薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本公开提供了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置。所述薄膜晶体管包括：位于衬底一侧的有源层；第一层间电介质层，位于所述有源层远离所述衬底的一侧；源极，贯穿所述第一层间电介质层、且连接到所述有源层；第二层间电介质层，位于所述第一层间电介质层远离所述有源层的一侧、且覆盖所述源极；和漏极，包括第一部分，所述第一部分贯穿所述第二层间电介质层和所述第一层间电介质层、且连接到所述有源层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置
本公开涉及显示
，尤其涉及薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
为了满足高分辨率的显示需求，显示面板的PPI(PixelsPerInch，每英寸所拥有的像素数目)需要越来越高。尤其是基于VR(VirtualReality，虚拟现实)技术的显示产品对分辨率的要求更加苛刻。
技术实现思路
根据本公开实施例的一方面，提供一种薄膜晶体管，包括：位于衬底一侧的有源层；第一层间电介质层，位于所述有源层远离所述衬底的一侧；源极，贯穿所述第一层间电介质层、且连接到所述有源层；第二层间电介质层，位于所述第一层间电介质层远离所述有源层的一侧、且覆盖所述源极；和漏极，包括第一部分，所述第一部分贯穿所述第二层间电介质层和所述第一层间电介质层、且连接到所述有源层。在一些实施例中，所述漏极还包括：与所述第一部分连接的第二部分，位于所述第二层间电介质层远离所述第一层间电介质层的一侧，所述第二部分被配置为与第一电极连接。在一些实施例中，所述漏极的第二部分在所述衬底上的正投影与所述源极在所述衬底上的正投影部分重叠。在一些实施例中，所述漏极的第二部分在所述第二层间电介质层的表面上向朝向所述源极的方向延伸。在一些实施例中，所述有源层具有第一凹陷和第二凹陷中的至少一个，其中：所述源极与所述第一凹陷的底面和侧面接触，所述漏极的第一部分与所述第二凹陷的底面和侧面接触。在一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括位于所述衬底与所述有源层之间的缓冲层，其中，所述源极和所述漏极的第一部分中的至少一个延伸到所述缓冲层中。在一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括：遮光层，位于所述衬底与所述缓冲层之间；其中，所述有源层在所述衬底上的正投影与所述遮光层在所述衬底上的正投影重叠。在一些实施例中，所述薄膜晶体管包括栅极电介质层和栅极，其中：所述栅极电介质层位于所述有源层远离所述衬底的一侧；所述栅极位于所述栅极电介质层远离所述有源层的一侧；所述第一层间电介质层位于所述栅极电介质层远离所述衬底的一侧、且覆盖所述栅极。在一些实施例中，所述有源层的材料包括多晶硅。根据本公开实施例的另一方面，提供一种阵列基板，包括：上述任意一个实施例所述的薄膜晶体管。在一些实施例中，所述阵列基板还包括：平坦化层，位于所述薄膜晶体管的第二层间电介质层远离第一层间电介质层的一侧，所述平坦化层具有延伸到所述薄膜晶体管的漏极的第二部分的开口；和第一电极，至少部分位于所述开口中、且与所述漏极的第二部分接触。在一些实施例中，所述第一电极为像素阳极；所述阵列基板还包括：绝缘层，位于所述第一电极远离所述漏极的第二部分的一侧；和公共电极，位于所述绝缘层远离所述第一电极的一侧。在一些实施例中，所述第一电极为阳极。根据本公开实施例的又一方面，提供一种显示装置，包括：上述任意一个实施例所述的阵列基板。根据本公开实施例的再一方面，提供一种薄膜晶体管的制造方法，包括：形成位于衬底一侧的有源层；形成位于所述有源层远离所述衬底的一侧的第一层间电介质层；形成贯穿所述第一层间电介质层、且连接到所述有源层的源极；形成位于所述第一层间电介质层远离所述有源层的一侧、且覆盖所述源极的第二层间电介质层；和形成漏极，所述漏极包括第一部分，所述第一部分贯穿所述第二层间电介质层和所述第一层间电介质层、且连接到所述有源层。在一些实施例中，形成贯穿所述第一层间电介质层、且连接到所述有源层的源极包括：形成贯穿所述第一层间电介质层的第一开口，所述第一开口使得所述有源层的部分露出；形成至少部分位于所述第一开口中、且与所述有源层接触的所述源极。在一些实施例中，形成漏极包括：形成贯穿所述第二层间电介质层和所述第一层间电介质层的第二开口，所述第二开口使得所述有源层的部分露出；形成所述漏极，其中，所述漏极的第一部分位于所述第二开口中、且与所述有源层接触。在一些实施例中，形成位于所述衬底一侧的有源层包括：形成位于所述衬底的所述一侧的缓冲层；在所述缓冲层远离所述衬底的一侧形成所述有源层；其中，所述源极和所述漏极的第一部分中的至少一个延伸到所述缓冲层中。在一些实施例中，形成位于所述衬底的所述一侧的缓冲层包括：形成位于所述衬底的所述一侧的遮光层；形成位于所述衬底的所述一侧、且覆盖所述遮光层的所述缓冲层；其中，所述有源层在所述衬底上的正投影与所述遮光层在所述衬底上的正投影至少部分重叠。在一些实施例中，所述方法还包括：在形成位于所述衬底一侧的有源层后，在所述有源层远离所述衬底的一侧形成栅极电介质层；在所述栅极电介质层远离所述有源层的一侧形成栅极；其中，所述第一层间电介质层位于所述栅极电介质层远离所述衬底的一侧、且覆盖所述栅极。附图说明构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：图1是根据本公开一个实施例的薄膜晶体管的结构示意图；图2是根据本公开另一个实施例的薄膜晶体管的结构示意图；图3是根据本公开又一个实施例的薄膜晶体管的结构示意图；图4是根据本公开再一个实施例的薄膜晶体管的结构示意图；图5是根据本公开还一个实施例的薄膜晶体管的结构示意图；图6是根据本公开一个实施例的阵列基板的结构示意图；图7是根据本公开另一个实施例的阵列基板的结构示意图；图8是根据本公开一个实施例的薄膜晶体管的制造方法的流程示意图；图9A-图9G示出了根据本公开一些实施例的形成薄膜晶体管的不同阶段得到的结构的截面示意图。应当明白，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。此外，相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。对示例性实施例的描述仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。本公开可以以许多不同的形式实现，不限于这里所述的实施例。提供这些实施例是为了使本公开透彻且完整，并且向本领域技术人员充分表达本公开的范围。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、材料的组分、数字表达式和数值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指在该词前的要素涵盖在该词后列举的要素，并不排除也涵盖其他要素的可能。“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。在本公开中，当描述到特定部件位于第一部件和第二部件之间时，在该特定部件与第一部件或第二部件之间可以存在居间部件，也可以不存在居间部件。当描述到特定部件连接其它部件时，该特定部件可以与所述其它部件直接连接而不具有居间部件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，包括：/n位于衬底一侧的有源层；/n第一层间电介质层，位于所述有源层远离所述衬底的一侧；/n源极，贯穿所述第一层间电介质层、且连接到所述有源层；/n第二层间电介质层，位于所述第一层间电介质层远离所述有源层的一侧、且覆盖所述源极；和/n漏极，包括第一部分，所述第一部分贯穿所述第二层间电介质层和所述第一层间电介质层、且连接到所述有源层。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种薄膜晶体管，包括：
位于衬底一侧的有源层；
第一层间电介质层，位于所述有源层远离所述衬底的一侧；
源极，贯穿所述第一层间电介质层、且连接到所述有源层；
第二层间电介质层，位于所述第一层间电介质层远离所述有源层的一侧、且覆盖所述源极；和
漏极，包括第一部分，所述第一部分贯穿所述第二层间电介质层和所述第一层间电介质层、且连接到所述有源层。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述漏极还包括：
与所述第一部分连接的第二部分，位于所述第二层间电介质层远离所述第一层间电介质层的一侧，所述第二部分被配置为与第一电极连接。


3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述漏极的第二部分在所述衬底上的正投影与所述源极在所述衬底上的正投影部分重叠。


4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述漏极的第二部分在所述第二层间电介质层的表面上向朝向所述源极的方向延伸。


5.根据权利要求1-4任意一项所述的薄膜晶体管，其中，所述有源层具有第一凹陷和第二凹陷中的至少一个，其中：
所述源极与所述第一凹陷的底面和侧面接触，所述漏极的第一部分与所述第二凹陷的底面和侧面接触。


6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管还包括位于所述衬底与所述有源层之间的缓冲层，其中，所述源极和所述漏极的第一部分中的至少一个延伸到所述缓冲层中。


7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，还包括：
遮光层，位于所述衬底与所述缓冲层之间；
其中，所述有源层在所述衬底上的正投影与所述遮光层在所述衬底上的正投影重叠。


8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括栅极电介质层和栅极，其中：
所述栅极电介质层位于所述有源层远离所述衬底的一侧；
所述栅极位于所述栅极电介质层远离所述有源层的一侧；
所述第一层间电介质层位于所述栅极电介质层远离所述衬底的一侧、且覆盖所述栅极。


9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中，所述有源层的材料包括多晶硅。


10.一种阵列基板，包括：
如权利要求1-9任意一项所述的薄膜晶体管。


11.根据权利要求10所述的阵列基板，还包括：
平坦化层，位于所述薄膜晶体管的第二层间电介质层远离第一层间电介质层的一侧，所述平坦化层具有延伸到所述薄膜晶体管的漏极的第二部分的开口；和
第一电极，至少部分位于所述开口中、且与所述漏极的第二部分接触。...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫雷，李峰，方业周，樊君，李磊，孟艳艳，姚磊，薛进进，王成龙，王金锋，候林，郭志轩，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11