彩膜基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种彩膜基板及其制作方法、显示装置，该彩膜基板包括衬底基板、位于衬底基板上的黑矩阵和彩色滤光层、位于彩色滤光层远离衬底基板一侧的量子点层和位于黑矩阵远离衬底基板一侧的阻隔层，还包括第一无机层，第一无机层至少包括：位于彩色滤光层与量子点层之间的第一部分；位于衬底基板上，且位于量子点层与阻隔层之间的第二部分；及位于阻隔层远离衬底基板一侧的第三部分。应用本申请可以有效降低彩膜基板的内部应力，提高对合精度。

【技术实现步骤摘要】
彩膜基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示装置
，具体地，涉及一种彩膜基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
目前，量子点-有机电致发光(QD-OLED)技术是比较前沿的实现高显色的方式，其通常采用蓝光OLED作为激发光源，激发QD材料发光。QD的发光原理与常规半导体发光原理相近，均是材料中载流子在接受外来能量后，达到激发态，在载流子恢复至基态的过程中，会释放能量，这种能量通常以光的形式发射出去。不同QD材料受到外界激发光源激发后会发出不同波段的光，当用蓝光光源激发红光和绿光QD材料后会发出红光和绿光。但是，现有QD-OLED器件的制作过程中仍存在很多技术问题，在彩膜基板和显示背板对合过程中，难以实现高精度对位，容易产生串色现象，并影响最终的显示效果。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种彩膜基板及其制作方法、显示装置，可以有效降低彩膜基板的内部应力，提高对合精度。为实现本专利技术的目的，第一方面提供一种彩膜基板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的黑矩阵和彩色滤光层、位于所述彩色滤光层远离所述衬底基板一侧的量子点层和位于所述黑矩阵远离所述衬底基板一侧的阻隔层，还包括第一无机层，所述第一无机层至少包括：位于所述彩色滤光层与所述量子点层之间的第一部分；位于所述量子点层与所述阻隔层之间的第二部分；位于所述阻隔层远离所述衬底基板一侧的第三部分。可选地，还包括第二无机层，所述第二无机层包括：位于所述彩色滤光层靠近所述衬底基板的一侧的第四部分；位于所述彩色滤光层与所述黑矩阵之间的第五部分；位于所述黑矩阵与所述阻隔层之间的第六部分。可选地，还包括多个柱状支撑体，多个所述柱状支撑体间隔位于所述阻隔层远离所述衬底基板的一侧。可选地，所述柱状支撑体沿垂直所述衬底方向的截面为梯形，所述梯形的短边靠近所述阻隔层；还包括金属反光层，所述金属反光层位于所述柱状支撑体的外表面，用于将从入光侧入射的光线反射至所述量子点层。可选地，还包括第三无机层，所述第三无机层位于所述阻隔层与所述柱状支撑体之间，且覆盖所述量子点层，用于对所述量子点层进行保护。可选地，所述第一无机层、所述第二无机层及所述第三无机层的厚度的取值范围均为100nm-1500nm，且所述第一无机层的厚度大于所述第二无机层的厚度，所述第二无机层的厚度大于所述第三无机层的厚度。可选地，所述第一无机层、所述第二无机层及所述第三无机层的材料均包括氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅及氧化铝中的一种或多种。可选地，还包括第四无机层，所述第四无机层位于所述柱状支撑体与所述金属反光层之间，用于对所述柱状支撑体进行保护。可选地，所述金属反光层的材料包括铝或银，所述金属反光层的厚度的取值范围为50nm-8000nm。为实现本专利技术的目的，第二方面提供一种显示装置，包括对合在一起的显示背板和彩膜基板，所述彩膜基板为第一方面的所述彩膜基板。为实现本专利技术的目的，第三方面提供一种彩膜基板的制作方法，包括：于衬底基板之上形成黑矩阵；于所述衬底基板之上形成彩色滤光层，且所述彩色滤光层位于所述黑矩阵形成的间隙中；于所述黑矩阵远离所述衬底基板的一侧形成阻隔层；于所述彩色滤光层远离所述衬底基板的一侧形成第一无机层，且所述第一无机层完全覆盖所述阻隔层；于所述第一无机层远离所述衬底基板的一侧形成量子点层，且所述量子点层位于所述阻隔层形成的间隙中，与所述彩色滤光层对应设置。可选地，所述于所述衬底基板之上形成彩色滤光层之前，还包括：于所述衬底基板之上形成第二无机层，且所述第二无机层完全覆盖所述黑矩阵；所述于所述衬底基板之上形成彩色滤光层，包括：于所述第二无机层远离所述衬底基板的一侧形成彩色滤光层。可选地，还包括：于所述量子点层远离所述衬底基板的一侧形成第三无机层，且所述第三无机层覆盖所述第二无机层；于所述第三无机层远离所述衬底基板的一侧形成多个间隔设置的柱状支撑体，所述柱状支撑体沿垂直所述衬底方向的截面为梯形，所述梯形的短边靠近所述阻隔层；于所述柱状支撑体的外表面形成金属反光层，所述金属反光层用于将从入光侧入射的光线反射至所述量子点层。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的彩膜基板，设置有无机层，可分别将彩色滤光层与量子点层、量子点层与阻隔层进行分隔，当彩色滤光层、量子点层及阻隔层为有机层时，上述无机层位于各有机层之间，由于有机层与无机层的内部应力方向相反，可进行抵消，所以，该第一无机层的设置可减小彩膜基板因有机层较多较厚产生的内部应力，可有效降低彩膜基板的弯曲程度，从而确保该彩膜基板与显示背板的对合精准度，避免串色现象。且第一无机层的第一部分位于彩色滤光层与量子点层之间，其对量子点层所发的光具有一定的光学调节作用，可使得彩膜基板发出的光更加柔和。附图说明图1为本申请实施例提供的彩膜基板的剖视结构示意图；图2为本申请实施例提供的彩膜基板的制作流程示意图；图3为本申请实施例提供的显示装置的剖视结构示意；图4为采用光刻胶去掉柱状支撑体远离衬底基板的表面上的Al膜层的工艺流程示意图；图5为采用光刻胶和硬掩模去掉柱状支撑体远离衬底基板的表面上的Al膜层的工艺流程示意图。具体实施方式下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。本
技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。本
技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”和“该”也可包括复数形式。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。下面结合附图以具体的实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。请参照图1，为本实施例提供的一种彩膜基板的结构示意图，该彩膜基板可与显示背板对合形成显示装置，如量子点发光二极管(QD-LED)、量子点有机发光二极管(QD-OLED)等。其中，显示背板通常能够发出能量较高的蓝光，以激发彩膜基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种彩膜基板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的黑矩阵和彩色滤光层、位于所述彩色滤光层远离所述衬底基板一侧的量子点层和位于所述黑矩阵远离所述衬底基板一侧的阻隔层，其特征在于，还包括第一无机层，所述第一无机层至少包括：/n位于所述彩色滤光层与所述量子点层之间的第一部分；/n位于所述量子点层与所述阻隔层之间的第二部分；/n位于所述阻隔层远离所述衬底基板一侧的第三部分。/n

【技术特征摘要】
1.一种彩膜基板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的黑矩阵和彩色滤光层、位于所述彩色滤光层远离所述衬底基板一侧的量子点层和位于所述黑矩阵远离所述衬底基板一侧的阻隔层，其特征在于，还包括第一无机层，所述第一无机层至少包括：
位于所述彩色滤光层与所述量子点层之间的第一部分；
位于所述量子点层与所述阻隔层之间的第二部分；
位于所述阻隔层远离所述衬底基板一侧的第三部分。


2.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，还包括第二无机层，所述第二无机层包括：
位于所述彩色滤光层靠近所述衬底基板的一侧的第四部分；
位于所述彩色滤光层与所述黑矩阵之间的第五部分；
位于所述黑矩阵与所述阻隔层之间的第六部分。


3.根据权利要求2所述的彩膜基板，其特征在于，还包括多个柱状支撑体，多个所述柱状支撑体间隔位于所述阻隔层远离所述衬底基板的一侧。


4.根据权利要求3所述的彩膜基板，其特征在于，所述柱状支撑体沿垂直所述衬底方向的截面为梯形，所述梯形的短边靠近所述阻隔层；
还包括金属反光层，所述金属反光层位于所述柱状支撑体的外表面，用于将从入光侧入射的光线反射至所述量子点层。


5.根据权利要求3所述的彩膜基板，其特征在于，还包括第三无机层，所述第三无机层位于所述阻隔层与所述柱状支撑体之间，且覆盖所述量子点层，用于对所述量子点层进行保护。


6.根据权利要求5所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一无机层、所述第二无机层及所述第三无机层的厚度的取值范围均为100nm-1500nm，且所述第一无机层的厚度大于所述第二无机层的厚度，所述第二无机层的厚度大于所述第三无机层的厚度。


7.根据权利要求5或6所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一无机层、所述第二无机层及所述第三无机层的材料均包括氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅及氧化铝中的一种或多种。

【专利技术属性】
技术研发人员：隋凯，张小磊，孙中元，贾媛，薛大鹏，史鲁斌，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11