一种半导体化学机械研磨用保持环的粘接结构制造技术

本发明专利技术提供一种半导体化学机械研磨用保持环的粘接结构，所述粘接结构包括相互粘接的第一环体和第二环体，所述第一环体的粘接面的横截面为L型，所述第一环体的粘结面上间隔设置有凹槽，所述第二环体的粘接面与所述第一环体的粘接面相互配合。所述粘接结构可以有效增强粘接强度，防止产品在使用过程中脱胶。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体化学机械研磨用保持环的粘接结构
本专利技术属于半导体加工机械领域，涉及一种一种半导体化学机械研磨用保持环，尤其涉及一种一种半导体化学机械研磨用保持环的粘接结构。
技术介绍
化学机械研磨，晶圆制造中，随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小，光刻(Lithography)技术对晶圆表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越来越高，IBM公司于1985年发展CMOS产品引入，并在1990年成功应用于64MB的DRAM生产中。1995年以后，CMP技术得到了快速发展，大量应用于半导体产业。化学机械研磨亦称为化学机械抛光，其原理是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术，是机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。化学机械研磨技术综合了化学研磨和机械研磨的优势。单纯的化学研磨，表面精度较高，损伤低，完整性好，不容易出现表面/亚表面损伤，但是研磨速率较慢，材料去除效率较低，不能修正表面型面精度，研磨一致性比较差；单纯的机械研磨，研磨一致性好，表面平整度高，研磨效率高，但是容易出现表面层/亚表面层损伤，表面粗糙度值比较低。化学机械研磨吸收了两者各自的优点，可以在保证材料去除效率的同时，获得较完美的表面，得到的平整度比单纯使用这两种研磨要高出1-2个数量级，并且可以实现纳米级到原子级的表面粗糙度。CN101320694公开了一种保持环及化学机械研磨装置，该保持环包括一圆环、多个沟槽及多个开口。该圆环具有一第一主表面、一第二主表面、一内边缘及一外边缘。所述多个沟槽设置于该第一主表面之中。每一个沟槽延伸通过该内边缘。每一个开口设置于每一个沟槽之中。其包括一圆环，具有一内边缘及一外边缘，其中，该内边缘及该外边缘具有同心的形状；多个开口，设置于该圆环之上，其中，每一个开口延伸通过该保持环；以及多个沟槽，其中，每一个沟槽包围每一个开口，并且延伸至该内边缘。CN205734410U公开了一种装配于用于集成电路芯片生产的化学机械研磨设备的研磨头的保持环的三种沟槽结构。通过改变沟槽的结构，增大沟槽的总面积，增加沟槽的数目，从而让更多的磨料可以进入到晶圆表面尤其是晶圆中心。这样可以改进特别是使用高粘稠性磨料的晶圆内的厚度均一性；此外由于磨料更容易进入到晶圆表面，因此可以减少磨料供应的流量，从而达到降低成本的目的。CN108614937A公开了一种获取保持环的最佳工艺参数的方法，包括：建立化学机械研磨系统的有限元分析模型，包括抛光垫、晶圆、设置在晶圆外围的保持环、以一定的压力将晶圆和保持环压在抛光垫上的夹持器；确定分析模型的边界条件，并将抛光垫、晶圆、夹持器和保持环的材料参数代入分析模型；将不同组的保持环的工艺参数分别代入分析模型，并计算出每一组的保持环工艺参数下晶圆的表面等效应力分布结果；对比所有组的表面等效应力分布结果，获得使晶圆边缘的应力峰值最小的一组工艺参数，从而可以对实际生产中所需确定的保持环工艺参数进行指导，以避免晶圆边缘的应力集中现象，最大程度的降低晶圆边缘的过度磨损，进而可以提高晶圆的抛光精度和利用率。半导体化学机械研磨用保持环用于半导体行业中的化学机械研磨工艺，其主体由两个环体组成，通过胶水粘接的方式固定在一起，粘接强度是机械研磨用保持环的关键参数之一，合理的粘接结构是保证粘接强度的有效手段。
技术实现思路
针对现有技术中存在的技术问题，本专利技术提供一种半导体化学机械研磨用保持环的粘接结构，所述粘接结构可以有效增强粘接强度，防止产品在使用过程中脱胶。为达上述目的，本专利技术采用以下技术方案：本专利技术提供一种半导体化学机械研磨用保持环的粘接结构，所述粘接结构包括相互粘接的第一环体和第二环体，所述第一环体的粘接面的横截面为L型，所述第一环体的粘结面上间隔设置有至少两个凹槽，所述第二环体的粘接面与所述第一环体的粘接面相互配合。本专利技术中，所述第二环体的粘接面与所述第一环体的粘接面相互配合是指第二环体可以嵌入第一环体的L型粘接面内，并无缝隙嵌合。作为本专利技术优选的技术方案，所述第一环体为PPS环体。作为本专利技术优选的技术方案，所述第二环体为SUS环体。本专利技术中，对于半导体领域机械研磨而限定了第一环体以及第二环体的材质，但是对于机械研磨的其他应用领域，本专利技术提供的粘接结构同样适用，因此第一环体以及第二环体的结构不仅限于上述材料。作为本专利技术优选的技术方案，径向相邻的所述凹槽的间隔为2～5mm，如2.5mm、3mm、3.5mm、4mm或4.5mm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。作为本专利技术优选的技术方案，圆周方向上所述凹槽为整圈凹槽结构。作为本专利技术优选的技术方案，所述凹槽为燕尾槽。作为本专利技术优选的技术方案，所述凹槽内部填充有胶水。本专利技术中，所述凹槽的结构限定为燕尾槽，即燕尾槽结构可以适用于大部分材质的胶水，对于一些其他材质的胶水，可以根据胶水的粘度调整凹槽的形状，并不仅限于燕尾槽。与现有技术方案相比，本专利技术至少具有以下有益效果：本专利技术提供一种半导体化学机械研磨用保持环的粘接结构，可以有效增强粘接强度，防止产品在使用过程中脱胶。附图说明图1是本专利技术实施例1提供的粘接结构粘接前的结构示意图；图2是本专利技术实施例1提供的粘接结构粘接后的结构示意图。下面对本专利技术进一步详细说明。但下述的实例仅仅是本专利技术的简易例子，并不代表或限制本专利技术的权利保护范围，本专利技术的保护范围以权利要求书为准。具体实施方式下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。为更好地说明本专利技术，便于理解本专利技术的技术方案，本专利技术的典型但非限制性的实施例如下：实施例1本实施例提供一种半导体化学机械研磨用保持环的粘接结构，其结构如图1所示，所述粘接结构包括相互粘接的第一环体和第二环体，所述第一环体的粘接面的横截面为L型，所述第一环体的粘结面上间隔设置有凹槽，所述第二环体的粘接面与所述第一环体的粘接面相互配合。所述第一环体为PPS环体，所述第二环体为SUS环体。所述凹槽为燕尾槽，所述凹槽内部填充有胶水。其中，所述第一环体上径向相邻的所述凹槽的间隔为3mm，圆周方向上所述凹槽为整圈凹槽结构。所述保持环的半径为173.95mm。实施例2本实施例提供一种半导体化学机械研磨用保持环的粘接结构，其结构如图1所示，所述粘接结构包括相互粘接的第一环体和第二环体，所述第一环体的粘接面的横截面为L型，所述第一环体的粘结面上间隔设置有凹槽，所述第二环体的粘接面与所述第一环体的粘接面相互配合。所述第一环体为PPS环体，所述第二环体为SUS环体。所述凹槽为燕尾槽，所述凹槽内部填充有胶水。其中，所述第一环体上径向相邻的所述凹槽的间隔为3.1mm，圆周方向上所述凹槽为整圈凹槽结构。所述保持环的半径为174.26mm。实施例3本实施例提供一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体化学机械研磨用保持环的粘接结构，其特征在于，所述粘接结构包括相互粘接的第一环体和第二环体，所述第一环体的粘接面的横截面为L型，所述第一环体的粘结面上间隔设置有至少两个凹槽，所述第二环体的粘接面与所述第一环体的粘接面相互配合。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体化学机械研磨用保持环的粘接结构，其特征在于，所述粘接结构包括相互粘接的第一环体和第二环体，所述第一环体的粘接面的横截面为L型，所述第一环体的粘结面上间隔设置有至少两个凹槽，所述第二环体的粘接面与所述第一环体的粘接面相互配合。


2.根据权利要求1所述的粘接结构，其特征在于，所述第一环体为PPS环体。


3.根据权利要求1或2所述的粘接结构，其特征在于，所述第二环体为SUS环体。...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，惠宏业，王学泽，宋召东，
申请(专利权)人：上海江丰平芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31