一种半导体封装料片的切割方法技术

本发明专利技术系提供一种半导体封装料片的切割方法，包括以下步骤：料片定位；预设切割线，x切割线和y切割线；第一方向切割，两切刀从x切割线的两端相向运动对半导体封装料片进行切割，直至两个切刀之间相距长度p，两个切刀以长度P为前进距离同向运动对半导体封装片进行裁断；第二方向切割，两切刀从y切割线的两端相向运动对半导体封装料片进行切割，直至两个切刀之间相距长度q，两个切刀以长度Q为前进距离同向运动对半导体封装片进行裁断；重复切割，分别对各个x切割线和y切割线完成切割。本发明专利技术能够有效缩短切割时间，提高切割效率，切割的良率高，切割所获产品的边缘规整无偏移。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装料片的切割方法
本专利技术涉及半导体封装，具体公开了一种半导体封装料片的切割方法。
技术介绍
半导体器件通常包括封装体、芯片和导电引脚，为提高加工效率，将大量导电引脚制作于同一引线框架上，再将各个芯片焊接到引线框架对应的位置上，最后将焊接有芯片的引线框架送至注塑，最后获得半导体封装料片。半导体封装料片内包含多个半导体封装单元即半导体器件，在注塑完成获得半导体封装料片后，需要对半导体封装料片进行切割，最后获得多个独立的半导体封装单元。现有技术中，对半导体封装料片进行切割是通过切割刀片一次性切割而成，切割过程中半导体封装料片会对切割刀片形成较大的阻碍其切割的应力，影响切割精度，切割的不良率高。
技术实现思路
基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种半导体封装料片的切割方法，通过相向切割的方式不但能够有效提高切割效率，同时能够有效提高切割精度，切割的良率高。为解决现有技术问题，本专利技术公开一种半导体封装料片的切割方法，包括以下步骤：S1、料片定位，将半导体封装料片定位于切割平台上，半导体封装料片包括若干半导体封装单元；S2、预设切割线，在半导体封装料板上设计若干交错设置的x切割线和y切割线，所有x切割线和y切割线之间形成的每个网格中均容纳有一个半导体封装单元；S3、第一方向切割，两切刀从x切割线的两端相向运动对半导体封装料片进行切割，直至两个切刀之间相距长度p，两个切刀以长度P为前进距离同向运动对半导体封装片进行裁断，两个切刀相背运动脱离半导体封装料片，P>p；S4、第二方向切割，两切刀从y切割线的两端相向运动对半导体封装料片进行切割，直至两个切刀之间相距长度q，两个切刀以长度Q为前进距离同向运动对半导体封装片进行裁断，两个切刀相背运动脱离半导体封装料片，Q>q；S5、重复切割，重复步骤S3和S4，分别对各个x切割线和y切割线完成切割。进一步的，步骤S3和S4中，两个切刀均为金刚石刀片。进一步的，步骤S3和S4中，两个切刀的进刀速度均为45～60mm/r，两个切刀的转速均为2800～3200r/min。进一步的，步骤S3和S4中，两个切刀的转动方向相反。进一步的，步骤S3和S4中，半导体封装料片放置于温度为0～10℃的密封盒中进行切割加工。进一步的，半导体封装单元在x切割线方向上和y切割线方向上的长度分别为a和b，a≤p≤2a，b≤q≤2b。进一步的，P≤3a，Q≤3b。进一步的，步骤S5中，各个x切割线的切割顺序为从两边缘向中间依次进行。进一步的，步骤S5中，各个y切割线的切割顺序为从两边缘向中间依次进行。本专利技术的有益效果为：本专利技术公开一种半导体封装料片的切割方法，通过特殊的相向切割的方式对半导体封装料片进行切割，能够有效缩短切割时间，提高切割效率，两个切刀切割时产生的振动力能够相互抵消，且能够有效降低半导体封装料片在切割过程中形成的应力，可有效降低切刀所受的阻碍力，从而有效提高切割精度，切割的良率高，切割所获产品的边缘规整无偏移。附图说明图1为本专利技术中半导体封装料片的结构示意图。具体实施方式为能进一步了解本专利技术的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。参考图1。本专利技术实施例公开一种半导体封装料片的切割方法，包括以下步骤：S1、料片定位，将半导体封装料片定位于切割平台上，半导体封装料片包括若干半导体封装单元，相邻两个半导体封装单元之间设有连接筋，半导体封装单元包括封装体、芯片和导电引脚；S2、预设切割线，如图1所示，在半导体封装料板上设计若干交错设置的x切割线和y切割线，优选地x切割线和y切割线垂直，所有x切割线和y切割线之间形成的每个网格中均容纳有一个半导体封装单元，x切割线和y切割线分别位于半导体封装单元的相邻两侧，x切割线和y切割线分别垂直于各个连接筋；S3、第一方向切割，两切刀从x切割线的两端沿x切割线相向运动对半导体封装料片进行切割，切刀从半导体封装料片的两端相向进行切割，能够有效缩短切刀的切割行程，可有效降低切割过程中半导体封装料片对切刀形成阻碍的应力，可有效提高切割稳定性以及切割精度，此外，两个切刀相向进行切割时产生的振动力能够相互抵消，从而进一步提高切割动作的稳定性，直至两个切刀之间相距长度p，此时x切割线上半导体封装料片剩余长度为p的部分未进行切割，两个切刀以长度P为前进距离同向运动对半导体封装片进行裁断后，两个切刀再相背运动脱离半导体封装料片，P>p，确保两个切刀能够沿x切割线实现完整切割，两个切刀同向运动对长度为p的剩余部分进行裁断，反向运动的切刀为正向运动的切刀让位，避免两切刀之间发生碰撞；S4、第二方向切割，两切刀从y切割线的两端沿y切割线相向运动对半导体封装料片进行切割，切刀从半导体封装料片的两端相向进行切割，能够有效缩短切刀的切割行程，可有效降低切割过程中半导体封装料片对切刀形成阻碍的应力，可有效提高切割稳定性以及切割精度，此外，两个切刀相向进行切割时产生的振动力能够相互抵消，从而进一步提高切割动作的稳定性，直至两个切刀之间相距长度q，此时y切割线上半导体封装料片剩余长度为q的部分未进行切割，两个切刀以长度Q为前进距离同向运动对半导体封装片进行裁断后，两个切刀再相背运动脱离半导体封装料片，Q>q，确保两个切刀能够沿y切割线实现完整切割，两个切刀同向运动对长度为q的剩余部分进行裁断，反向运动的切刀为正向运动的切刀让位，避免两切刀之间发生碰撞；S5、重复切割，重复步骤S3和S4，分别对各个x切割线和y切割线完成切割，最终获得若干独立的半导体封装单元。本专利技术切割所获产品无偏位、切割口平整，且切割效率提升3.6倍或以上，切割的不良率低，因不良切割形成的报废率低至0.2％，远低于现有技术中7％以上的不良率。在本实施例中，步骤S3和S4中，两个切刀均为金刚石刀片。在本实施例中，步骤S3和S4中，两个切刀的进刀速度均为45～60mm/r，两个切刀的转速均为2800～3200r/min，优选地，进刀速度为50mm/r，转速为2900r/min。在本实施例中，步骤S3和S4中，两个切刀切割时的转动方向相反，能够进一步提高两个切刀分别对半导体封装料片所形成振动力的抵消效果，从而进一步提高切割动作的可靠性。在本实施例中，步骤S3和S4中，半导体封装料片放置于温度为0～10℃的密封盒中进行切割加工，温度足够低的密封盒能够有效避免半导体封装料片因切割过程中升温过高而导致半导体封装单元的性能受影响。在本实施例中，半导体封装单元在x切割线方向上和y切割线方向上的长度分别为a和b，步骤S3中，a≤p≤2a，步骤S4中，b≤q≤2b，避免两个切刀相向后形成的间距长度太大而影响切割效果。基于上述实施例，步骤S3中，P≤3a，步骤S4中，Q≤3b，避免两个切刀同向运动的长度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装料片的切割方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、料片定位，将半导体封装料片定位于切割平台上，半导体封装料片包括若干半导体封装单元；/nS2、预设切割线，在半导体封装料板上设计若干交错设置的x切割线和y切割线，所有x切割线和y切割线之间形成的每个网格中均容纳有一个半导体封装单元；/nS3、第一方向切割，两切刀从x切割线的两端相向运动对半导体封装料片进行切割，直至两个切刀之间相距长度p，两个切刀以长度P为前进距离同向运动对半导体封装片进行裁断，两个切刀相背运动脱离半导体封装料片，P>p；/nS4、第二方向切割，两切刀从y切割线的两端相向运动对半导体封装料片进行切割，直至两个切刀之间相距长度q，两个切刀以长度Q为前进距离同向运动对半导体封装片进行裁断，两个切刀相背运动脱离半导体封装料片，Q>q；/nS5、重复切割，重复步骤S3和S4，分别对各个x切割线和y切割线完成切割。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装料片的切割方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、料片定位，将半导体封装料片定位于切割平台上，半导体封装料片包括若干半导体封装单元；
S2、预设切割线，在半导体封装料板上设计若干交错设置的x切割线和y切割线，所有x切割线和y切割线之间形成的每个网格中均容纳有一个半导体封装单元；
S3、第一方向切割，两切刀从x切割线的两端相向运动对半导体封装料片进行切割，直至两个切刀之间相距长度p，两个切刀以长度P为前进距离同向运动对半导体封装片进行裁断，两个切刀相背运动脱离半导体封装料片，P>p；
S4、第二方向切割，两切刀从y切割线的两端相向运动对半导体封装料片进行切割，直至两个切刀之间相距长度q，两个切刀以长度Q为前进距离同向运动对半导体封装片进行裁断，两个切刀相背运动脱离半导体封装料片，Q>q；
S5、重复切割，重复步骤S3和S4，分别对各个x切割线和y切割线完成切割。


2.根据权利要求1所述的一种半导体封装料片的切割方法，其特征在于，步骤S3和S4中，两个切刀均为金刚石刀片。


3.根据权利要求1所述的一种半导体封装料...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾贵德，
申请(专利权)人：东莞市佳骏电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44