【技术实现步骤摘要】
一种喷嘴高度的微调装置
本技术涉及一种微调装置,尤其涉及一种喷嘴高度的微调装置。
技术介绍
在对晶元喷气镀膜时,需要控制气嘴与晶元之间的距离,以保证晶元的镀膜效果。调节气嘴与晶元之间的距离能够调节晶元与气嘴之间的气体浓度。但是气嘴与晶元之间的距距离不能大幅度调节,否则会产生较大的偏差。
技术实现思路
专利技术目的:为了克服现有技术中存在的不足,本技术提供一种喷嘴高度的微调装置,以实现对气嘴与晶元之间距离的微调。技术方案:为实现上述目的,本技术的一种喷嘴高度的微调装置,包括底座、活塞块和旋钮;所述底座设置有进气通道和出气通道,所述进气通道和出气通道上下交错设置,所述活塞块设置有导气通道,所述导气通道的一端与出气通道相通,所述导气通道的另一端与进气通道相通,所述活塞块与旋钮上下滑动连接,转动旋钮可使活塞块上下移动。进一步地,还包括支撑座;所述支撑座连接于所述底座的上表面,所述底座设置有与进气通道和出气通道相通的下通腔,所述支撑座设置有上通腔,所述上通腔与下通腔相通,所述活塞块滑动连接于所述上通腔和下通腔中。进一步地,所述旋钮旋转连接于所述上通腔的顶部,所述活塞块的顶端通过螺纹与旋钮连接。进一步地,所述活塞块包括本体和连接块,所述连接块与本体固定,所述连接块通过螺纹与旋钮连接。进一步地,所述活塞块的底部设置有第一空腔,所述第一空腔与出气通道相通,所述第一空腔的侧壁上设置有若干进气孔,所述进气孔与所述进气通道相通,所述进气孔与第一空腔连通组成导气通道。进一步 ...
【技术保护点】
1.一种喷嘴高度的微调装置,其特征在于:包括底座(1)、活塞块(2)和旋钮(3);所述底座(1)设置有进气通道(4)和出气通道(5),所述进气通道(4)和出气通道(5)上下交错设置,所述活塞块(2)设置有导气通道,所述导气通道的一端与出气通道(5)相通,所述导气通道的另一端与进气通道(4)相通,所述活塞块(2)与旋钮(3)上下滑动连接,转动旋钮(3)可使活塞块(2)上下移动。/n
【技术特征摘要】
1.一种喷嘴高度的微调装置,其特征在于:包括底座(1)、活塞块(2)和旋钮(3);所述底座(1)设置有进气通道(4)和出气通道(5),所述进气通道(4)和出气通道(5)上下交错设置,所述活塞块(2)设置有导气通道,所述导气通道的一端与出气通道(5)相通,所述导气通道的另一端与进气通道(4)相通,所述活塞块(2)与旋钮(3)上下滑动连接,转动旋钮(3)可使活塞块(2)上下移动。
2.根据权利要求1所述的一种喷嘴高度的微调装置,其特征在于:还包括支撑座(6);所述支撑座(6)连接于所述底座(1)的上表面,所述底座(1)设置有与进气通道(4)和出气通道(5)相通的下通腔(7),所述支撑座(6)设置有上通腔(8),所述上通腔(8)与下通腔(7)相通,所述活塞块(2)滑动连接于所述上通腔(8)和下通腔(7)中。
3.根据权利要求2所述的一种喷嘴高度的微调装置,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕健,
申请(专利权)人:无锡升滕半导体技术有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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