一种具有电池欠压保护的LED驱动电路制造技术

技术编号:26152794 阅读:62 留言:0更新日期:2020-10-31 11:55
本实用新型专利技术公开了一种具有电池欠压保护的LED驱动电路,包括PMOS管、开关管、启动电路和保持电路;PMOS管的源极和LED驱动电路的电源正极连接,PMOS管的漏极和LED灯组连接,PMOS管的源极和栅极之间通过第一电阻连接;启动电路用于在上电初期产生一个脉冲信号,控制开关管导通,从而使PMOS管导通;保持电路用于在PMOS管的漏级电压大于阈值电压时保持PMOS管处于导通状态;并在PMOS管的漏级电压低于电压阈值时保持PMOS管处于截止状态。本实用新型专利技术通过少量的分立器件构建的启动电路和保持电路,使得LED驱动电路在电压过低时关断,提供低电压保护,防止电池过度放电,缩短使用寿命,并且在LED负载短路时,自动断开驱动电路,保证设备的使用安全。

【技术实现步骤摘要】
一种具有电池欠压保护的LED驱动电路
本技术涉及LED驱动领域,尤其涉及一种具有电池欠压保护的LED驱动电路。
技术介绍
在现有的便携式的LED照明装置中,常采用锂电池等充电电池供电,锂电池的过度放电或者电压过低都会导致锂离子电池彻底失效,影响整个LED照明装置的寿命。因此在现有技术中,通常采用专用的低压检测芯片和/或短路保护线路,以实现对锂电池过度放电的保护,断开LED的驱动。但在价格敏感的采用电池供电的便携式LED照明装置产品中,在保证LED照明装置寿命的同时,有进一步的降低成本的需求。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种低成本的具有电池欠压保护的LED驱动电路,不要专用的低压检测芯片或短路保护线路,即能实现对电池过放的保护。为实现上述目的,本技术提供了一种具有电池欠压保护的LED驱动电路,包括PMOS管、开关管、启动电路和保持电路;所述PMOS管的源极和所述LED驱动电路的电源正极连接,所述PMOS管的漏极和LED灯组的正极连接,LED灯组的负极接地,所述PMOS管的源极和栅极之间通过第一电阻连接;所述开关管的集电极通过第二电阻和所述PMOS管的栅极连接,所述开关管的发射极接地,所述开关管的基极通过第三电阻接地,当所述开关管导通时,所述PMOS管处于导通状态;所述启动电路的输出和所述开关管的基极连接,所述启动电路用于在上电初期产生一个脉冲信号,使得所述开关管导通;所述保持电路用于将PMOS管的漏极电压反馈回所述开关管的基极,当PMOS管的漏极电压大于阈值电压时保持所述开关管处于导通状态;并在PMOS管的漏极电压低于电压阈值时使所述开关管处于截止状态;所述开关管为NPN三极管。进一步的,所述启动电路包括电容、第一二极管、第四电阻和开关管,所述电容的正极和所述LED驱动电路的电源正极连接,所述电容的负极通过第四电阻接地,同时所述电容的负极连接到第一二极管的正极;所述第一二极管的负极和开关管的基极连接;所述开关管的发射极接地,所述开关管的集电极和所述PMOS管的栅极连接。进一步的,所述保持电路包括稳压二极管和第五电阻,所述稳压二极管的负极和所述PMOS管的漏极连接,所述稳压二极管的正极通过第五电阻连接到所述开关管的基极。进一步的,还包括双极多位开关,所述双极多位开关用于同时选通或切断所述电源正极和所述电容正极之间、及所述PMOS管的栅极和所述开关管的集电极之间的连接;所述PMOS管的栅极和所述双极多位开关之间连接不同阻值的第二电阻,仅有一个第二电阻被选通。本技术实现了如下技术效果:本技术通过少量的分立器件构建的启动电路和保持电路,使得LED驱动电路在电池输出电压过低时关断,从而提供低电压保护,防止电池过度放电,缩短使用寿命。并且在LED负载短路时,自动断开驱动电路,使PMOS管不被烧毁,保证设备的使用安全。附图说明图1是本技术的一个较佳实施例的电路图。具体实施方式为进一步说明各实施例,本技术提供有附图。这些附图为本技术揭露内容的一部分,其主要用以说明实施例,并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理。配合参考这些内容,本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本技术的优点。图中的组件并未按比例绘制,而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。现结合附图和具体实施方式对本技术进一步说明。如图1所示,本技术公开了一种具有电池欠压保护的LED驱动电路,包括PMOS管Q1、三极管Q2、启动电路和保持电路,电源由电池BATTERY提供,电源通过PMOS管Q1驱动LED灯组LED1,三极管Q2的发射极接地,三极管Q2的集电极通过电阻R3或电阻R4和PMOS管Q1的栅极G连接,三极管Q2的基极通过电阻R2接地。三极管Q2为NPN三极管。当三极管Q2导通时,通过电阻R6和电阻R3的分压,或电阻R6和电阻R4,在电阻R6上产生电压差,当该电压差大于PMOS管Q1的Vgs的绝对值时,PMOS管导通。通过选择或调节电阻R3或R4,可以调节作用于电阻R6上的电压,即PMOS管Q1的源极S和栅极G之间的电压差,该电压差控制PMOS管输出的电流大小,从而调节LED灯组的照明亮度。在本实施例中,设置了双极三位开关,该开关同时作为电源开关和档位开关,拨动开关,可以选择关断状态、第一导通状态或第二导通状态。在关断状态,断开启动电路,及断开三极管Q2的集电极和PMOS管Q1的栅极G的连接,从而关断PMOS管;当切换到第一导通状态时,连接启动电路,并使三极管Q2的集电极通过电阻R3和PMOS管Q1的栅极G连接;当切换到第二导通状态时,连接启动电路,并使三极管Q2的集电极通过电阻R4和PMOS管Q1的栅极G连接。启动电路包括电容C1、二极管D1和电阻R1,电容C1的正极和LED驱动电路的电源正极连接,电容C1的负极通过电阻R1接地,同时电容C1的负极连接到二极管D1的正极;第一二极管D1的负极和三极管Q2的基极连接。电源电压处于正常状态(即电源电压大于阈值电压):在初始上电时,电源通过电容C1、二极管D1,并在NPN三极管Q2的基极上大于NPN三极管Q2的导通电压时,三极管Q2导通,此时电源经电阻R6、电阻R3、三极管Q2到地形成回路,在PMOS管Q1的栅极G和漏极D之间形成电压差,该电压差大于PMOS管Q1导通电压,PMOS管Q1导通,电源通过PMOS管Q1给LED灯组LED1供电。此时,PMOS管Q1的漏极D输出的驱动电压通过稳压二极管ZD、电阻R5反馈到三极管Q2的基极,当PMOS管Q1的漏极D的电压高于稳压二极管ZD的导通电压和三极管Q2的导通电压之和时,维持三极管Q2的导通。由于在初始上电时,电容C1处于充电状态,电容C1的正极电压和电源的正极电压保持一致,电容C1的负极电压降低,使得二极管D1的正极电压小于负极电压,二极管D1处于截止状态。此时启动电路完成触发工作。电源电压处于低电压状态(即电源电压小于阈值电压):当PMOS管的漏极D的电压低于稳压二极管ZD的稳压值和三极管Q2的基极导通电压之和时,作用于三极管Q2基极的电压小于导通电压,三极管Q2截止,此时PMOS管Q1的栅极G没有驱动电流,作用于PMOS管Q1的源极和栅极G之间的电压差小于PMOS管Q1的导通电压,PMOS管Q1截止,LED灯组LED1熄灭,达到低压保护功能。该低压保护功能用于对供电的电池进行低电压保护,防止电池过度放电,缩短使用寿命。同样,如果LED灯组LED1出现短路,使得PMOS管Q1的漏极D的电压低于稳压二极管ZD的稳压值和三极管Q2的基极导通电压之和时,三极管Q2截止,PMOS管Q1截止,LED灯组LED1熄灭,达到短路保护功能。尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本技术,但所属领域的技术人员应该明白,在不脱离所附权利要求书所限定的本技术的精神和范围内,在形式上和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有电池欠压保护的LED驱动电路,其特征在于:包括PMOS管、开关管、启动电路和保持电路;/n所述PMOS管的源极和所述LED驱动电路的电源正极连接,所述PMOS管的漏极和LED灯组的正极连接,LED灯组的负极接地,所述PMOS管的源极和栅极之间通过第一电阻连接;/n所述开关管的集电极通过第二电阻和所述PMOS管的栅极连接,所述开关管的发射极接地,所述开关管的基极通过第三电阻接地,当所述开关管导通时,所述PMOS管处于导通状态;/n所述启动电路的输出和所述开关管的基极连接,所述启动电路用于在上电初期产生一个脉冲信号,使得所述开关管导通;/n所述保持电路用于将PMOS管的漏极电压反馈回所述开关管的基极,当PMOS管的漏极电压大于阈值电压时保持所述开关管处于导通状态;并在PMOS管的漏极电压低于电压阈值时使所述开关管处于截止状态;/n所述开关管为NPN三极管。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有电池欠压保护的LED驱动电路,其特征在于:包括PMOS管、开关管、启动电路和保持电路;
所述PMOS管的源极和所述LED驱动电路的电源正极连接,所述PMOS管的漏极和LED灯组的正极连接,LED灯组的负极接地,所述PMOS管的源极和栅极之间通过第一电阻连接;
所述开关管的集电极通过第二电阻和所述PMOS管的栅极连接,所述开关管的发射极接地,所述开关管的基极通过第三电阻接地,当所述开关管导通时,所述PMOS管处于导通状态;
所述启动电路的输出和所述开关管的基极连接,所述启动电路用于在上电初期产生一个脉冲信号,使得所述开关管导通;
所述保持电路用于将PMOS管的漏极电压反馈回所述开关管的基极,当PMOS管的漏极电压大于阈值电压时保持所述开关管处于导通状态;并在PMOS管的漏极电压低于电压阈值时使所述开关管处于截止状态;
所述开关管为NPN三极管。


2.如权利要求1所述的具有电池欠压保护的LED驱动电路,其特征在于:所述启动电路包括电容、第一二极管、第四电阻,所述电容的正极和所述LE...

【专利技术属性】
技术研发人员:洪剑华戴文礼
申请(专利权)人:漳州和泰电光源科技有限公司
类型:新型
国别省市:福建;35

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