【技术实现步骤摘要】
一种低压低漏流高效保护芯片制造工艺
本专利技术涉及芯片
,具体为一种低压低漏流高效保护芯片制造工艺。
技术介绍
芯片,又称微电路、微芯片或集成电路。芯片是指内含集成电路的硅片,体积很小,常常是计算机或其他电子设备的一部分。晶体管专利技术并大量生产之后,各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用,取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步,使得集成电路成为可能。相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件,集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片,是一个巨大的进步。集成电路的规模生产能力,可靠性,电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化IC代替了设计使用离散晶体管。现有的芯片在使用过程中,低压电路容易受到外部干扰,影响低压电路运行的稳定性,以及低压电路产生漏电现象,影响芯片的抗干扰的性能的缺点。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本专利技术提供了一种低压低漏流高效保护芯片制造工艺,解决了上述
技术介绍
中提出现有的芯片在使用过程中,低压电路容易受到外部干扰,影响低压电路运行的稳定性,以及低压电路产生漏电现象,影响芯片的抗干扰的性能的问题。为实现以上目的,本专利技术通过以下技术方案予以实现:一种低压低漏流高效保护芯片制造工艺,所述包括以下步骤:S1、扩散前处理;S2、氧化;S3、光刻;S4、双面开管磷沉积;S5、开管扩磷;S6、蚀刻沟槽;S7、电泳钝化;S8、完成芯片制造。可选的 ...
【技术保护点】
1.一种低压低漏流高效保护芯片制造工艺,其特征在于,所述包括以下步骤:/nS1、扩散前处理;/nS2、氧化;/nS3、光刻;/nS4、双面开管磷沉积;/nS5、开管扩磷;/nS6、蚀刻沟槽;/nS7、电泳钝化;/nS8、完成芯片制造。/n
【技术特征摘要】
1.一种低压低漏流高效保护芯片制造工艺,其特征在于,所述包括以下步骤:
S1、扩散前处理;
S2、氧化;
S3、光刻;
S4、双面开管磷沉积;
S5、开管扩磷;
S6、蚀刻沟槽;
S7、电泳钝化;
S8、完成芯片制造。
2.根据权利要求1所述的一种低压低漏流高效保护芯片制造工艺,其特征在于:所述步骤S1、扩散前处理中,采用P型单晶硅片,通过酸、晟驰2#清洗等工序,对硅片表面进行化学处理。
3.根据权利要求1所述的一种低压低漏流高效保护芯片制造工艺,其特征在于:所述步骤S2、氧化中,把经过扩散前处理的硅片在1100~1200℃的氧化炉中长一层氧化层。
4.根据权利要求1所述的一种低压低漏流高效保护芯片制造工艺,其特征在于:所述步骤S3、光刻中,把氧化后的硅片进行涂胶、曝光、显影、去氧化层等工序,双向在双面刻出一次扩散图形。
5.根据权利要求1所述的一种低压低漏流高效保护芯片制造工艺,其特征在于:所述步...
【专利技术属性】
技术研发人员:崔文荣,
申请(专利权)人:江苏晟驰微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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