半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够提高散热性的半导体装置。半导体装置(10)包括：半导体元件(40)、与半导体元件(40)电连接的键合线(50)、连接端子(30)、将半导体元件(40)和键合线(50)和连接端子(30)的一部分密封的密封部件(60)。此外，连接端子(30)具备引脚部(31)和锚固部(32)，引脚部(31)具有与键合线(50)接合的接合区域且呈平板状，锚固部(32)从引脚部(31)的第一侧部突出。由于半导体装置(10)能够使如此从密封部件(60)的密封主面(63)露出的背面(21)和背面(31d)占预定的面积以上，所以能够提高半导体装置(10)的散热性。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
半导体装置包括例如IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor：绝缘栅双极晶体管)、功率MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、FWD(FreeWheelingDiode：续流二极管)、SBD(SchottkyBarrierDiode：肖特基势垒二极管)等半导体元件。根据需要能够将IGBT和FWD配置在基板上而实现电力转换装置(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2017-191895号公报
技术实现思路
技术问题然而，上述那样的半导体装置因为处理大电流、大电压而会发热。半导体装置的高温化成为半导体装置故障的原因，有可能导致半导体装置的可靠性下降。因此，半导体装置需要进一步提高散热性。本专利技术是鉴于这一点而做出的，其目的在于提供能够提高散热性的半导体装置。技术方案根据本专利技术的一个观点，提供一种半导体装置，包括：半导体元件；连接部件，与所述半导体元件电连接；连接端子，具备引脚部和锚固部，所述引脚部呈平板状且具有包括与所述连接部件接合的接合区域的第一正面、与所述第一正面相对的背面以及位于所述第一正面和所述背面之间的第一侧部，所述锚固部从所述第一侧部突出；以及密封部件，将所述半导体元件、所述连接部件和所述连接端子的一部分密封，并在所述背面具备密封主面，所述引脚部具备所述第一正面和所述第一侧部的至少一部分被所述密封部件进行密封的内部引脚部和从所述密封部件的第一密封侧面伸出的外部引脚部，在俯视图中所述锚固部以预定的突出长度从与所述接合区域相对的所述第一侧部的至少一方突出，在与所述引脚部的长边方向垂直的截面图中，所述锚固部的第二正面与所述第一正面呈同一平面，所述突出长度朝向所述背面而缩小。技术效果根据公开的技术，能够提高散热性，而抑制半导体装置的可靠性的下降。附图说明图1是用于说明实施方式的半导体装置的图(其一)。图2(A)和图2(B)是用于说明实施方式的半导体装置的图(其二)。图3是用于说明实施方式的半导体装置的图(其三)。图4是用于说明实施方式的半导体装置中所包括的连接端子的图(其一)。图5是用于说明实施方式的半导体装置中所包括的连接端子的图(其二)。图6是示出实施方式的半导体装置中所包括的另一连接端子的正视图的图。图7是示出实施方式的半导体装置的制造方法的流程图。图8是用于说明实施方式的半导体装置的制造方法中所包括的金属框的设置工序的图。图9是用于说明实施方式的半导体装置的制造方法中所包括的密封工序的图。图10是用于说明实施方式的半导体装置的制造方法中所包括的镀覆处理工序的图。符号说明10：半导体装置20：芯片焊盘21：背面22：吊针部30：连接端子31：引脚部31a：第一正面31b：接合区域31c：第一侧部31d：背面31e：一端面31f：另一端面31g：内部引脚部31h：外部引脚部32：锚固部32a：第二正面32c：第二侧部32c1：第一曲面32c2：第二曲面32c3：第三曲面40：半导体元件50：键合线60：密封部件61、62：密封侧面63：密封主面70：引线框架71：框架部71a：冲压区域72：拉杆72a：冲压区域具体实施方式以下，参照附图，利用图1～图3对实施方式的半导体装置进行说明。图1～图3是用于说明实施方式的半导体装置的图。应予说明，图1的(A)示出从图1的(B)的箭头方向观察到的半导体装置10的立体图，图1的(B)示出半导体装置10的俯视图。图2(A)示出半导体装置10的仰视图，图2(B)示出图1的(B)和图2(A)的单点划线X-X处的半导体装置10的截面图。此外，在图3中透视地示出半导体装置10的俯视图。此外，在实施方式中，正面是指图1的半导体装置10朝向上侧的面，例如，在图2(B)的芯片焊盘(diepad)20，搭载有半导体元件40的面为正面。背面表示在图1的半导体装置10中朝向下侧的面。例如，在图2(B)的芯片焊盘20，搭载有半导体元件40的面的相反侧的面为背面。即使是图1以外的图，正面和背面也是指同样的方向性。半导体装置10具备：芯片焊盘20、多个连接端子30、配置在芯片焊盘20上的半导体元件40以及将半导体元件40与连接端子30电连接的键合线50。半导体装置10是利用密封部件60将这些部件密封为大致立方体状而构成的。芯片焊盘20由导热性优异的铝、铁、银、铜或至少包括它们中的一种的合金等金属构成。此外，在芯片焊盘20的对置的短边由被切掉的框架部(后述)构成支撑芯片焊盘20的吊针部22。吊针部22可以在芯片焊盘20的对置的各个短边各形成有两个。这样的芯片焊盘20的背面21从密封部件60的对应于背面侧的密封主面63露出，而与密封主面63呈同一平面。此外，芯片焊盘20的吊针部22的端面从密封部件60的对置的两个密封侧面62露出。连接端子30具有与键合线50接合的平板状的引脚部31和分别形成于引脚部31的两侧部的锚固部32。应予说明，连接端子30的构成的详细情况将在后面描述。在隔着芯片焊盘20的两侧分别各排列有四个连接端子30。应予说明，连接端子30的数量为一个示例，不限于此情况。进一步地，连接端子30的背面31d从密封部件60的密封主面63露出，并与密封主面63和芯片焊盘20的背面21呈同一平面。此外，连接端子30中至少包含锚固部32在内被密封部件60密封，连接端子30的一端面31e分别从密封部件60的密封侧面61伸出。应予说明，此时的从密封侧面61到一端面31e的伸出量为0.25μm以上且0.30μm以下。此外，如此引脚部31由作为被密封部件60所密封的部分的内部引脚部31g和从密封部件60的密封侧面61伸出的外部引脚部31h构成。这样的连接端子30由导电性优异的铜或铜合金等金属构成。并且，为了提高耐腐蚀性，例如通过以由锡、银、锡合金或银合金构成的材料作为镀覆膜的镀覆处理等在表面形成镀覆膜。应予说明，在连接端子30，内部引脚部31g的后述的第一正面和第一侧部与外部引脚部31h的一端面31e露出有铜或铜合金(未形成镀覆膜)。另一方面，在引脚部31的背面31d与外部引脚部31h的后述的第一正面和第一侧部形成有镀覆膜。在大致矩形状的密封部件60，芯片焊盘20的吊针部22的端面从对置的两个密封侧面62露出，连接端子30的外部引脚部31h从其他的对置的两个密封侧面61伸出。半导体元件40例如包括由硅或碳化硅构成的IGBT、功率MOSFET等开关元件。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：/n半导体元件；/n连接部件，与所述半导体元件电连接；/n连接端子，具备引脚部和锚固部，所述引脚部呈平板状且具有包括与所述连接部件接合的接合区域的第一正面、与所述第一正面相对的背面以及位于所述第一正面和所述背面之间的第一侧部，所述锚固部从所述第一侧部突出；以及/n密封部件，将所述半导体元件、所述连接部件和所述连接端子的一部分密封，并在所述背面具备密封主面，/n所述引脚部具备所述第一正面和所述第一侧部的至少一部分被所述密封部件进行密封的内部引脚部和从所述密封部件的第一密封侧面伸出的外部引脚部，/n在俯视的情况下，所述锚固部以预定的突出长度从与所述接合区域相对的所述第一侧部的至少一方突出，在与所述引脚部的长边方向垂直的剖视的情况下，所述锚固部的第二正面与所述第一正面呈同一平面，所述突出长度朝向所述背面而缩小。/n

【技术特征摘要】
20190401 JP 2019-0695871.一种半导体装置，其特征在于，包括：
半导体元件；
连接部件，与所述半导体元件电连接；
连接端子，具备引脚部和锚固部，所述引脚部呈平板状且具有包括与所述连接部件接合的接合区域的第一正面、与所述第一正面相对的背面以及位于所述第一正面和所述背面之间的第一侧部，所述锚固部从所述第一侧部突出；以及
密封部件，将所述半导体元件、所述连接部件和所述连接端子的一部分密封，并在所述背面具备密封主面，
所述引脚部具备所述第一正面和所述第一侧部的至少一部分被所述密封部件进行密封的内部引脚部和从所述密封部件的第一密封侧面伸出的外部引脚部，
在俯视的情况下，所述锚固部以预定的突出长度从与所述接合区域相对的所述第一侧部的至少一方突出，在与所述引脚部的长边方向垂直的剖视的情况下，所述锚固部的第二正面与所述第一正面呈同一平面，所述突出长度朝向所述背面而缩小。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述锚固部在所述俯视的情况下形成在所述引脚部的夹着所述接合区域的一组对边中的各个边。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
在所述剖视的情况下，所述锚固部具备第二侧部，所述第二侧部在与所述第二正面的角部中，与所述第二正面所成的角度为30°以上且75°以下。


4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述第二侧部从所述第二正面侧起依次具备：向所述引脚部的内侧观察时具有凹曲面的第一曲面、具有凸曲面的第二曲面和具有凹曲面的第三曲面。


5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述内部引脚部的背面从所述密封主面露出，所述内部引脚部的背面与所述密封主面构成同一平...

【专利技术属性】
技术研发人员：安田贵弘，中村贤平，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP