阵列基板、显示面板及电子设备制造技术

本申请实施例公开了一种阵列基板、显示面板及电子设备，该阵列基板包括基底，包括控制元件；第三金属层，设于所述基底上；所述第三金属层包括第一电极，所述第一电极与所述控制元件连接；PIN二极管，设于所述第一电极上，所述PIN二极管包括第一半导体层和本征半导体层；所述PIN二极管至少覆盖部分所述控制元件的半导体层和部分第一电极；第二导电层，设于所述PIN二极管上，所述第二导电层包括第二电极，所述第二电极覆盖所述PIN二极管。本申请实施例的阵列基板、显示面板及电子设备，可以提高指纹识别的准确度。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板及电子设备
本申请涉及显示
，具体涉及一种阵列基板、显示面板及电子设备。
技术介绍
光学指纹技术与显示面板相结合是目前主要的方向之一，它的原理是利用指纹的谷和脊反射到显示面板的传感区域内的光的强弱不同，从而将不同的光信号转换成电信号，通过芯片提取出来，形成关键的指纹图样，达到指纹识别的目的。目前应用于有机发光二极管的光学指纹技术比较广泛，但运用在液晶显示面板的光学指纹技术很少，由于受到背光、开口率等因素的限制，从而增加了在液晶显示面板内集成光学指纹识别功能的难度，使得指纹识别的准确度降低。
技术实现思路
本申请实施例提供一种阵列基板、显示面板及电子设备，可以提高指纹识别的准确度。本申请实施例提供一种阵列基板，其包括：基底，包括控制元件；第三金属层，设于所述基底上；所述第三金属层包括第一电极，所述第一电极与所述控制元件连接；PIN二极管，设于所述第一电极上，所述PIN二极管包括第一半导体层和本征半导体层；所述PIN二极管至少覆盖部分所述控制元件的半导体层和部分第一电极；第二导电层，设于所述PIN二极管上，所述第二导电层包括第二电极，所述第二电极覆盖所述PIN二极管。本申请实施例还提供一种显示面板，其包括上述阵列基板。本申请实施例还提供一种电子设备，其包括上述显示面板。本申请实施例的阵列基板、显示面板及电子设备，包括基底，包括控制元件；第三金属层，设于所述基底上；所述第三金属层包括第一电极，所述控制元件与所述第一电极连接；PIN二极管，设于所述第一电极上，所述PIN二极管包括第一半导体层和本征半导体层；所述PIN二极管至少覆盖部分所述控制元件的半导体层和部分第一电极；第二导电层，设于所述PIN二极管上，所述第二导电层包括第二电极；所述第二电极覆盖所述PIN二极管；由于感光传感器至少覆盖部分控制元件的半导体层，因此提高了开口率，进而提高指纹识别的准确度。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请一实施例提供的阵列基板的剖面示意图。图2为图1所示的阵列基板的制备工艺流程图。图3为本申请另一实施例提供的阵列基板的剖面示意图。图4为本申请一实施例提供的显示面板的结构示意图。图5为本申请一实施例提供的电子设备的结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。请参阅图1至图3，图1为本申请一实施例提供的阵列基板的剖面示意图。如图1所示，本实施例的阵列基板100包括基底10、第三金属层21、PIN二极管30以及第二导电层50。基底10包括控制元件T1；该控制元件T1也即为薄膜晶体管。在一实施方式中，基底10可包括：衬底基板11、第一半导体层14、第一绝缘层15、第一金属层16以及第二金属层18。此外该基底10还可包括遮光层12、缓冲层13、栅绝缘层17、平坦层19以及钝化层19’中的至少一种。衬底基板11可为玻璃基板或者柔性衬底。衬底基板11的材质包括玻璃、二氧化硅、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乳酸、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚氨酯中的一种或多种。遮光层12设于衬底基板11上，遮光层12的材料可为金属材料。缓冲层13设于遮光层12上，所述缓冲层13的材料包括但不限于氮化硅或氧化硅。第一半导体层14设于所述缓冲层13上；在一优选实施方式中，第一半导体层14的材料为多晶硅。结合图2，第一半导体层14可包括第一半导体部141。第一绝缘层15设于所述第一半导体层14上；第一绝缘层15的材料可包括氮化硅、氧化硅以及有机光阻中的至少一种。第一金属层16设于所述第一绝缘层15上；所述第一金属层16包括第一栅极161。第一金属层16的材料可包括铜、铝以及钛中的至少一种。栅绝缘层17设于第一金属层16上，栅绝缘层17的材料可包括氮化硅、氧化硅中的至少一种。第二金属层18设于所述栅绝缘层17上，所述第二金属层18包括第一源极181和第一漏极182；所述第二金属层18的材料可与第一金属层16的材料相同。平坦层19设于第二金属层18上，平坦层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n基底，包括控制元件；/n第三金属层，设于所述基底上；所述第三金属层包括第一电极，所述第一电极与所述控制元件连接；/nPIN二极管，设于所述第一电极上，所述PIN二极管包括第一半导体层和本征半导体层；所述PIN二极管至少覆盖部分所述控制元件的半导体层和部分第一电极；/n第二导电层，设于所述PIN二极管上，所述第二导电层包括第二电极，所述第二电极覆盖所述PIN二极管。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基底，包括控制元件；
第三金属层，设于所述基底上；所述第三金属层包括第一电极，所述第一电极与所述控制元件连接；
PIN二极管，设于所述第一电极上，所述PIN二极管包括第一半导体层和本征半导体层；所述PIN二极管至少覆盖部分所述控制元件的半导体层和部分第一电极；
第二导电层，设于所述PIN二极管上，所述第二导电层包括第二电极，所述第二电极覆盖所述PIN二极管。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第三金属层还包括第一金属部；
所述第二电极与所述第一金属部连接。


3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
第一导电层，设于所述PIN二极管和所述第二导电层之间，所述第一导电层包括第一极板，所述第一极板与所述第一电极连接。


4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
所述第二电极覆盖所述第一电极和所述第一极板。


5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
第二极板，所述第二极板为所述第二电极中与所述第一极板位置对应的部分。


6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾飞，宋继越，宋德伟，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42