OLED显示面板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:25919055 阅读:24 留言:0更新日期:2020-10-13 10:38
本申请提供了一种OLED显示面板及显示装置,OLED显示面板包括:衬底;驱动电路层;平坦化层;发光功能层,包括像素电极层、像素定义层、发光材料层、公共电极层,像素定义层图案化形成像素定义区和凹槽,凹槽设置于至少两个相邻的像素定义区之间,发光材料层形成于像素定义区内,公共电极层平铺于像素定义层和发光材料层上;封装层,凹槽区内封装层的厚度,大于凹槽区外和像素定义区外封装层的厚度;触控层,包括触控电极,触控电极为围绕像素定义区的网格结构,触控电极在衬底上的投影与凹槽在衬底上的投影存在至少部分重合。增大了公共电极与触控电极间的距离,减小了公共电极与触控电极间的寄生电容,提高了OLED显示面板的触控报点率和触控灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
OLED显示面板及显示装置
本申请涉及显示领域,尤其涉及一种OLED显示面板及显示装置。
技术介绍
电容式触摸屏由于其高耐久性,长寿命,并且支持多点触控的功能,广泛应用于各种电子交互场景设备中。电容式触摸屏的工作原理是通过检测手指触摸位置处电容量的变化来检测手指触摸的具体位置。目前针对柔性AMOLED(Active-matrixorganiclight-emittingdiode,有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)On-cell(在AMOLED盖板上集成触控层)显示屏,其触控电极通常直接制作在薄膜封装层上表面,然而由于薄膜封装层较薄(通常厚度<10um),触控电极与阴极之间的距离较小,触控电极与阴极之间的寄生电容较大,使得大尺寸触摸屏远端的触控电极通道的RC延时大,从而导致触控电极的扫描频率大幅下降,进而导致触控报点率等关键性能降低。因此,现有AMOLEDOn-cell显示屏存在触控报点率低的问题,需要解决。
技术实现思路
本申请提供一种OLED显示面板及显示装置,以改进现有AMOLEDOn-cell显示屏存在触控报点率低的问题。为解决以上问题,本申请提供的技术方案如下:本申请提供一种OLED显示面板,其包括:衬底;驱动电路层,形成于所述衬底上;平坦化层,形成于所述驱动电路层上;发光功能层,形成于所述平坦化层上,包括在远离所述衬底方向依次设置的像素电极层、像素定义层、发光材料层、以及公共电极层,所述像素电极层图案化形成像素电极,所述像素定义层图案化形成像素定义区以及凹槽,所述凹槽设置于至少两个相邻的所述像素定义区之间,所述像素定义区对应于所述像素电极,所述发光材料层形成于所述像素定义区内,所述公共电极层平铺于所述像素定义层和所述发光材料层上;封装层,形成于所述公共电极层上,凹槽区内所述封装层的厚度,大于所述凹槽区外和所述像素定义区外所述封装层的厚度;触控层,形成于所述封装层上,包括触控电极,所述触控电极为围绕所述像素定义区的网格结构,所述触控电极在所述衬底上的投影,与所述凹槽在所述衬底上的投影存在至少部分重合。在本申请提供的OLED显示面板中,所述触控电极在所述衬底上的投影,落入所述凹槽在所述衬底上的投影内。在本申请提供的OLED显示面板中,所述凹槽的底部位于所述像素定义层内。在本申请提供的OLED显示面板中,所述凹槽贯穿所述像素定义层,且所述凹槽的底部位于所述像素定义层和所述平坦化层的交界面上。在本申请提供的OLED显示面板中,所述凹槽贯穿所述像素定义层,且所述凹槽的底部位于所述平坦化层内。在本申请提供的OLED显示面板中,所述凹槽同时贯穿所述像素定义层和所述平坦化层,且所述凹槽的底部位于所述平坦化层和所述驱动电路层的交界面上。在本申请提供的OLED显示面板中,所述凹槽包括第一凹槽部和第二凹槽部,所述第二凹槽部设置于所述第一凹槽部远离所述封装层的一侧,所述第二凹槽部在所述衬底上的投影落入所述第一凹槽部在所述衬底上的投影内、且比所述第一凹槽部在所述衬底上的投影面积小。在本申请提供的OLED显示面板中,所述触控电极在所述衬底上的投影,落入所述第二凹槽部在所述衬底上的投影内。在本申请提供的OLED显示面板中,所述第一凹槽部和所述第二凹槽部均位于所述像素定义层内,且所述第二凹槽部的底部位于所述像素定义层内。在本申请提供的OLED显示面板中,所述第一凹槽部和所述第二凹槽部均位于所述像素定义层内,且所述第二凹槽部的底部位于所述像素定义层和所述平坦化层的交界面上。在本申请提供的OLED显示面板中,所述第一凹槽部贯穿所述像素定义层,所述第二凹槽部位于所述平坦化层内,且所述第二凹槽部的底部位于所述平坦化层内。在本申请提供的OLED显示面板中,所述平坦化层包括第一平坦化层和第二平坦化层,所述第二平坦化层设置于所述第一平坦化层远离所述封装层的一侧,所述第一凹槽部贯穿所述像素定义层,所述第二凹槽部贯穿所述第一平坦化层,且所述第二凹槽部的底部位于所述第一平坦化层和所述第二平坦化层的交界面上。在本申请提供的OLED显示面板中,所述第一凹槽部贯穿所述像素定义层,所述第二凹槽部贯穿所述平坦化层,且所述第二凹槽部的底部位于所述平坦化层和所述驱动电路层的交界面上。同时,本申请还提供一种显示装置,其包括本申请提供的任一所述OLED显示面板。本申请提供了一种OLED显示面板及显示装置,所述OLED显示面板包括:衬底;驱动电路层,形成于所述衬底上;平坦化层,形成于所述驱动电路层上;发光功能层,形成于所述平坦化层上,包括在远离所述衬底方向依次设置的像素电极层、像素定义层、发光材料层、以及公共电极层,所述像素电极层图案化形成像素电极,所述像素定义层图案化形成像素定义区以及凹槽,所述凹槽设置于至少两个相邻的所述像素定义区之间,所述像素定义区对应于所述像素电极,所述发光材料层形成于所述像素定义区内,所述公共电极层平铺于所述像素定义层和所述发光材料层上;封装层,形成于所述公共电极层上,凹槽区内所述封装层的厚度,大于所述凹槽区外和所述像素定义区外所述封装层的厚度;触控层,形成于所述封装层上,包括触控电极,所述触控电极为围绕所述像素定义区的网格结构,所述触控电极在所述衬底上的投影,与所述凹槽在所述衬底上的投影存在至少部分重合。像素定义层内凹槽的设置,增大了公共电极与触控电极之间的距离,减小了所述公共电极与所述触控电极之间的寄生电容,提高了所述OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度。附图说明下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为本申请实施例提供的OLED显示面板的第一种结构示意图。图2为本申请实施例提供的OLED显示面板的第二种结构示意图。图3为本申请实施例提供的触控层的结构示意图。图4为本申请实施例提供的触控电极的平面结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请的具体实施方案,对本申请实施方案和/或实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述,显而易见的,下面所描述的实施方案和/或实施例仅仅是本申请一部分实施方案和/或实施例,而不是全部的实施方案和/或实施例。基于本申请中的实施方案和/或实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方案和/或实施例,都属于本申请保护范围。本申请所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[左]、[右]、[前]、[后]、[内]、[外]、[侧]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明和理解本申请,而非用以限制本申请。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或是暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。针对现有AMOLEDOn-cell显示屏存在触控报点率低的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括:/n衬底;/n驱动电路层,形成于所述衬底上;/n平坦化层,形成于所述驱动电路层上;/n发光功能层,形成于所述平坦化层上,包括在远离所述衬底方向依次设置的像素电极层、像素定义层、发光材料层、以及公共电极层,所述像素电极层图案化形成像素电极,所述像素定义层图案化形成像素定义区以及凹槽,所述凹槽设置于至少两个相邻的所述像素定义区之间,所述像素定义区对应于所述像素电极,所述发光材料层形成于所述像素定义区内,所述公共电极层平铺于所述像素定义层和所述发光材料层上;/n封装层,形成于所述公共电极层上,凹槽区内所述封装层的厚度,大于所述凹槽区外和所述像素定义区外所述封装层的厚度;/n触控层,形成于所述封装层上,包括触控电极,所述触控电极为围绕所述像素定义区的网格结构,所述触控电极在所述衬底上的投影,与所述凹槽在所述衬底上的投影存在至少部分重合。/n

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括:
衬底;
驱动电路层,形成于所述衬底上;
平坦化层,形成于所述驱动电路层上;
发光功能层,形成于所述平坦化层上,包括在远离所述衬底方向依次设置的像素电极层、像素定义层、发光材料层、以及公共电极层,所述像素电极层图案化形成像素电极,所述像素定义层图案化形成像素定义区以及凹槽,所述凹槽设置于至少两个相邻的所述像素定义区之间,所述像素定义区对应于所述像素电极,所述发光材料层形成于所述像素定义区内,所述公共电极层平铺于所述像素定义层和所述发光材料层上;
封装层,形成于所述公共电极层上,凹槽区内所述封装层的厚度,大于所述凹槽区外和所述像素定义区外所述封装层的厚度;
触控层,形成于所述封装层上,包括触控电极,所述触控电极为围绕所述像素定义区的网格结构,所述触控电极在所述衬底上的投影,与所述凹槽在所述衬底上的投影存在至少部分重合。


2.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述触控电极在所述衬底上的投影,落入所述凹槽在所述衬底上的投影内。


3.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述凹槽的底部位于所述像素定义层内。


4.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述凹槽贯穿所述像素定义层,且所述凹槽的底部位于所述像素定义层和所述平坦化层的交界面上。


5.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述凹槽贯穿所述像素定义层,且所述凹槽的底部位于所述平坦化层内。


6.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述凹槽同时贯穿所述像素定义层和所述平坦化层,且所述凹槽的底部位于所述平坦化层和所述驱动电路层的交界面上。


7.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:叶剑
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:湖北;42

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1