【技术实现步骤摘要】
超声传感器
本公开涉及一种超声传感器。
技术介绍
专利文献1中记载的超声传感器包括壳体和压电元件。壳体的形状类似于具有底部和侧壁的有底筒体。压电元件结合到壳体的底部。在具有上述结构的超声传感器中,容纳诸如压电元件的超声元件的壳体暴露于存在检测物体的外部空间。更具体地,例如,当安装在车辆中时,超声传感器以车载状态安装在诸如车辆保险杠的外面板构件中。因此,诸如卵石之类的硬质异物可能会与壳体碰撞。在现有的超声传感器的情况下,担心结合到壳体的超声元件可能出现裂纹或者超声元件会从壳体上脱落。特别地,当使用MEMS型元件时,将该元件结合到壳体的底部使得该元件易于损坏。在本文中,MEMS代表微机电系统。专利文献1:JP2011-350327A
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种能够例如令人满意地保护超声元件的结构。根据本专利技术的一方面,一种超声传感器,包括:元件存储壳体,该元件存储壳体包括至少一个壳体侧膜片,该壳体侧膜片是厚度方向沿着方向轴的振动板;至少一个容纳在元件存储壳体中并与壳体侧膜片间隔开的超声元件。超声元件包括元件侧膜片,该元件侧膜片是厚度方向沿方向轴的振动膜,并且由厚度方向沿方向轴的半导体基板的薄部提供。半导体基板被设置为在壳体侧膜片与元件侧膜片之间提供至少一个封闭空间作为共振空间。半导体基板由元件存储壳体固定和支撑。超声元件被存储在元件存储壳体的内部,并与元件存储壳体所具有的壳体侧膜片分开。因此,即使当诸如卵石之类的硬质异物与壳体侧膜片碰撞时,由碰撞 ...
【技术保护点】
1.一种超声传感器(1),包括:/n元件存储壳体(4),其包括至少一个壳体侧膜片(43a),所述壳体侧膜片是厚度方向沿着方向轴(DA)的振动板;和/n至少一个超声元件(50),其容纳在所述元件存储壳体中并与所述壳体侧膜片隔开,其中:/n所述超声元件包括元件侧膜片(54),所述元件侧膜片是厚度方向沿着所述方向轴的振动膜,并由厚度方向沿着所述方向轴的半导体基板(51)的薄部提供;/n所述半导体基板被设置为在所述壳体侧膜片与所述元件侧膜片之间提供至少一个封闭空间(SC)作为共振空间;以及/n所述半导体基板由所述元件存储壳体固定和支撑。/n
【技术特征摘要】
20190405 JP 2019-0729531.一种超声传感器(1),包括:
元件存储壳体(4),其包括至少一个壳体侧膜片(43a),所述壳体侧膜片是厚度方向沿着方向轴(DA)的振动板;和
至少一个超声元件(50),其容纳在所述元件存储壳体中并与所述壳体侧膜片隔开,其中:
所述超声元件包括元件侧膜片(54),所述元件侧膜片是厚度方向沿着所述方向轴的振动膜,并由厚度方向沿着所述方向轴的半导体基板(51)的薄部提供;
所述半导体基板被设置为在所述壳体侧膜片与所述元件侧膜片之间提供至少一个封闭空间(SC)作为共振空间;以及
所述半导体基板由所述元件存储壳体固定和支撑。
2.根据权利要求1所述的超声传感器,其中:
所述超声元件的共振频率定义为第一共振频率;
所述封闭空间的共振频率定义为第二共振频率;
所述壳体侧膜片的共振频率定义为第三共振频率;以及
所述第一至第三共振频率彼此相等。
3.根据权利要求2所述的超声传感器,其中:
将所述第一共振频率与所述第二共振频率之差、所述第二共振频率与所述第三共振频率之差以及所述第一共振频率与所述第三共振频率之差中的最大差定义为Δfr;
将所述超声元件的共振带、所述封闭空间的共振带和所述壳体侧膜片的共振带中的最宽共振带的带宽定义为BW;以及
满足等式Δfr≤BW。
4.根据权利要求1所述的超声传感器,其中:
所述元件存储壳体包括:具有围绕所述方向轴的筒形状的侧板(41);和不透液体地密封所述侧板的一端的外侧基板(43);
所述壳体侧膜片由所述外侧基板的薄部提供,所述薄部设置在所述外侧基板的在与所述方向轴相交的平面方向上的中心处;以及
所述半导体基板由所述外侧基板的布置在所述壳体侧膜片的周边的壳体侧厚部(43b)固定和支撑。
5.根据权利要求4所述的超声传感器,还包括:
支撑基板(6),其厚度方向沿着所述方向轴并且设置在所述外侧基板与所述半导体基板之间,其中:
所述支撑基板连接至所述外侧基板的所述壳体侧厚部,并且固定至所述元件存储壳体,
所述半导体基板连接至所述支撑基板,并且固定至所述支撑基板;
所述支撑基板具有连通孔(63),所述连通孔是穿透所述支撑基板以与所述壳体侧膜片和所述支撑基板之间的间隙(G)连通的通孔;以及
所述间隙和所述连通孔提供所述封闭空间。
6.根据权利要求5所述的半导体传感器,其中:
所述半导体基板包括元件侧凹部(57),所述元件侧凹部是凹面,所述凹面设置于在所述平面方向上与所述元件侧膜片对应的位置以由所述超声元件的元件侧厚部(56)围绕,所述元件侧厚部在所述平面方向上与所述元件侧膜片相邻;
所述半导体基板连接至所述支撑基板,并且所述元件侧凹部与所述连通孔相邻并连通;以及
作为所述元件侧凹部的内侧空间的元件侧中空部(58)、所述间隙和所述连通孔提供所述封闭空间。
7.根据权利要求4所述的超声传感器,其中:
所述半导体基板包括元件侧凹部(57),所述元件侧凹部是凹面,所述凹面设置于在所述平面方向上与所述元件侧膜片对应的位置以由所述超声元件的元件侧厚部(56)围绕,所述元件侧厚部在所述平面方向上与所述元件侧膜片相邻;
所述半导体基板连接至所述外侧基板的所述壳体侧厚部,并且所述元件侧凹部与所述间隙相邻并连通;
所述半导体基板容纳在所述元件存储壳体内;以及
作为所述元件侧凹部的内侧空间的元件侧中空部(58)与所述间隙提供所述封闭空间。
8.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:神谷达也,石井格,种村友贵,青木敬,加藤哲弥,
申请(专利权)人:株式会社电装,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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