一种太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：提供入光面、背光面已沉积好导电膜层和种子层的硅片；在所述硅片的入光面和背光面分别涂布上光刻胶；对涂布光刻胶后的硅片进行烘烤固化；对烘烤固化后的硅片进行化学药液浸泡；对绝缘处理后的硅片进行图形转移及金属电极沉积。本发明专利技术可以实现在导电薄膜沉积过程中不再需要使用到压框，硅片的双面可以整面溅射导电膜层，可以实现非常好的边缘绝缘效果，利用化学溶液浸泡腐蚀的方式取代在电池片边缘印刷蚀刻膏的方式，不仅可以彻底绝缘，而且能减少印刷过程对电池的机械损伤，有利于生产制程良率的提高与电池片品质的提升，设备成熟度高，非常有利于大规模自动化生产。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池的制备方法
本专利技术涉及领域，尤其涉及一种太阳能电池的制备方法。
技术介绍
在电池片的制作过程中，容易使电池片P面与N面导通，使得电池片出现短路的现象，直接影响到组件的性能。为避免绕镀引起的电池片短路，很多公司采用沉积前涂保护漆、沉积时对电池片边缘压框或者沉积后在电池片边缘印刷蚀刻膏进行绝缘，这样会使制作工艺复杂化，无形中增加电池片的制作成本，且容易造成破片、破角等不良。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提供了一种太阳能电池的制备方法。为解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是：一种太阳能电池的制备方法，所述方法包括以下步骤：提供入光面、背光面已沉积好导电膜层和种子层的硅片；在硅片的入光面和背光面分别涂布上光刻胶；对涂布光刻胶后的硅片进行烘烤固化；对烘烤固化后的硅片进行化学药液浸泡，去除硅片背光面边缘及侧面的导电膜层和种子层，实现电池N、P面绝缘；对绝缘处理后的硅片进行图形转移及金属电极沉积。优选的，所述硅片入光面为N面时，所述背光面则为P面，所述入光面为P面时，所述背光面则为N面。优选的，所述硅片的导电膜层为包括透明导电氧化物层TCO层，厚度为50～200nm，所述种子层为Ag、Cu、AL等中至少一种，厚度为50～150nm。优选的，所述光刻胶的涂布采用丝网印刷、移印、打印、喷涂等方式中的一种形成，光刻胶涂布厚度10-30um。优选的，所述光刻胶为抗电镀、耐酸性的感光正型或负型材料，硅片背光面的光刻胶距离硅片四周有0.5-1mm的间隙，入光面的光刻胶可全面积覆盖。优选的，所述光刻胶进行烘烤处理的温度为70～120摄氏度，时间为5～30min。优选的，所述化学药液为ITO蚀刻液、HNO3溶液或HCL溶液等中至少一种，浸泡蚀刻时间为1-5min。优选的，所述图像转移采用曝光、显像的方式，所述沉积的金属栅线为Ag、Cu、AL、Ni、Sn其中一种或其合金。由上述对本专利技术结构的描述可知，和现有技术相比，本专利技术具有如下优点：1、本专利技术可以实现在导电薄膜沉积过程中不再需要使用到压框，硅片的双面可以整面溅射导电膜层，有利于沉积导电膜层的大规模自动化生产。2、本专利技术可以实现非常好的边缘绝缘效果，利用化学溶液浸泡腐蚀的方式取代在电池片边缘印刷蚀刻膏的方式，不仅可以彻底绝缘，而且能减少印刷过程对电池的机械损伤，有利于生产制程良率的提高与电池片品质的提升，设备成熟度高，非常有利于大规模自动化生产。附图说明构成本申请的一部分的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1为本专利技术一种太阳能电池的制备方法的流程图；图2为本专利技术实施例中国沉积导电膜层和种子层后的硅片结构示意图；图3为本专利技术实施例中涂布光刻胶后的硅片结构示意图；图4为本专利技术实施例中经化学药液浸泡腐蚀后的硅片结构示意图；图5为本专利技术实施例中进行图形转移及金属沉积后的电池结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。实施例参考图1-图5，一种太阳能电池的制备方法，所述包括以下步骤：S01，提供入光面和背光面已沉积好导电膜层和种子层的硅片；所述硅片1入光面为N面导电膜层3，种子层5时，所述背光面则为P面导电膜层4，种子层6；所述入光面为P面导电膜层3，种子层5时，所述背光面则为N面导电膜层4，种子层6。所述的导电膜层3、4为透明导电氧化物层TCO层，厚度为50～200nm；所述种子层5、6为Ag、Cu、AL等中至少一种，厚度为50～150nm。如图2所示，硅片1入光面、背光面已沉积导电膜层3、4和种子层5、6，包裹在硅片四周侧面的导电膜层和种子层为2。S02，在硅片的入光面和背光面分别涂布上光刻胶；所述光刻胶7的涂布采用丝网印刷、移印、打印、喷涂等方式形成，光刻胶7涂布厚度10-30um。要求光刻胶7是抗电镀、耐酸性的感光正型或负型材料；涂布时要求背光面的光刻胶7距离硅片四周有0.5-1mm的间隙，入光面的光刻胶7可全面积覆盖，如图3所示。S03，对涂布完光刻胶后的硅片进行烘烤固化；所述光刻胶7进行烘烤处理的温度为70～120摄氏度，时间为5～30min，可在烤箱或在隧道炉内完成。S04，对涂布完光刻胶并烘烤固化后的硅片进行化学药液浸泡蚀刻掉背光面边缘和侧面的导电膜层和种子层；所述化学药液为ITO蚀刻液、HNO3溶液或HCL溶液等，浸泡蚀刻时间为1-5min，直接将电池片表面未覆盖住光刻胶的位置腐蚀至只剩硅片。完成蚀刻后的硅片结构，如图4所示。S05，对完成边缘蚀刻后的硅片进行图形转移及金属栅线沉积；所述图形转移采用曝光、显像的方式；所述沉积的金属栅线8为Ag、Cu、AL、Ni、Sn其中一种或其合金，如图5所示。本专利技术可以实现在导电薄膜沉积过程中不再需要使用到压框，硅片的双面可以整面溅射导电膜层，有利于沉积导电膜层的大规模自动化生产；可以实现非常好的边缘绝缘效果，利用化学溶液浸泡腐蚀的方式取代在电池片边缘印刷蚀刻膏的方式，不仅可以彻底绝缘，而且能减少印刷过程对电池的机械损伤，有利于生产制程良率的提高与电池片品质的提升，设备成熟度高，非常有利于大规模自动化生产。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：/n提供入光面、背光面已沉积好导电膜层和种子层的硅片；/n在硅片的入光面和背光面分别涂布上光刻胶；/n对涂布光刻胶后的硅片进行烘烤固化；/n对烘烤固化后的硅片进行化学药液浸泡，去除硅片背光面边缘及侧面的导电膜层和种子层，实现电池N、P面绝缘；/n对绝缘处理后的硅片进行图形转移及金属电极沉积。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：
提供入光面、背光面已沉积好导电膜层和种子层的硅片；
在硅片的入光面和背光面分别涂布上光刻胶；
对涂布光刻胶后的硅片进行烘烤固化；
对烘烤固化后的硅片进行化学药液浸泡，去除硅片背光面边缘及侧面的导电膜层和种子层，实现电池N、P面绝缘；
对绝缘处理后的硅片进行图形转移及金属电极沉积。


2.根据权利要求1所述一种太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述硅片入光面为N面时，所述背光面则为P面，所述入光面为P面时，所述背光面则为N面。


3.根据权利要求1所述一种太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述硅片的导电膜层为包括透明导电氧化物层TCO层，厚度为50～200nm，所述种子层为Ag、Cu、AL等中至少一种，厚度为50～150nm。


4.根据权利要求1所述一种太阳能电池的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋广华，罗骞，傅松楠，陈伟文，
申请(专利权)人：福建钜能电力有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35