一种低平衡压贮氢合金压力浓度温度性能测试方法技术

一种贮氢合金ＰＣＴ性能测试方法，用压力计或电离规测出总压强值Ｐ＃－［ｔ］，用四极质谱计测得样品室所有气体的质谱，用石英振荡微天平计测量薄膜质量的微小变化即薄膜吸氢或放氢量的变化；根据公式计算得到氢分压ｐＨ＃－［２］、氢浓度Ｃ＃－［Ｈ］：从而绘制出ＰＣ曲线。本发明专利技术用质谱法测量氢分压结合动态的石英振荡微天平方法测量含氢量，在测量氢分压的同时测定贮氢材料的含氢量；由于质量测量方法和压力测量方法都是高精度的测量方法，因此测量达到前所未有的精度。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术为测定贮氢合金压力-浓度-温度(PCT)曲线的一种方法，特别提供了一种测定具有超低氢离解平衡压材料的PCT曲线的方法，并且有较高的测试精度。容量法的原理是根据与贮氢材料样品室相连通的一个定容积内的氢气压力变化(升高或降低)计算贮氢材料的含氢量的变化。连续测定定容积内的充氢或放氢压力变化和累积计算贮氢材料内氢浓度变化，从而得到PC曲线。容量法测定充氢过程PCT曲线时，按照估算的充氢量进行充氢。由于是通过调整定容积内的氢气压力调整样品充氢量，测试比较方便。而测量放氢的PCT曲线时，通过调整定容积内的放氢压力控制放氢量，在低压和超低压时由于压力测量不准确，在测量低平衡压的PCT曲线时较为困难甚至不能测量。质量法是通过连续记录贮氢材料的吸氢或放氢质量变化及相应的平衡氢压力变化，从而得到PCT曲线。质量法的优点是对吸氢量或放氢量的测量为直接测量，能够动态或静态地测量PCT曲线，对于测定充氢和放氢过程都很方便。上述两种方法在测量超低平衡压材料的PCT曲线时，都遇到氢气平衡压的测定困难，而且不准确的问题。因为在低气压条件下，除了氢气的分压，真空室内表面吸附气体，如水蒸气、氮气等的分压对总压力的贡献较大，氢分压需要分离测量。在PCT测试技术中，低和超低平衡压(特别是离解平衡压)的准确测定是亟待解决的技术难题。另一个难题是在超低平衡压测试条件下，材料的吸、放氢量及吸、放氢量的变化量在很小的数量级，因此贮氢材料含氢量的精确测量也是亟待解决的问题。为得到室温下一些低平衡压的数据，常用做法是测定高温下的P-C曲线，然后外推进行计算。计算过程如下在充放氢反应中，根据热力学理论有如下关系InPH2=ΔH0RT-ΔS0R]]>其中ΔH0是标准焓变，ΔS0是标准熵变，R是气体常数，ΔH0及ΔS0是常数。因此 与 之间存在线性关系。所以，由中高温的数据可以得到 与 的线性关系，将该线性关系外推到室温，计算可得到室温的平衡压力。因此该方法是一种间接的测试方法，精度取决于高温测试精度。当测试温度远高于室温时，由于外推会将误差放大，使外推的精度大大降低。如果材料在由室温加热至测试温度过程中发生相变，则高温的线性关系不能外推至室温。比如对于Ti材料，当加热至320℃，发生β相变，室温的平衡压数据就不能用320℃以上的数据外推计算。因此外推的方法有一定的局限性，即只能测定一些特定的不发生相变的材料的低压低温PCT性能，而且测试精度较差。(1)在某一温度T下对待测薄膜贮氢材料充氢或放氢；(2)在充氢或放氢过程中某一时刻，用压力计测出总压强值Pt，用四极质谱计测得质谱，用石英振荡微天平计测量薄膜质量的微小变化；(3)计算得到该时刻的氢分压 ，公式如下pH1=pt·sH2s=pt·∫n1n2Indn∫1NIndn]]>式中 、S分别是氢气体峰的面积和所有气体峰的面积；In是离子流的强度；N是质谱计的测量上限质量数；n1、n2分别是某气体峰起始质量数和终了质量数；n是质量数，其值在质谱计测量的质量数范围内；(4)计算得到该时刻待测薄膜贮氢材料样品中氢浓度CH对于充氢过程CH=ΔMqMfilm]]>对于放氢过程CH=M0-ΔMqMfilm]]>其中Mfilm为贮氢合金膜的质量，g；M0为放氢前样品中的初始氢含量，g；ΔMq是薄膜质量的变化，g。ΔMq计算公式如下ΔMq=-A·Δfq(ρMVq2fq2)]]>式中A是贮氢材料膜的面积，cm2；Δfq是频率改变量，Hz；fq是在充氢或放氢前的响应频率，Hz；ρM是贮氢合金薄膜的密度，g/cm3；Vq是石英中的声波速度，为3.336×105cms-1。(5)依据上述方法测得充氢或放氢过程中不同时刻所对应的 、和CH，从而绘制出PCT曲线。本专利技术低平衡压贮氢合金PCT性能测试方法，所述计算可以很容易地用计算机软件实现。本专利技术采用的是质量法，即通过连续记录贮氢材料的吸氢或放氢质量变化及相应的氢分压，来获得PCT曲线的。技术关键是采用四极质谱计，实现了贮氢材料PCT曲线测试过程中对低平衡压及超低平衡压的准确测量。通常在测试低平衡压材料PCT曲线时，一般方法测得的压力值是氢气及容器内其它所有气体总压力值。其它是指容器表面的放气(如水蒸气)和容器及管路、阀门等的漏气气体，当氢气压力较高时，如氢气分压在Pa以上的数量级，容器内的其它气体的分压可以忽略。本专利技术采用四极质谱计，测量和计算氢气分压，氢离解分压范围为5×10-2Pa～5×10-9Pa。四极质谱方法是根据测定的离子流与质量数曲线，扣除背底后，将所有峰形进行积分求出面积，所测气体(如氢气)的面积占总面积的比例即是该气体的分压强分数。对于特定的元素，如氢气，质量数为2，求出质量数为2的峰的面积，再除以所有峰的总面积，乘以总压强后，得到氢气的分压强。分压强的计算如下式所示。pi=pt·sis=pt·∫n1n2Indn∫1NIndn]]>式中Pi是某种气体的分压强，是待测定的压强值，在PCT试验中单指氢气的分压值；Si、S分别是该气体峰的面积和所有气体峰的面积；In是离子流的强度；N是质谱计的测量上限质量数；n1、n2分别是某气体峰起始质量数和终了质量数；n是质量数，其值在质谱计测量的质量数范围内。因此四极质谱方法解决了在低压条件下气体分压的测量问题。另外，本专利技术在测量充、放氢量的过程中，采用石英振荡微天平(QCM)方法直接测量薄膜贮氢材料含氢量的变化。石英振荡微天平方法测量质量变化是目前分辨率最高的方法之一，其原理是根据薄膜质量的微小变化，引起石英振子频率的改变，根据石英振子频率及频率改变情况，计算薄膜质量的改变。薄膜质量变化量如下式所示ΔMq=-A·Δfq(ρMVq2fq2)]]>其中，ΔMq是质量变化量，g；A是贮氢材料膜的面积，cm2；Δfq是频率改变量，Hz；fq是在充氢或放氢前的响应频率，Hz；ρM是贮氢合金薄膜的密度，g/cm3；Vq是石英中的声波速度，3.336×105cms-1。因此石英振子共振频率的改变能够反应出吸、放氢量的变化，由此解决了吸、放氢过程中的贮氢材料的微小质量改变的测量问题，从而能够测定吸氢或放氢量。综上所述，本专利技术用质谱法测量氢分压结合动态的石英振荡微天平方法测量含氢量，在测量氢分压的同时测定贮氢材料的含氢量；由于质量测量方法和压力测量方法都是高精度的测量方法，因此测量达到前所未有的精度。将镀膜后的石英片及其连接电线移入PCT样品室中。即将含有引线的振子插接在绝缘良好的接线柱上，并将热电偶固定在贮氢合金膜的表面。然后密封样品室，并将样品室抽真空至10-5Pa量级。然后开始加热样品室，待石英片的温度到达250℃后保本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种贮氢合金压力浓度温度性能测试方法，其特征在于：（１）在某一温度Ｔ下对待测薄膜贮氢材料充氢或放氢；（２）在充氢或放氢过程中某一时刻，用压力计或电离规测出总压强值Ｐ↓［ｔ］，用四极质谱计测得样品室所有气体的质谱，用石英振荡微天平计测 量薄膜质量的微小变化即薄膜吸氢或放氢量的变化；（３）计算得到该时刻的氢分压ｐ↓［Ｈ２］，公式如下：ｐ↓［Ｈ２］＝ｐ↓［ｔ］.Ｓ↓［Ｈ２］／Ｓ＝ｐ↓［ｔ］.＊Ｉ↓［ｎ］ｄｎ／＊Ｉ↓［ｎ］ｄｎ式中：Ｓ↓［Ｈ２］、Ｓ分别是氢气体峰的面 积和所有气体峰的面积；Ｉ↓［ｎ］是离子流的强度；Ｎ是质谱计的测量上限质量数；ｎ↓［１］、ｎ↓［２］分别是某气体峰起始质量数和终了质量数；ｎ是质量数，其值在质谱计测量的质量数范围内；（４）计算得到该时刻待测薄膜贮氢材料样品中氢浓度Ｃ↓［Ｈ ］：对于充氢过程：Ｃ↓［Ｎ］＝ΔＭ↓［ｑ］／Ｍ↓［ｆｉｌｍ］对于放氢过程：Ｃ↓［Ｍ］＝Ｍ↓［０］－ΔＭ↓［ｑ］／Ｍ↓［ｆｉｌｍ］其中Ｍ↓［ｆｉｌｍ］为贮氢合金膜的质量，Ｍ↓［０］为放氢前样品中的初始氢含量；ΔＭ↓［ｑ］是 薄膜质量的变化计算公式如下：ΔＭ↓［ｑ］＝－Ａ.Δｆ↓［ｑ］（ρ↓［Ｍ］Ｖ↓［ｑ］／２ｆ↓［ｑ］↑［２］）式中：Ａ是贮氢材料膜的面积，ｃｍ↑［２］；Δｆ↓［ｑ］是频率改变量，Ｈｚ；ｆ↓［ｑ］是在充氢或放氢前的响应频率，Ｈｚ；ρ↓［Ｍ ］是贮氢合金薄膜的密度，ｇ／ｃｍ↑［３］；Ｖ↓［ｑ］是石英中的声波速度３．３３６×１０↑［５］ｃｍｓ↑［－１］；（５）依据上述方法测得充氢或放氢过程中的ｐ↓［Ｈ２］氢平衡压力、和Ｃ↓［Ｈ］平衡时的氢浓度，从而绘制出ＰＣ曲线。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘实，赵越，王隆保，吕曼琪，
申请(专利权)人：中国科学院金属研究所，
类型：发明
国别省市：89[中国|沈阳]