无基板半导体封装结构及其制法制造技术

技术编号:25892757 阅读:38 留言:0更新日期:2020-10-09 23:37
本发明专利技术是一种无基板半导体封装结构及其制法,主要以含有金属盐类的一绝缘封胶体包覆一芯片,当使用激光照射绝缘封胶体的顶面并对准该芯片的金属接点位置,即可以各该金属接点为激光阻挡层,于该绝缘封胶体上形成有多个开口,使各该金属接点外露,且激光照射在该绝缘封胶层的顶面,形成一线路图案;接着,于化学电镀步骤中,于各该开口中形成有金属柱,且该线路图案上形成有线路,再形成多个外接垫与该金属柱及线路电性连接;如此,本发明专利技术的半导体封装结构不必使用基板,即可透过该些外接垫与其他电子元件或电路板电性连接。

【技术实现步骤摘要】
无基板半导体封装结构及其制法
本专利技术关于一种无基板半导体封装结构及其制法,尤指一种减少封胶体脱层的无基板半导体封装结构及其制法。
技术介绍
在一般半导体封装结构中,往往将一芯片设置并电性连接在一基板上,最后再于该基板上形成一封胶体,以包覆该芯片完成一半导体封装结构。以半导体封装结构的整体成本来看,该基板的成本占其中很大的比例,因此半导体封装技术开发,有很大一部分是在推进基板技术,倘若能节省基板不用,则可省下相当可观的封装成本及技术开发成本。
技术实现思路
有鉴于前述半导体封装结构使用或开发基板的高成本问题,本专利技术的主要目的在于提供一种无基板半导体封装结构及其制法。欲达上述目的所使用的主要技术手段是令该无基板半导体封装结构包含有:一芯片,包含有一主动面及一与该主动面相对的底面;其中该主动面具有多个金属接点;一绝缘封胶体,包含有金属盐类,并包覆该芯片;其中该绝缘封胶体的底面与该芯片的底面齐平,其顶面对应芯片的多个金属接点形成多个开口及一第一线路图案;多个第一金属柱,分别形成于对应的该开口中,并与对应的金属接点连接;多条第一线路,形成在该第一线路图案上,并与对应第一金属柱连接;以及多个第一外接垫,电性连接至多个该第一金属柱及多条该第一线路。于一实施方式中,该绝缘封胶体包含有多个贯穿孔,各该贯穿孔贯穿该绝缘封胶体的顶面及底面,且各该贯穿孔内形成一第二金属柱。于一实施方式中,无基板半导体封装结构进一步包含:一保护层,覆盖于该绝缘封胶体的顶面,并包含有多个金属垫,多个该金属垫对应连接于该第一线路及该第一金属柱,多个该金属垫的部分分别连接对应的该第一外接垫;以及多个第二外接垫,分别连接至位在该绝缘封胶体的底面的各该第二金属柱。于一实施方式中,该绝缘封胶体的底面形成有一第二线路图案,且该第二线路图案上形成有多条第二线路;位在该绝缘封胶体的底面的多个该第二金属柱的部分与多个该第二线路的部分进一步分别连接有一第二外接垫;以及该绝缘封胶体的顶面进一步覆盖有一保护层,该保护层包含有多个金属垫,且多个该金属垫对应连接于该第一线路及该第一金属柱,各该金属垫连接对应的该第一外接垫。由上述说明可知,本专利技术主要以含有金属盐类的绝缘封胶体包覆该芯片的主动面,当使用激光照射对应该芯片的金属接点位置的绝缘封胶体的顶面,即可以各该金属接点为激光阻挡层,于该绝缘封胶体上形成有多个开口,使各该金属接点外露,且激光照射在该绝缘封胶层的顶面,也形成一第一线路图案;再于该第一线路图案上形成有第一线路,且该些第一线路电性连接对应开口内的第一金属柱,并于其上形成有第一外接垫;如此,本专利技术的半导体封装结构不必使用基板,即可通过该些线路上的外接垫即可与其他电子元件或电路板电性连接。欲达上述目的所使用的主要技术手段是令该半导体封装结构的制法包含有以下步骤:(a)准备一暂时载板;(b)将一芯片的一背面黏贴于该暂时载板上;(c)于该暂时载板上形成一绝缘封胶体,并包覆该芯片;其中该绝缘封胶体包含有金属盐类;(d)移除该暂时载板,并以激光照射于该绝缘封胶体的一顶面,以形成多个开口及一第一线路图案;其中各该开口对准该芯片的一主动面上的对应金属接点,并使该金属接点外露,且该绝缘封胶体的一底面与该芯片的背面齐平;(e)化学电镀多个该开口及该第一线路图案,于各该开口形成有一第一金属柱,并于该第一线路图案上形成有多条第一线路;以及(f)将多个第一外接垫电性连接至位于该绝缘封胶体的顶面的上的多个该第一金属柱及多条该第一线路。于一实施方式中:于步骤(d)中进一步以激光照射该绝缘封胶体的顶面,以形成贯穿该绝缘封胶体的顶面与底面的贯穿孔;以及于步骤(e)中,于各该贯穿孔中形成有一第二金属柱。于一实施方式中,无基板半导体封装结构的制法进一步包含:(g)将多个第二外接垫形成于位在该绝缘封胶体的底面上的多个该第二金属柱。于一实施方式中:于步骤(d)中进一步以激光照射该绝缘封胶体的底面,以形成一第二线路图案;以及于步骤(e)中,于该第二线路图案上形成有多条第二线路。于一实施方式中,无基板半导体封装结构的制法进一步包含:(g)将多个第二外接垫形成于位在该绝缘封胶体的底面上的多个该第二金属柱及多条该第二线路。于一实施方式中:于步骤(e)后,进一步于该绝缘封胶体的顶面形成一保护层,再于该保护层上形成有多个接垫开口,使多个该金属柱的部分及多条该线路的部分外露,再于各该接垫开口中形成有金属垫;以及于步骤(f)中,将多个该第一外接垫形成于多个该金属垫上。由上述说明可知,本专利技术主要以含有金属盐类的绝缘封胶体包覆该芯片的主动面,当使用激光照射对应该芯片的金属接点位置的绝缘封胶体的顶面,即可以各该金属接点为激光阻挡层,于该绝缘封胶体上形成有多个开口,使各该金属接点外露,且激光照射在该绝缘封胶层的顶面,也形成一第一线路图案;再于该第一线路图案上形成有第一线路,且该些第一线路电性连接对应开口内的第一金属柱,并于其上形成有第一外接垫;如此,本专利技术的半导体封装结构不必使用基板,即可通过该些线路上的外接垫即可与其他电子元件或电路板电性连接。附图说明图1为本专利技术半导体封装结构的第一实施例的剖面图。图2为本专利技术半导体封装结构的第二实施例的剖面图。图3为本专利技术半导体封装结构的第三实施例的剖面图。图4A至图4J为本专利技术第一半导体封装结构制法中不同步骤的剖面图。图5A至图5G为本专利技术第二半导体封装结构制法中不同步骤的剖面图。其中,附图标记:1、1a、1b半导体封装结构10芯片11主动面111金属接点12底面20、20a、20b绝缘封胶体200金属粒子21底面211第二线路图案22顶面221开口222线路图案223贯穿孔23保护层230接垫开口231金属垫30金属柱31第二金属柱40线路41第二线路50外接垫51第二外接垫60外部芯片61外部芯片70暂时载板71黏着层具体实施方式本专利技术主要提出一种无基板半导体封装结构及其制法,以下进一步提出多个实施例并配合图式详加说明本专利技术
技术实现思路
。首先请参阅图1所示,为本专利技术半导体封装结构1的第一实施例,其包含有一芯片10、一绝缘封胶体20、多个金属柱30、多条线路40及多个外接垫50。上述芯片10包含有一主动面11及一与该主动面11相对的底面12;其中该主动面11具有多个金属接点111。上述绝缘封胶体20包含有金属盐类并包覆该芯片10,且该绝缘封胶体20的底面21与该芯片10的底面12齐平,其顶面22对应芯片10的多个金属接点111形成本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种无基板半导体封装结构,其特征在于,包括:/n一芯片,包含有一主动面及一与该主动面相对的底面;其中该主动面具有多个金属接点;/n一绝缘封胶体,包含有金属盐类,并包覆该芯片;其中该绝缘封胶体的底面与该芯片的底面齐平,其顶面对应芯片的多个金属接点形成多个开口及一第一线路图案;/n多个第一金属柱,分别形成于对应的该开口中,并与对应的金属接点连接;/n多条第一线路,形成在该第一线路图案上,并与对应第一金属柱连接;以及/n多个第一外接垫,电性连接至多个该第一金属柱及多条该第一线路。/n

【技术特征摘要】
20190326 TW 1081105311.一种无基板半导体封装结构,其特征在于,包括:
一芯片,包含有一主动面及一与该主动面相对的底面;其中该主动面具有多个金属接点;
一绝缘封胶体,包含有金属盐类,并包覆该芯片;其中该绝缘封胶体的底面与该芯片的底面齐平,其顶面对应芯片的多个金属接点形成多个开口及一第一线路图案;
多个第一金属柱,分别形成于对应的该开口中,并与对应的金属接点连接;
多条第一线路,形成在该第一线路图案上,并与对应第一金属柱连接;以及
多个第一外接垫,电性连接至多个该第一金属柱及多条该第一线路。


2.如权利要求1所述的无基板半导体封装结构,其特征在于,该绝缘封胶体包含有多个贯穿孔,各该贯穿孔贯穿该绝缘封胶体的顶面及底面,且各该贯穿孔内形成一第二金属柱。


3.如权利要求2所述的无基板半导体封装结构,其特征在于,进一步包含:
一保护层,覆盖于该绝缘封胶体的顶面,并包含有多个金属垫,多个该金属垫对应连接于该第一线路及该第一金属柱,多个该金属垫的部分分别连接对应的该第一外接垫;以及
多个第二外接垫,分别连接至位在该绝缘封胶体的底面的各该第二金属柱。


4.如权利要求2所述的无基板半导体封装结构,其特征在于:
该绝缘封胶体的底面形成有一第二线路图案,且该第二线路图案上形成有多条第二线路;
位在该绝缘封胶体的底面的多个该第二金属柱的部分与多个该第二线路的部分进一步分别连接有一第二外接垫;以及该绝缘封胶体的顶面进一步覆盖有一保护层,该保护层包含有多个金属垫,且多个该金属垫对应连接于该第一线路及该第一金属柱,各该金属垫连接对应的该第一外接垫。


5.一种无基板半导体封装结构的制法,其特征在于,包括以下步骤:
(a)准备一暂时载板;
(b)将一芯片的一背面黏贴于该暂时载板上;
(c)于...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈裕纬徐宏欣蓝源富柯志明
申请(专利权)人:力成科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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