DFN封装半导体器件制造技术

本实用新型专利技术公开一种DFN封装半导体器件，包括位于环氧封装体内的芯片、一端与芯片电连接并分别位于芯片左右两侧的若干个左引脚、右引脚，所述左引脚、右引脚各自的另一端从环氧封装体中延伸出，所述芯片前后端面均通过导热胶层粘接有金属散热片，所述芯片左右端面均通过导热胶层粘接有左金属散热片和右金属散热片，此左金属散热片和右金属散热片分别开有若干个供左引脚、右引脚嵌入的左通孔和右通孔，所述左通孔、右通孔分别与左引脚、右引脚之间通过环氧封装体绝缘隔离。本实用新型专利技术DFN封装半导体器件增加了有效散热面积，提高散热效果，加快了散热的速度，也提高了器件的强度和可靠性并延长了芯片的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
DFN封装半导体器件
本技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种DFN封装半导体器件。
技术介绍
DFN是一种最新的电子封装工艺.采用先进的双边扁平无铅封装。DFN平台是最新的表面贴装封装技术。印刷电路板的安装垫、阻焊层和模板样式设计以及组装过程，都需要遵循相应的原则。DFN平台具有多功能性，可以让一个或多个半导体器件在无铅封装内连接。现有的芯片的DFN封装结构，其通过设置散热区，然后通过散热区将芯片上的热量导出散热。然而现有技术中散热区主要通过与外界的环境接触进行散热，但是其与外界接触的面积有限，因此散热性能较为一般。如何克服上述技术问题成为本领域技术人员努力的方向。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种DFN封装半导体器件，该DFN封装半导体器件增加了有效散热面积，提高散热效果，加快了散热的速度，也提高了器件的强度和可靠性并延长了芯片的使用寿命。为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种DFN封装半导体器件，包括位于环氧封装体内的芯片、一端与芯片电连接并分别位于芯片左右两侧的若干个左引脚、右引脚，所述左引脚、右引脚各自的另一端从环氧封装体中延伸出，所述芯片前后端面均通过导热胶层粘接有金属散热片，所述芯片左右端面均通过导热胶层粘接有左金属散热片和右金属散热片，此左金属散热片和右金属散热片分别开有若干个供左引脚、右引脚嵌入的左通孔和右通孔，所述左通孔、右通孔分别与左引脚、右引脚之间通过环氧封装体绝缘隔离。上述技术方案中进一步改进的方案如下：1.上述方案中，所述金属散热片为铝散热片、铜散热片或者铝合金散热片。2.上述方案中，所述左金属散热片和右金属散热片均为铝散热片、铜散热片或者铝合金散热片。由于上述技术方案的运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：本技术DFN封装半导体器件，其芯片前后端面均通过导热胶层粘接有金属散热片，所述芯片左右端面均通过导热胶层粘接有左金属散热片和右金属散热片，此左金属散热片和右金属散热片分别开有若干个供左引脚、右引脚嵌入的左通孔和右通孔，所述左通孔、右通孔分别与左引脚、右引脚之间通过环氧封装体绝缘隔离，增加了有效散热面积，提高散热效果，加快了散热的速度，也提高了器件的强度和可靠性并延长了芯片的使用寿命。附图说明附图1为本技术DFN封装半导体器件结构示意图；附图2为附图1的俯视剖面结构示意图。以上附图中：1、环氧封装体；2、芯片；3、左引脚；4、右引脚；5、导热胶层；6、第一金属散热片；7、左金属散热片；8、右金属散热片；9、左通孔；10、右通孔。具体实施方式实施例1：一种DFN封装半导体器件，包括位于环氧封装体1内的芯片2、一端与芯片2电连接并分别位于芯片2左右两侧的若干个左引脚3、右引脚4，所述左引脚3、右引脚4各自的另一端从环氧封装体1中延伸出，所述芯片2前后端面均通过导热胶层5粘接有金属散热片6，所述芯片2左右端面均通过导热胶层5粘接有左金属散热片7和右金属散热片8，此左金属散热片7和右金属散热片8分别开有若干个供左引脚3、右引脚4嵌入的左通孔9和右通孔10，所述左通孔9、右通孔10分别与左引脚3、右引脚4之间通过环氧封装体1绝缘隔离。上述金属散热片6为铝散热片，上述左金属散热片7和右金属散热片8均为铝散热片。实施例2：一种DFN封装半导体器件，包括位于环氧封装体1内的芯片2、一端与芯片2电连接并分别位于芯片2左右两侧的若干个左引脚3、右引脚4，所述左引脚3、右引脚4各自的另一端从环氧封装体1中延伸出，所述芯片2前后端面均通过导热胶层5粘接有金属散热片6，所述芯片2左右端面均通过导热胶层5粘接有左金属散热片7和右金属散热片8，此左金属散热片7和右金属散热片8分别开有若干个供左引脚3、右引脚4嵌入的左通孔9和右通孔10，所述左通孔9、右通孔10分别与左引脚3、右引脚4之间通过环氧封装体1绝缘隔离。上述金属散热片6为铜散热片，上述左金属散热片7和右金属散热片8均为铜散热片。采用上述DFN封装半导体器件时，其有效的增加了有效散热面积，提高散热效果，加快了散热的速度，也提高了器件的强度和可靠性并延长了芯片的使用寿命。上述实施例只为说明本技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本技术的内容并据以实施，并不能以此限制本技术的保护范围。凡根据本技术精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种DFN封装半导体器件，其特征在于：包括位于环氧封装体（1）内的芯片（2）、一端与芯片（2）电连接并分别位于芯片（2）左右两侧的若干个左引脚（3）、右引脚（4），所述左引脚（3）、右引脚（4）各自的另一端从环氧封装体（1）中延伸出，所述芯片（2）前后端面均通过导热胶层（5）粘接有金属散热片（6），所述芯片（2）左右端面均通过导热胶层（5）粘接有左金属散热片（7）和右金属散热片（8），此左金属散热片（7）和右金属散热片（8）分别开有若干个供左引脚（3）、右引脚（4）嵌入的左通孔（9）和右通孔（10），所述左通孔（9）、右通孔（10）分别与左引脚（3）、右引脚（4）之间通过环氧封装体（1）绝缘隔离。/n

【技术特征摘要】
1.一种DFN封装半导体器件，其特征在于：包括位于环氧封装体（1）内的芯片（2）、一端与芯片（2）电连接并分别位于芯片（2）左右两侧的若干个左引脚（3）、右引脚（4），所述左引脚（3）、右引脚（4）各自的另一端从环氧封装体（1）中延伸出，所述芯片（2）前后端面均通过导热胶层（5）粘接有金属散热片（6），所述芯片（2）左右端面均通过导热胶层（5）粘接有左金属散热片（7）和右金属散热片（8），此左金属散热片（7）和右金属散热片（8）分别开有若干个供左引脚（...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭兴义，
申请(专利权)人：盐城芯丰微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32