一种红外接收器制造技术

本发明专利技术公开一种红外接收器，包括光敏二极管芯片、三极管芯片、电阻、芯片载体和封装体，光敏二极管芯片、三极管芯片和电阻固设于芯片载体顶部，封装体包围芯片载体顶部，芯片载体的底部伸出封装体并设有控制脚、集电极引脚和发射极引脚，光敏二极管芯片和三极管芯片电性连接，电阻跨接在光敏二极管芯片的两个电极之间，三极管芯片分别与控制脚、集电极引脚和发射极引脚电性连接。该红外接收器既保留了光敏二极管检测角度大、响应速度快，低温漂的特点，又可实现信号放大，便于控制，元器件间连线较短，抗干扰能力强，信噪比高。

【技术实现步骤摘要】
一种红外接收器
本专利技术涉及光敏电子元器件
，尤其涉及一种红外接收器。
技术介绍
红外光敏二极管因其大接收角度、高响应速度、低温票等特点被广泛用做红外检测单元，但光敏二极管检测到信号时产生的是电流信号且幅值较小，所以需要把电流信号转换为电压信号并放大处理后才能提供给控制系统使用。以红外触摸屏的红外检测单元为例，红外检测单元由光敏二极管、三极管和放大器等组成，光敏二极管接收红外发射信号并产生微弱的电流信号，被三极管放大后流过电阻转化为初级电压信号再被放大器将信号放大至足够的幅度，送给MCU等控制系统使用。现有方案的光敏二极管、三极管和放大器为独立器件或电路，相互间的电气连接通过印制电路板(PCB，PrintedCircuitBoard)的走线实现，如图1所示，光敏二极管1、三极管3、运算放大器5、第一电阻2、第二电阻4等元器件通过PCB板走线实现电气连接，线路较长，容易受到干扰，导致信噪比低。
技术实现思路
为解决现有方案容易受到干扰以及信噪比低的问题，本专利技术提供一种红外接收器，既保留了光敏二极管检测角度大、响应速度快，低温漂的特点，又加入了三极管以实现信号放大和方便上位机对红外接收器的开启和关断；同时，元器件合封带来元器件间连线较短，抗干扰能力强，信噪比高。为了达到上述专利技术目的，本专利技术采用以下技术方案：一种红外接收器，包括光敏二极管芯片、三极管芯片和电阻，还包括芯片载体和封装体，光敏二极管芯片、三极管芯片和电阻固设于芯片载体顶部，封装体包围芯片载体顶部，芯片载体的底部伸出封装体并设有控制脚、集电极引脚和发射极引脚，光敏二极管芯片和三极管芯片电性连接，电阻跨接在光敏二极管芯片的两个电极之间，三极管芯片分别与控制脚、集电极引脚和发射极引脚电性连接。作为本专利技术的优选方案之一，芯片载体顶部设有安装光敏二极管芯片的PD基岛、安装三极管芯片的TR基岛和键合基岛。作为本专利技术的优选方案之一，光敏二极管芯片通过装片胶固设于PD基岛；三极管芯片通过装片胶固设于TR基岛；作为本专利技术的优选方案之一，所述电阻通过电阻粘接胶粘接、固定在芯片载体上，并通过电阻粘接胶实现与芯片载体的电性连接，所述电阻粘接胶为锡膏或银浆。作为本专利技术的优选方案之一，所述光敏二极管芯片为PIN型光敏二极管，衬底型可为N型或P型；作为本专利技术的优选方案之一，所述三极管芯片背面电极为集电极，正面设有集电极和基极，为NPN型三极管芯片或PNP型三极管芯片；当所述三极管芯片为NPN型三极管芯片时，所述光敏二极管芯片的阴极N和所述控制脚相连通，阳极P和所述三极管芯片的基极相连；当所述三极管芯片为PNP型三极管芯片时，所述光敏二极管芯片的阳极P和所述控制脚相连通，阴极N和所述三极管芯片的基极相连；作为本专利技术的优选方案之一，所述芯片载体为基板，基板顶面还设有安装电阻的电阻基岛，所述键合基岛包括A键合基岛和B键合基岛，基板底部一侧设有控制脚、集电极引脚和发射极引脚。作为本专利技术的优选方案之一，所述芯片载体为引线框架，所述键合基岛包括C键合基岛和D键合基岛，PD基岛延伸至封装体外成为控制脚，TR基岛延伸至封装体外成为集电极引脚，C键合基岛延伸至封装体外成为发射极引脚。作为本专利技术的优选方案之一，所述三极管芯片的表面覆有黑胶。作为本专利技术的优选方案之一，所述封装体为带有半球形的凸透镜结构，由树脂制成，可透过红外光、阻断可见光。作为本专利技术的优选方案之一，用于手势检测系统、红外开关系统、人行通道系统、红外触摸屏对管检测系统中。本专利技术与现有技术相比，有益效果是：(1)保留了光敏二极管检测角度大、响应速度快，低温漂的特点，又加入了三极管放大了光敏二极管所产生电流信号，提高了输出幅值，提升了信噪比。(2)提供了三极管的集电极C、三极管发射极E以及和三极管基极B相连的控制脚三个外部引脚，可很方便地与外部电路相连，实现电流电压转换以及对所述红外接收模块的开启和关断。(3)元器件合封在一个封装体内，电气连接通过键合线连接，缩短了元器件间连线，提高了抗干扰能力和信噪比。附图说明图1是现有技术的红外接收模块的一种器件连接示意图。图2是实施例1所述红外接收器封装结构示意图。图3是实施例1所述红外接收器的等效电路原理图。图4是实施例2所述红外接收器封装结构示意图。图5是实施例2所述红外接收器的等效电路原理图；图中:1-光敏二极管；2-电阻；3-三极管；4-运算放大器；5-PCB板；6-光敏二极管芯片；7-三极管芯片；8-基板；9-铜箔线；10-键合线；11-装片胶；12-PD基岛；13-TR基岛；14-封装体；15-A键合基岛；16-B键合基岛；17-集电极引脚；18-发射极引脚；19-控制脚；20-黑胶；21-电阻粘接胶；22-电阻基岛；23-引线框架；24-C键合基岛；25-D键合基岛。具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。实施例1如图2和图3所示，本实施例提供一种红外接收器，其包括光敏二极管芯片6、三极管芯片7和电阻2，还包括基板8和封装体14，封装体14包围基板8的顶部，封装体将设于基板8顶部的光敏二极管芯片6、三极管芯片7和电阻2合封在一起，基板8的底部设于封装体14外，基板8的底部一侧设有控制脚19、集电极引脚17和发射极引脚18三个外部引脚，光敏二极管芯片6和三极管芯片7电性连接，电阻2跨接在光敏二极管芯片6的两个电极之间，三极管芯片7分别与控制脚19、集电极引脚17和发射极引脚18电性连接。所述基板8上披覆有铜箔线9，所述铜箔线9被配置为与键合线10一起实现光敏二极管芯片6、三极管芯片7、电阻2和控制脚19、集电极引脚17和发射极引脚18三个外部引脚间的连通，并形成控制脚19、集电极引脚17和发射极引脚18三个外部引脚。所述铜箔线9依据连通需求配置有用于安装光敏二极管的PD基岛12、安装三极管芯片的TR基岛13、安装电阻的电阻基岛22和键合用的A键合基岛15、B键合基岛16；本实施例采用的所述光敏二极管芯片为P衬底PIN型光敏二极管芯片或N衬底型PIN型光敏二极管芯片；所述三极管芯片为NPN型三极管芯片或PNP型三极管芯片，光敏二极管芯片和三极管芯片的类型可随机组合，只需相应配置电气连接关系；当所述三极管芯片为NPN型三极管芯片时，所述光敏二极管芯片的阴极N和所述控制脚相连通，阳极P和所述三极管芯片的基极相连；当所述三极管芯片为PNP型三极管芯片时，所述光敏二极管芯片的阳极P和所述控制脚相连通，阴极N和所述三极管芯片的基极相连。下面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种红外接收器，包括光敏二极管芯片、三极管芯片和电阻，其特征在于，还包括芯片载体和封装体，光敏二极管芯片、三极管芯片和电阻固设于芯片载体顶部，封装体包围芯片载体顶部，芯片载体的底部伸出封装体并设有控制脚、集电极引脚和发射极引脚，光敏二极管芯片和三极管芯片电性相连，电阻跨接在光敏二极管芯片的两个电极之间，三极管芯片分别与控制脚、集电极引脚和发射极引脚电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种红外接收器，包括光敏二极管芯片、三极管芯片和电阻，其特征在于，还包括芯片载体和封装体，光敏二极管芯片、三极管芯片和电阻固设于芯片载体顶部，封装体包围芯片载体顶部，芯片载体的底部伸出封装体并设有控制脚、集电极引脚和发射极引脚，光敏二极管芯片和三极管芯片电性相连，电阻跨接在光敏二极管芯片的两个电极之间，三极管芯片分别与控制脚、集电极引脚和发射极引脚电性连接。


2.根据权利要求1所述的红外接收器，其特征在于，所述光敏二极管芯片为PIN型光敏二极管，衬底可为N型或P型。


3.根据权利要求1所述的红外接收器，其特征在于，所述三极管芯片背面电极为集电极，正面设有集电极和基极，为NPN型三极管芯片或PNP型三极管芯片；当所述三极管芯片为NPN型三极管芯片时，所述光敏二极管芯片的阴极N和所述控制脚相连通，阳极P和所述三极管芯片的基极相连；当所述三极管芯片为PNP型三极管芯片时，所述光敏二极管芯片的阳极P和所述控制脚相连通，阴极N和所述三极管芯片的基极相连。


4.根据权利要求1所述的红外接收器，其特征在于，芯片载体顶部设有安装光敏二极管芯片的PD基岛、安装三极管芯片的TR基岛和键合基岛。


5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：杭州敏和光电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33