一种LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法技术

本发明专利技术提供了一种LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法，包括以下步骤：a)将若干个待测颗粒置于饱和NaCl溶液中，进行加热；每隔一定时间对每个待测颗粒分别进行电压测试和逆向电流测试，统计测试结果超出规格的颗粒数量，得到检测结果。与现有技术相比，本发明专利技术提供的检测方法采用特定步骤，能够缩短检测LED颗粒抗金属迁移能力的时间，从而快速简单有效的得出LED颗粒抗金属迁移能力；该检测方法简便、快速且材耗低，同时检测结果准确、稳定性高、可重复性好。

【技术实现步骤摘要】
一种LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法
本专利技术涉及LED颗粒性能检测
，更具体地说，是涉及一种LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法。
技术介绍
随着小间距LED屏市场的日益火爆，市场对小颗粒LED需求越来越大，性能要求也越来越高。在此基础上，对小颗粒LED的综合能力尤其是抗金属迁移能力提出了更高的挑战。目前，市场批量使用的小间距LED颗粒产品本身结构防护性弱，颗粒应用于显示屏，显示屏在高刷新频率下会带来金属电化学迁移，从而影响其使用寿命。为此各大封装企业不惜花费大量人力、时间、设备去检测LED颗粒的抗金属迁移能力，以满足市场的需求。现有技术检测LED颗粒抗金属迁移能力的方法主要包括：(1)颗粒(投入数量40K)SMT贴片灯板，然后将灯板HTHH(85℃/85％&96h)储存，再通过灯板高低温循环测试，高低温开光灯(-5℃～25℃&168h)；(2)颗粒形成批量灯板，通过市场端应用验证(1～2年)。由于方法(2)时间较长，有条件的企业均采用方法(1)；参见图1所示，LED颗粒首先通过SMT的方式将颗粒①贴在灯板②上，再将灯板投入到高低温循环开关灯实验③中，经过长时间的循环，最终得出颗粒的抗金属迁移能力。但是，现有技术中LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法会浪费大量的颗粒和时间，且实验条件特殊，需要采用高低温循环设备③，使得资源在实验中浪费严重。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法，该检测方法简便、快速且材耗低，同时检测结果准确、稳定性高、可重复性好。本专利技术提供了一种LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法，包括以下步骤：a)将若干个待测颗粒置于饱和NaCl溶液中，进行加热；每隔一定时间对每个待测颗粒分别进行电压测试和逆向电流测试，统计测试结果超出规格的颗粒数量，得到检测结果。优选的，步骤a)中所述待测颗粒为硅树脂胶水制作成的良品颗粒；所述良品颗粒的制备过程具体为：将硅树脂胶水制作成颗粒；再对所述颗粒进行电测，筛选出电测结果符合要求的颗粒，得到良品颗粒。优选的，步骤a)中所述硅树脂胶水选自DS-JA08、DS-JA10、DS-JA12和DS-JA13中的一种或多种。优选的，步骤a)中所述若干个待测颗粒的个数为150EA～250EA。优选的，步骤a)中所述加热的温度为45℃～55℃。优选的，步骤a)中所述每隔一定时间的时间间隔为22h～26h。优选的，步骤a)中所述电压测试和逆向电流测试采用kethily电源进行点测。优选的，步骤a)中所述电压测试的参数为：电流驱动：R5mA，G3mA，B3mA。优选的，步骤a)中所述逆向电流测试的参数为：逆向电压驱动：RGBVr5V。优选的，步骤a)中所述对每个待测颗粒分别进行电压测试和逆向电流测试后，还包括：将分别进行电压测试和逆向电流测试后的待测颗粒放回到饱和NaCl溶液中。本专利技术提供了一种LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法，包括以下步骤：a)将若干个待测颗粒置于饱和NaCl溶液中，进行加热；每隔一定时间对每个待测颗粒分别进行电压测试和逆向电流测试，统计测试结果超出规格的颗粒数量，得到检测结果。与现有技术相比，本专利技术提供的检测方法采用特定步骤，能够缩短检测LED颗粒抗金属迁移能力的时间，从而快速简单有效的得出LED颗粒抗金属迁移能力；该检测方法简便、快速且材耗低，同时检测结果准确、稳定性高、可重复性好。另外，本专利技术提供的检测方法适用于显示屏的各类LED颗粒，对LED颗粒抗金属迁移能力的检测标准的制订及指导企业生产都具有重要意义。附图说明图1为现有技术中LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法的示意图；图2为本专利技术提供的LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法的示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术提供了一种LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法，包括以下步骤：a)将若干个待测颗粒置于饱和NaCl溶液中，进行加热；每隔一定时间对每个待测颗粒分别进行电压测试和逆向电流测试，统计测试结果超出规格的颗粒数量，得到检测结果。本专利技术首先将若干个待测颗粒置于饱和NaCl溶液中，进行加热。在本专利技术中，所述待测颗粒优选为硅树脂胶水制作成的良品颗粒。在本专利技术中，所述良品颗粒的制备过程优选具体为：将硅树脂胶水制作成颗粒；再对所述颗粒进行电测，筛选出电测结果符合要求的颗粒，得到良品颗粒。在本专利技术中，所述硅树脂胶水优选选自DS-JA08、DS-JA10、DS-JA12和DS-JA13中的一种或多种。本专利技术对所述硅树脂胶水的来源没有特殊限制，采用本领域技术人员熟知的市售商品即可。在本专利技术中，所述硅树脂胶水制作成的颗粒包括应用于显示屏的各类LED颗粒，如以BT板为载体的CHIP型颗粒、以支架为载带的TOP型颗粒等。在本专利技术中，所述若干个待测颗粒的个数优选为150EA～250EA，更优选为200EA。本专利技术在上述个数下即能够实现准确检测，远低于传统方法在灯板上投入的颗粒数量，大大节省材耗，有利于重复检测。本专利技术对所述饱和NaCl溶液的来源没有特殊限制，采用本领域技术人员熟知的配制方法配制而成。在本专利技术中，所述加热的温度优选为45℃～55℃，更优选为50℃。本专利技术对所述加热的方式没有特殊限制，采用本领域技术人员熟知的可调节温度的加热板即可。之后，本专利技术每隔一定时间对每个待测颗粒分别进行电压测试和逆向电流测试，统计测试结果超出规格的颗粒数量，得到检测结果。在本专利技术中，所述每隔一定时间的时间间隔优选为22h～26h，更优选为24h。在本专利技术中，最多经过4次测试，即可对应用于显示屏的各类LED颗粒的抗金属迁移能力完成检测；由此可知，本专利技术的检测时间不超过96h，而传统方法至少需要264h，因此本专利技术明显速度更快。在本专利技术中，所述电压测试和逆向电流测试优选采用kethily电源进行点测；其中，所述电压测试的参数优选为：电流驱动：R5mA，G3mA，B3mA；所述逆向电流(Ir)测试的参数优选为：逆向电压(Vr)驱动：RGBVr5V。由此可知，本专利技术提供的检测方法方便快捷，观测方便，且不受设备条件影响，因此检测结果准确、稳定性及重复性好。在本专利技术中，所述对每个待测颗粒分别进行电压测试和逆向电流测试后，优选还包括：将分别进行电压测试和逆向电流测试后的待测颗粒放回到饱和NaCl溶液中。参见图2所示，图2为本专利技术提供的LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法的示意图；其中，①为待测颗粒，④为饱和NaCl溶液，⑤为加热板，⑥为kethi本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法，包括以下步骤：/na)将若干个待测颗粒置于饱和NaCl溶液中，进行加热；每隔一定时间对每个待测颗粒分别进行电压测试和逆向电流测试，统计测试结果超出规格的颗粒数量，得到检测结果。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法，包括以下步骤：
a)将若干个待测颗粒置于饱和NaCl溶液中，进行加热；每隔一定时间对每个待测颗粒分别进行电压测试和逆向电流测试，统计测试结果超出规格的颗粒数量，得到检测结果。


2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，步骤a)中所述待测颗粒为硅树脂胶水制作成的良品颗粒；所述良品颗粒的制备过程具体为：
将硅树脂胶水制作成颗粒；再对所述颗粒进行电测，筛选出电测结果符合要求的颗粒，得到良品颗粒。


3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，步骤a)中所述硅树脂胶水选自DS-JA08、DS-JA10、DS-JA12和DS-JA13中的一种或多种。


4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，步骤a)中所述若干个待测颗粒的个数为150EA～250EA。


5.根据权利要求1所述的检测方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：羊鹏，
申请(专利权)人：盐城东山精密制造有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32