长余辉组合物、长余辉元件及波长控制方法技术

本发明专利技术的至少包含第一有机化合物、第二有机化合物及第三有机化合物，且满足下述式(1)的有机长余辉组合物是容易控制发光色的长余辉材料。E

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】长余辉组合物、长余辉元件及波长控制方法
本专利技术涉及一种容易控制发光波长的长余辉组合物及长余辉元件。又，本专利技术也涉及一种长余辉材料的波长控制方法。
技术介绍
长余辉材料是在激发光照射期间蓄积能量，在激发光的照射中断后，也通过所蓄积的能量而发光的发光材料。长余辉材料是用于暗处或夜间发光的时钟的文字盘、标识或引导板等的文字、图形等用途的夜光涂料，最近，在即便不供给电力也可照明的长余辉照明中的利用也不断推进。此种长余辉材料之中，特别是作为发光时间长的长余辉材料，已知有包含Eu、Ce、Tb等稀土类元素的无机盐(例如，参照专利文献1)。[现有技术文献][专利文献]专利文献1：日本专利特开2006-206618号公报
技术实现思路
[专利技术所要解决的问题]然而，包含这些无机盐的长余辉材料(无机长余辉材料)存在包含稀土类元素，需要高温工艺，不溶于溶剂的缺点。因此，本专利技术人等人以提供一种可使用有机材料控制发光波长的长余辉材料是为目的而进行了努力研究。[解决问题的技术手段]进行了努力研究，结果本专利技术人等人发现通过在包含第一有机化合物及第二有机化合物的长余辉材料中添加满足规定条件的第三有机化合物，可控制长余辉发光色。本专利技术是基于此种见解而提出，具有以下的构成。[1]一种有机长余辉组合物，至少包含第一有机化合物、第二有机化合物及第三有机化合物，且满足下述式(1)，式(1)ES1(B)－ES1(A)≦0.15eV(上式中，ES1(A)表示包含所述第一有机化合物及所述第二有机化合物的发光的最低激发单重态能级，ES1(B)表示所述第三有机化合物的最低激发单重态能级；ES1(A)与ES1(B)的单位为eV)。[2]根据[1]所述的长余辉组合物，满足下述式(2)，式(2)0eV＜ES1(B)－ES1(A)≦0.15eV。[3]根据[1]所述的长余辉组合物，满足下述式(3)，式(3)ES1(B)－ES1(A)＜0eV。[4]根据[1]至[3]中任一项所述的长余辉组合物，其中包含所述第一有机化合物及所述第二有机化合物的组合物为长余辉材料。[5]根据[1]至[4]中任一项所述的长余辉组合物，其中通过对所述长余辉组合物的光照射，而使所述第一有机化合物与所述第二有机化合物形成激基复合物。[6]根据[1]至[5]中任一项所述的长余辉组合物，其中所述第一有机化合物为电子给体，所述第二有机化合物为电子受体。[7]根据[1]至[6]中任一项所述的长余辉组合物，其中所述第三有机化合物形成凝聚体。[8]根据[7]所述的长余辉组合物，其中所述凝聚体为准分子。[9]根据[1]至[8]中任一项所述的长余辉组合物，其中所述第三有机化合物为荧光材料。[10]一种长余辉元件，在支持体上具有根据[1]至[9]中任一项所述的长余辉组合物。[11]一种波长控制方法，是控制包含第一有机化合物及第二有机化合物的长余辉材料的发光波长的方法，其特征在于，在所述长余辉材料中添加满足下述式(1)的第三有机化合物，式(1)ES1(B)－ES1(A)≦0.15eV(上式中，ES1(A)表示包含所述第一有机化合物及所述第二有机化合物的发光的最低激发单重态能级，ES1(B)表示所述第三有机化合物的最低激发单重态能级；ES1(A)与ES1(B)的单位为eV)。[12]根据[11]所述的波长控制方法，其中所述第三有机化合物满足下述式(2)，式(2)0eV＜ES1(B)－ES1(A)≦0.15eV。[13]根据[12]所述的波长控制方法，其中通过添加所述第三化合物，而将长余辉材料的发光波长控制在短波长侧。[14]根据[11]所述的波长控制方法，其中所述第三有机化合物满足下述式(3)，式(3)ES1(B)－ES1(A)＜0eV。[15]根据[14]所述的波长控制方法，其中通过添加所述第三化合物，而将长余辉材料的发光波长控制在长波长侧。[专利技术的效果]根据本专利技术，可容易地控制长余辉材料的发光波长。又，可将现有的无机长余辉材料难以实现的红色光以较高的色纯度进行发光，又，也可实现白色光。附图说明图1是表示本专利技术的长余辉组合物的发光机制的示意图。图2是表示TMB/PPT膜的余辉光谱及余辉持续时间特性的图表。图3是表示m-MTDATA/PPT膜的余辉光谱及余辉持续时间特性的图表。图4是表示CV/PPT膜的余辉光谱及余辉持续时间特性的图表。图5是表示TMB/PPT/TTPA膜、TMB/PPT/TBRb膜、TMB/PPT/TBRb膜的余辉持续时间特性的图表。图6是TMB/PPT/TTPA膜、TMB/PPT/TBRb膜、TMB/PPT/TBRb膜、TMB/PPT/TBPe膜的余辉光谱。图7是TMB/PPT/TTPA膜、TMB/PPT膜、及TTPA甲苯溶液的发光光谱、以及TTPA甲苯溶液的光吸收光谱。图8是表示TMB/PPT/TTPA膜、TMB/PPT膜、及含有TTP与TTPA的膜的余辉持续时间特性的图表。图9是TMB/PPT/TBRb膜、TMB/PPT膜、及TBRb甲苯溶液的发光光谱、以及TBRb甲苯溶液的光吸收光谱。图10是表示TMB/PPT/TBRb膜、TMB/PPT膜的余辉持续时间特性的图表。图11是TMB/PPT/DCM2膜、TMB/PPT膜、及DCM2甲苯溶液的发光光谱、以及DCM2甲苯溶液光吸收光谱。图12是表示TMB/PPT/DCM2膜、TMB/PPT膜、及PPT/DCM2膜的余辉持续时间特性的图表。图13是TMB/PPT/TBPe/DBP膜的发光光谱。图14是表示TMB/PPT/TBPe/DBP膜的余辉持续时间特性的图表。具体实施方式以下，对本专利技术的内容进行详细说明。以下所记载的构成要件的说明存在基于本专利技术的代表性的实施形态或具体例而进行的情况，但本专利技术并不限定于此种实施形态或具体例。再者，在本说明书中使用“～”所表示的数值范围意指包含“～”的前后所记载的数值作为下限值及上限值的范围。又，本专利技术中所使用的化合物的分子内所存在的氢原子的同位素种类并无特别限定，例如分子内的氢原子可全部为1H，也可一部分或全部为2H(氘D)。本说明书中的“室温”意指20℃。本说明书中的“激发光”是激发测定对象物产生发光的光，可使用与所述测定对象物的吸收波长一致的波长的光。本说明书中的“拉电子基”意指哈密特(Hammett)的σp值为正的取代基，“推电子基”意指哈密特的σp值为负的取代基。对于关于哈密特的σp值的说明及各取代基的数值，可参照汉斯,C等人(Hansch,C.et.al.,)的《化学评论(Chem.ReV.)》,91,165–195(1991)中的关于σp值的记载。[长余辉组合物]本专利技术的长余辉组本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机长余辉组合物，至少包含第一有机化合物、第二有机化合物及第三有机化合物，且满足下述式(1)，/n式(1) E

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170809 JP 2017-154500;20171002 JP 2017-192677;201.一种有机长余辉组合物，至少包含第一有机化合物、第二有机化合物及第三有机化合物，且满足下述式(1)，
式(1)ES1(B)－ES1(A)≦0.15eV
(上式中，ES1(A)表示包含所述第一有机化合物及所述第二有机化合物的发光的最低激发单重态能级，ES1(B)表示所述第三有机化合物的最低激发单重态能级；ES1(A)与ES1(B)的单位为eV)。


2.根据权利要求1所述的长余辉组合物，满足下述式(2)，
式(2)0eV＜ES1(B)－ES1(A)≦0.15eV。


3.根据权利要求1所述的长余辉组合物，满足下述式(3)，
式(3)ES1(B)－ES1(A)＜0eV。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的长余辉组合物，其中包含所述第一有机化合物及所述第二有机化合物的组合物为长余辉材料。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的长余辉组合物，其中通过对所述长余辉组合物的光照射，而使所述第一有机化合物与所述第二有机化合物形成激基复合物。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的长余辉组合物，其中所述第一有机化合物为电子给体，所述第二有机化合物为电子受体。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的长余辉组合物，其中所述第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：嘉部量太，阵内和哉，安达千波矢，
申请(专利权)人：学校法人冲绳科学技术大学院大学学园，
类型：发明
国别省市：日本;JP