【技术实现步骤摘要】
一种束流竖直方向密度分布的测量装置及方法
本专利技术涉及离子注入机中束流密度的测量装置和方法,涉及离子注入机,属于半导体装备制造领域。
技术介绍
随着集成电路制造技术的飞速发展,对半导体工艺设备提出了越来越高的要求,为满足新技术的需要,作为半导体离子掺杂工艺线的关键设备之一的离子注入机在束流指标、束能量纯度、注入深度控制、注入均匀性与生产率等方面需要不断地改进提高。注入的均匀性、束流平行度、注入角度、注入离子精度是离子注入机在注入过程中关键性能参数。这些参数需要通过束流测量来监测。离子注入机应用了多种束流测量技术。例如,一维移动法拉第杯,用来测量束流的剖面和束流均匀性;移动法拉第阵列,该装置由多个法拉第杯构成,固定在底上可以一起移动,用于测量束流的二维剖面和均匀性。上述测量技术都有一定的缺点。如一维移动法拉第,只能测量水平方向的束流剖面,无法测量竖直方向束流剖面。而移动法拉第阵列虽然可以测量竖直方向的束流剖面,但是法拉第杯数量太多,机械和信号读出的复杂度都大幅度提高。因此,在离子注入机中应用新的束流密度测量技术是有一定的需求的。本专利技术提出了一种束流竖直方向密度分布的测量技术。
技术实现思路
本专利技术涉及一种用于离子注入系统中束流密度测量的系统和方法。控制器控制束流挡板在束流剖面的竖直方向运动,并采集一组测量值,测量值在处理器中将进行迭代算法处理,得到束流在竖直剖面上的束流密度曲线。不同与常规的束流剖面测量技术,本方案测量精度可调,结构更加简单,应用灵活。如应用在普通的 ...
【技术保护点】
1.一种竖直方向束流密度的测量装置,包括:法拉第杯(1),束流挡板(3),传动装置(10),控制器(12)。在传动装置的带动下,束流挡板可以沿着束流竖直方向运动。/n
【技术特征摘要】
1.一种竖直方向束流密度的测量装置,包括:法拉第杯(1),束流挡板(3),传动装置(10),控制器(12)。在传动装置的带动下,束流挡板可以沿着束流竖直方向运动。
2.一种用于在离子注入系统中,竖直方向束流密度的测量方法,该方法包括:通过测量m值确定束流测量间隔,束流挡板从起始点(8)开始运动,控制器根据挡板下边缘位置等间隔测量束流值,当束流挡板到达结束点(7)时,处理器(14)将得到一维的测量值数组,束流挡板下边缘在Y轴的位置构成一维的位置数组,将测量数组依次做迭代算法,得到与位置数组一一对应的束流平均密度数组。
3.权利要求2所述的方法,其中通过m值确定束流测量间隔包括:测量间隔由W/m确定,其中,W表示束流挡板在竖直方向的长度,m表示正整数,可以选择,如1、2、4等。m的值越大,测量间隔越小,最终得到的束流剖面信息越详细。
4.权利要求2所述的方法,其中迭代算法包括:一维的位置数组记为
{...
【专利技术属性】
技术研发人员:李更兰,田龙,张丛,
申请(专利权)人:北京中科信电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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