易于放出氧(O)，生成具有非常强氧化力的羟基自由基(OH自由基)。因此，含H2O2气体在后述的基板处理工序中作为强力氧化剂(O源)而发挥作用。需说明的是，本说明书中的“120～200℃”这样的数值范围的表述是指下限值和上限值包括在该范围中。因此，例如，“120～200℃”意味着“120℃以上200℃以下”。其它数值范围也是同样。在气体供给管232a的比阀门243a更下游侧，比由加热器207加热的部分更上游侧，与供给载流气体(稀释用气体)的气体供给管232b连接。气体供给管232b中，从上游侧开始依次设置有MFC241b和阀门243b。作为载流气体，可以使用氧(O2)气体等不含有H2O2的含O气体、氮(N2)气体、惰性气体等非活性气体或这些的混合气体。需说明的是，本实施方式中，在将过氧化氢水气化或雾化时，通过将气化用载流气体和过氧化氢水一起供给至气体发生器250a，来使过氧化氢水雾化(Atomizing，雾化)。气化用载流气体的流量例如是过氧化氢水的流量的100～500倍左右。作为气化用载流气体，可以使用与上述载流气体(稀释用气体)同样的气体。在使用气化用载流气体、载流气体(稀释用气体)时，也可以考虑将气化用载流气体、载流气体(稀释用气体)分别纳入到上述“处理气体”、“含H2O2气体”中。处理气体供给系统主要由气体供给管232a、MFC241a、阀门243a构成。此外，载流气体(稀释用气体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，具有：/n容纳基板的处理室，/n气体供给系统，其将含有与金属反应的化合物的处理气体供给至所述处理室内，和/n气体排气系统，其对所述处理室内的气氛进行排气；/n所述气体排气系统具有：/n与所述处理室连通的共通排气配管，/n第一排气配管，其一端经由第一阀门与所述共通排气配管连接，且由不与所述化合物反应的树脂构成，/n第二排气配管，其一端经由第二阀门与所述共通排气配管连接，且由金属构成，/n与所述第一排气配管连接的第一排气装置，和/n与所述第二排气配管连接的第二排气装置。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置，具有：
容纳基板的处理室，
气体供给系统，其将含有与金属反应的化合物的处理气体供给至所述处理室内，和
气体排气系统，其对所述处理室内的气氛进行排气；
所述气体排气系统具有：
与所述处理室连通的共通排气配管，
第一排气配管，其一端经由第一阀门与所述共通排气配管连接，且由不与所述化合物反应的树脂构成，
第二排气配管，其一端经由第二阀门与所述共通排气配管连接，且由金属构成，
与所述第一排气配管连接的第一排气装置，和
与所述第二排气配管连接的第二排气装置。


2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述共通排气配管是配管内表面被实施了表面处理而不与所述化合物反应的金属配管。


3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述第一排气装置构成为将所述第一排气配管内进行排气直至预定的第一压力区域的压力为止，
所述第二排气装置构成为将所述第二排气配管内进行排气直至比所述第一压力区域低的第二压力区域的压力为止。


4.如权利要求1～3任一项所述的基板处理装置，其中，
所述第一排气装置由不与所述化合物反应的树脂部件构成。


5.如权利要求1～4任一项所述的基板处理装置，具有：
第一压力传感器，其在第一压力区域的范围内测定所述共通排气配管内的压力，
第二压力传感器，其在所述第一压力区域和比所述第一压力区域低的第二压力区域的范围内测定所述共通排气配管内的压力，
第一压力调整阀，其设置在所述第一排气配管上的比所述第一排气装置更上游侧，其开度基于所述第一压力传感器测定的压力来控制，和
第二压力调整阀，其设置在所述第二排气配管上的比所述第二排气装置更上游侧，其开度基于所述第二压力传感器测定的压力来控制。


6.如权利要求5所述的基板处理装置，其中，
由所述第一压力传感器测定的压力的范围比由所述第二压力传感器测定的压力的范围窄。


7.如权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述第一压力传感器构成为仅测定600Torr～大气压的范围的压力，
所述第二压力传感器构成为测定0Torr～大气压的范围的压力。


8.如权利要求1～4任一项所述的基板处理装置，具有：设置在所述第二排气配管上的比所述第二排气装置更上游侧的第二压力调整阀，
所述第二排气配管中，所述第二压力调整阀与所述第二排气装置之间由金属配管构成。


9.如权利要求8所述的基板处理装置，其中，
所述第二排气配管中，在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：稻田哲明，立野秀人，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP