一种兼容APT和ET模式的5G射频前端电源切换芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种兼容APT和ET模式的5G射频前端电源切换芯片，该芯片包括第一开关M1、第二开关M2第三开关M3和电源管理芯片，所述第一开关M1、所述第二开关M2和所述第三开关M3分别包括高电源端、低电源端和控制端；所述第三开关M3的控制端和所述第一开关M1的控制端分别用于加载控制电压，所述第三开关M3的高电源端接所述第二开关M2的控制端，所述第三开关M3的低电源端接地；所述第二开关M2的低电源端接所述第一开关M1的高电源端，并作为输出端；所述第一开关M1的低电源端接地；所述电源管理芯片用于对输入电源进行降压处理后输出工作电压。本实用新型专利技术提供的电源切换芯片实现了5G射频功率放大器中最常用的APT电源模式和ET电源模式的兼容。

【技术实现步骤摘要】
一种兼容APT和ET模式的5G射频前端电源切换芯片
本技术涉及电源领域，尤其是涉及一种兼容APT和ET模式的5G射频前端电源切换芯片。
技术介绍
射频功率放大器是射频前端得重要组成部分，通过射频功率放大器可以使电子终端获取到较高的射频输出功率。其中，为了保证在较高的射频输出功率下电源的工作效率更佳，可以通过实时调节功率放大器的电压，以适应射频放大器功率变化，来降低射频功放的功率消耗。业界中最常用的两种电压管理系统是平均功率追踪(AveragePowerTracking,APT)技术和包络跟踪(EnvelopeTracking,ET)技术，这两种技术均可追踪射频功放的功率变化，实时调节功放的电压，进而提高工作效率。第五代移动通信技术(5G)的关键性能目标是传输速率相比4G大幅提升，也就意味着频谱带宽的拓展，这对5G射频放大器的设计提出了更严苛的要求。在窄带通信系统中，功率放大器的记忆效应较弱，分析功率放大器的非线性特性时，往往不对它进行考虑。但在5G宽带通信系统中，随着输入信号带宽的增加，放大器的记忆效应趋于显著而不能被忽略。而放大器的记忆效应的重要来源之一是PA的供电电压不能维持恒定，而是和前一时间状态相关，记忆效应开始显现，带宽越宽越明显。在5GAPT系统中，供电电压上需要加载一个容值较大的去耦电容，滤掉供电电压的抖动，从而削弱记忆效应对PA的线性度的损害。然而，在5GET系统中，PA的线性度是通过shaping功能或者数字预失真技术(DigitalPre-Distortion,DPD)得到保证，但是包络跟踪器模块(Enveloptracker)对PA端的容性负载有较为苛刻的要求。
技术实现思路
本技术在此的目的在于提供一种能够兼容5G射频功率放大器中最常用的两种电源管理系统的兼容APT和ET模式的5G射频前端电源切换芯片。为实现本技术的目的，在此提供的兼容APT和ET模式的5G射频前端电源切换芯片包括以下两种结构：第一种兼容APT和ET模式的5G射频前端电源切换芯片包括第一开关M1、第二开关M2第三开关M3和电源管理芯片，所述第一开关M1、所述第二开关M2和所述第三开关M3分别包括高电源端、低电源端和控制端；所述第三开关M3的控制端和所述第一开关M1的控制端分别用于加载控制电压，所述第三开关M3的高电源端接所述第二开关M2的控制端，所述第三开关M3的低电源端接地；所述第二开关M2的低电源端接所述第一开关M1的高电源端，并作为输出端；所述第一开关M1的低电源端接地；所述电源管理芯片用于对输入电源进行降压处理后输出工作电压加载于所述第二开关M2的高电源端。优选的，所述所述电源管理芯片包括开关M5，二极管D1，电感L1、电容C5,所述开关M5包括输入端、输出端和控制端，所述开关M5的输入端外接电源，所述开关M5的控制端用于加载电源管理芯片的控制信号，所述开关M5的输出端连接所述二极管D1的阴极和所述电感L1的一端，所述二极管D1的阳极和所述电容C5的第二极板接地；所述电容C5的第一极板接所述电感L1的另一端，并作为电源管理芯片的输出端输出工作电压。第二种兼容APT和ET模式的5G射频前端电源切换芯片包括驱动电路、开关M4和电阻R4，所述开关M4包括高电源端、低电源端和控制端，所述驱动电路的输入端加载控制电压，输出端接所述开关M4的控制端，所述开关M4的高电源端作为输出端，所述开关M4的低电源端接地；所述电阻R4串联于所述开关M4的高电源端和低电源端之间。本技术的有益效果是：本技术提供的电源切换芯片在APT机制下，能够切换去一个较大的去耦电容；在ET工作机制下，开关被配置为将APT去耦电容器悬制，以便减小包络追踪器的电容负载，此时，包络跟踪器模块的容性负载仅为ET电容；实现了5G射频功率放大器中最常用的APT电源模式和ET电源模式的兼容。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本技术的实施例，并与说明书一起用于解释本技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：图1为本技术实施例一提供的电源切换芯片的电路原理图；图2为本技术实施例二提供的电源切换芯片的电路原理图；图3-图4为本技术实施例三提供的电源切换芯片的电路原理图；图5-8为本技术实施例四提供的电源切换芯片的电路原理图；图9为本技术实施例五提供的电源切换芯片的电路原理图；附图中：1-驱动电路。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例性实施例。然而，示例性实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例性实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中，为了清晰，可能会夸大部分元件的尺寸或加以变形。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、元件等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、方法或者操作以避免模糊本公开的各方面。实施例一本实施例提供的兼容APT和ET模式的5G射频前端电源切换芯片包括第一开关M1、第二开关M2、第三开关M3和电源管理芯片，第一开关M1、第二开关M2和第三开关M3分别包括高电源端、低电源端和控制端；如图1所示，各开关之间的连接关系为：第三开关M3的控制端和第一开关M1的控制端分别用于加载控制电压APT_Enable，第三开关M3的高电源端接第二开关M2的控制端，第三开关M3的低电源端接地；第二开关M2的低电源端接第一开关M1的高电源端，并作为输出端；第一开关M1的低电源端接地；电源管理芯片用于对输入电源进行降压处理后输出工作电压加载于第二开关M2的高电源端。本文在此的电源管理芯片包括降压开关电源电路，降压开关电源电路实现了直流到直流的降压变换。如图1所示，本文记载的降压开关电源电路包括开关M5，二极管D1，电感L1、电容C5,开关M5包括输入端、输出端和控制端，开关M5的输入端连接输入电源，开关M5的控制端用于加载电源管理芯片的控制信号，开关M5的输出端连接二极管D1的阴极和电感L1的一端，二极管D1的阳极和电容C5的第二极板接地；电容C5的第一极板接电感L1的另一端并作为输出端接第二开关M2的高电源端。开关M5可以采用任何一种可控开关，如三极管、场效应管、或可控硅。开关M5的控制端控制信号加载高电平信号时，开关M5导通，电感L1电流增加，电感L1储能；开关M5的控制端加载低电平信本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种兼容APT和ET模式的5G射频前端电源切换芯片，其特征在于：该芯片包括第一开关M1、第二开关M2第三开关M3和电源管理芯片，所述第一开关M1、所述第二开关M2和所述第三开关M3分别包括高电源端、低电源端和控制端；/n所述第三开关M3的控制端和所述第一开关M1的控制端分别用于加载控制电压，所述第三开关M3的高电源端接所述第二开关M2的控制端，所述第三开关M3的低电源端接地；/n所述第二开关M2的低电源端接所述第一开关M1的高电源端，并作为输出端；所述第一开关M1的低电源端接地；/n所述电源管理芯片用于对输入电源进行降压处理后输出工作电压加载于所述第二开关M2的高电源端。/n

【技术特征摘要】
1.一种兼容APT和ET模式的5G射频前端电源切换芯片，其特征在于：该芯片包括第一开关M1、第二开关M2第三开关M3和电源管理芯片，所述第一开关M1、所述第二开关M2和所述第三开关M3分别包括高电源端、低电源端和控制端；
所述第三开关M3的控制端和所述第一开关M1的控制端分别用于加载控制电压，所述第三开关M3的高电源端接所述第二开关M2的控制端，所述第三开关M3的低电源端接地；
所述第二开关M2的低电源端接所述第一开关M1的高电源端，并作为输出端；所述第一开关M1的低电源端接地；
所述电源管理芯片用于对输入电源进行降压处理后输出工作电压加载于所述第二开关M2的高电源端。


2.根据权利要求1所述的兼容APT和ET模式的5G射频前端电源切换芯片，其特征在于：所述电源管理芯片包括开关M5，二极管D1，电感L1、电容C5,所述开关M5包括输入端、输出端和控制端，所述开关M5的输入端外接电源，所述开关M5的控制端用于加载电源管理芯片的控制信号，所述开关M5的输出端连接所述二极管D1的阴...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡自洁，
申请(专利权)人：锐石创芯重庆科技有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆;50