一种半导体产品的清洗工艺制造技术

本发明专利技术系提供一种半导体产品的清洗工艺，依次包括以下步骤：超声波清洗，向第一超声波清洗机中加入环保清洗剂和若干软质清洁颗粒，将半导体产品投入第一超声波清洗剂中清洗；超声波漂洗，向第二超声波清洗机中注入无水乙醇，将半导体产品投入第二超声波清洗机中漂洗；干燥，将半导体产品放入烘干机中烘干。本发明专利技术通过超声波清洗机以及特殊组合的清洗用料，能够有效将清洗工序缩短至三个，可有效降低清洗加工线所占用的空间，从而降低土地成本，还能够显著提高清洗加工效率；清洗工作进行时，超声波清洗机使环保清洗剂充分接触半导体产品，且超声波清洗机还促使软质清洁颗粒与半导体产品充分作用，从而进一步提高清洁效果。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体产品的清洗工艺
本专利技术涉及半导体清洗，具体公开了一种半导体产品的清洗工艺。
技术介绍
半导体是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体产品是利用半导体材料制成的电子器件。半导体产品在制作的过程中，需要进行诸如蚀刻、划片、裁切等加工，经过诸如上述的加工后，半导体产品的表面会残留有加工液、碎屑等污染物，如不对这些污染物进行清理，会降低半导体产品的性能。现有技术中，对半导体产品表面污染物进行清洗是通过手动清洗一、蒸浴一、蒸浴二、手动清洗二、手动漂洗一、手动漂洗二和烘烤共7个工序完成，清洗加工线长，占地空间大，土地成本高，且清洗效率低。
技术实现思路
基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种半导体产品的清洗工艺，能够显著缩短加工线，降低土地成本，且能够整体的清洗效果好，清洗效率高。为解决现有技术问题，本专利技术公开一种半导体产品的清洗工艺，依次包括以下步骤：S1、超声波清洗，向第一超声波清洗机中加入环保清洗剂和若干软质清洁颗粒，将半导体产品投入第一超声波清洗剂中清洗16～22min，第一超声波清洗机的超声波频率为70～100Hz，清洗温度为40～50℃；S2、超声波漂洗，向第二超声波清洗机中注入无水乙醇，将步骤S1所获的半导体产品投入第二超声波清洗机中漂洗8～15min，第一超声波清洗机的超声波频率为70～90Hz，漂洗温度为35～45℃；S3、干燥，将步骤S2中所获的半导体产品放入烘干机中烘干20～30min，烘干温度为60～80℃。>进一步的，步骤S1中，环保清洁剂按体积份数包括一下组份：2份异丙醇、1份壬基酚聚乙烯醚、1份三氯乙烯、3份四氧乙烯、1份二氯甲烷、1份正溴丙烷和5份去离子水。进一步的，步骤S1中，软质清洁颗粒占环保清洗剂的体积百分比为20～30％。进一步的，步骤S1中，软质清洁颗粒的直径为100～150μm。进一步的，步骤S1中，软质清洁颗粒为聚乙烯醇颗粒。进一步的，步骤S1中，软质清洁颗粒上设有若干吸附孔。进一步的，步骤S3中，烘干机内形成有用于烘干的清洁热风。进一步的，步骤S3中，清洁热风是氮气形成的压力值为1.1～1.3Mpa的气流。进一步的，步骤S1中，第一超声波清洗机的超声波频率为80Hz，清洗时间为20min；步骤S2中，第二超声波清洗机的超声波频率为80Hz，漂洗时间为10min；步骤S3中，烘干时间为30min。本专利技术的有益效果为：本专利技术公开一种半导体产品的清洗工艺，通过超声波清洗机以及特殊组合的清洗用料，能够有效将清洗工序缩短至三个，可有效降低清洗加工线所占用的空间，从而降低土地成本，还能够显著提高清洗加工效率；清洗工作进行时，超声波清洗机使环保清洗剂充分接触半导体产品，有效确保清洗效果，且超声波清洗机还促使软质清洁颗粒与半导体产品充分作用，从而令半导体产品表面的顽固污染物脱落，进一步提高清洁效果。具体实施方式为能进一步了解本专利技术的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。本专利技术实施例公开一种半导体产品的清洗工艺，依次包括以下步骤：S1、超声波清洗，向第一超声波清洗机中加入环保清洗剂和若干软质清洁颗粒，软质清洁颗粒可有效提高清洁效果，还能够避免清洁过程中对半导体产品造成碰撞损坏，将半导体产品投入第一超声波清洗剂中清洗16～22min，第一超声波清洗机的超声波频率为70～100Hz，清洗温度为40～50℃；S2、超声波漂洗，向第二超声波清洗机中注入无水乙醇，将步骤S1所获的半导体产品投入第二超声波清洗机中漂洗8～15min，第一超声波清洗机的超声波频率为70～90Hz，漂洗温度为35～45℃，无水乙醇可以混溶于醚、氯仿、甘油等多数有机溶剂，可有效带走半导体产品表面大部分的环保清洁剂，在后续干燥加工过程中，沸点较低的无水乙醇的烘干效率高，可有效缩短烘干时间；S3、干燥，将步骤S2中所获的半导体产品放入烘干机中烘干20～30min，烘干温度为60～80℃。传统技术中，半导体产品的清洗主要包括7个工序，依次为：手动清洗一、蒸浴一、蒸浴二、手动清洗二、手动漂洗一、手动漂洗二和烘烤，清洗加工线长，清洗加工线的总占用空间大，土地成本高，且清洗效率较低，清洗效果不佳。本专利技术通过超声波清洗机以及特殊组合的清洗用料，能够有效将清洗工序缩短至三个，可有效降低清洗加工线所占用的空间，从而降低土地成本，此外，还能够省略大量工位转移的操作，能够显著提高清洗加工效率；清洗工作进行时，超声波清洗机使环保清洗剂充分接触半导体产品，有效确保清洗效果，且超声波清洗机还促使软质清洁颗粒碰撞半导体产品，从而令半导体产品表面的顽固污染物脱落，软质清洁颗粒还能有效吸附部分污染物，从而进一步提高清洁效果。在本实施例中，步骤S1中，环保清洁剂按体积份数包括一下组份：2份异丙醇、1份壬基酚聚乙烯醚、1份三氯乙烯、3份四氧乙烯、1份二氯甲烷、1份正溴丙烷和5份去离子水，能够有效清除半导体产品表面的助焊剂、硅片碎屑等污染物，环保清洗剂还可以是其他的半导体产品环保清洗剂。在本实施例中，步骤S1中，软质清洁颗粒占环保清洗剂的体积百分比为20～30％，环保清洗剂内设置有足量的软质清洁颗粒，能够确保软质清洁颗粒可有效与半导体产品之间发生碰撞，从而有效提高清洁效果。基于上述实施例，步骤S1中，软质清洁颗粒的直径为100～150μm，纳米级的尺寸大小能够使半导体产品表面的污染物能够被软质清洁颗粒充分作用，从而有效释放半导体产品表面的污染物，提高清洗效果。基于上述实施例，步骤S1中，软质清洁颗粒为聚乙烯醇颗粒，聚乙烯醇是白色的固体，具有一定的粘弹性，能够有效吸附半导体产品表面的污染物。基于上述实施例，步骤S1中，软质清洁颗粒上设有若干吸附孔，不但能够有效提高软质清洁颗粒的弹性，还能有效提高软质清洁颗粒的污染物吸附能力，优选地，每个聚乙烯醇颗粒上设有至少60个吸附孔。在本实施例中，步骤S3中，烘干机内形成有用于烘干的清洁热风。基于上述实施例，步骤S3中，清洁热风是氮气形成的压力值为1.1～1.3Mpa的气流，能够有效冲走半导体产品表面的水珠以及残留污染物，且氮气能够有效降低半导体产品的活性，避免其半导体产品发生不必要的反应。在本实施例中，步骤S1中，第一超声波清洗机的超声波频率为80Hz，清洗时间为20min；步骤S2中，第二超声波清洗机的超声波频率为80Hz，漂洗时间为10min；步骤S3中，烘干时间为30min。以上所述实施例仅表达了本专利技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本专利技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本专利技术的保护范围。因此，本专利技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体产品的清洗工艺，其特征在于，依次包括以下步骤：/nS1、超声波清洗，向第一超声波清洗机中加入环保清洗剂和若干软质清洁颗粒，将半导体产品投入第一超声波清洗剂中清洗16～22min，第一超声波清洗机的超声波频率为70～100Hz，清洗温度为40～50℃；/nS2、超声波漂洗，向第二超声波清洗机中注入无水乙醇，将步骤S1所获的半导体产品投入第二超声波清洗机中漂洗8～15min，第一超声波清洗机的超声波频率为70～90Hz，漂洗温度为35～45℃；/nS3、干燥，将步骤S2中所获的半导体产品放入烘干机中烘干20～30min，烘干温度为60～80℃。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体产品的清洗工艺，其特征在于，依次包括以下步骤：
S1、超声波清洗，向第一超声波清洗机中加入环保清洗剂和若干软质清洁颗粒，将半导体产品投入第一超声波清洗剂中清洗16～22min，第一超声波清洗机的超声波频率为70～100Hz，清洗温度为40～50℃；
S2、超声波漂洗，向第二超声波清洗机中注入无水乙醇，将步骤S1所获的半导体产品投入第二超声波清洗机中漂洗8～15min，第一超声波清洗机的超声波频率为70～90Hz，漂洗温度为35～45℃；
S3、干燥，将步骤S2中所获的半导体产品放入烘干机中烘干20～30min，烘干温度为60～80℃。


2.根据权利要求1所述的一种半导体产品的清洗工艺，其特征在于，步骤S1中，环保清洁剂按体积份数包括一下组份：2份异丙醇、1份壬基酚聚乙烯醚、1份三氯乙烯、3份四氧乙烯、1份二氯甲烷、1份正溴丙烷和5份去离子水。


3.根据权利要求1所述的一种半导体产品的清洗工艺，其特征在于，步骤S1中，软质清洁颗粒占环保清洗剂的体积百分比为20～3...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓常春，
申请(专利权)人：东莞市佳骏电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44