本发明专利技术涉及一种高世代TFT‑LCD玻璃基板生产线，它包括依次连通的窑炉大流量贵金属通道、锡槽、退火窑、裁切机以及下片机。本发明专利技术将TFT‑LCD玻璃的高效熔化、玻璃液澄清均化、超薄浮法成形以及退火工艺技术相结合能够生产8.5代、10.5/11代等大尺寸TFT‑LCD玻璃基板，具有产品尺寸大、产品性能优、工艺程序连贯、生产效率高、产能大等优点。
【技术实现步骤摘要】
一种高世代TFT-LCD玻璃基板生产线
：本专利技术涉及高世代TFT-LCD玻璃生产领域，具体地说就是一种高世代TFT-LCD玻璃基板生产线。
技术介绍
：TFT-LCD玻璃基板是电子信息显示产业的关键战略材料，代表着玻璃制造领域的最高水平。当前我国已成为全球最大的信息显示产业基地，2018年，中国大陆地区对玻璃基板的需求量约为2.6亿平方米，其中8.5代玻璃基板的需求量为2.33亿平方米。到2020年我国8.5代及以上TFT-LCD玻璃基板市场需求将超3亿平方米，占全球总需求量的50%以上，市场空间和发展潜力巨大。虽然市场规模庞大但核心技术长期受制于人，产品市场完全被美国康宁、日本旭硝子等少数几家国外企业垄断，造成我国信息显示产业链关键环节的严重缺失，对产业的安全构成威胁。中国专利技术专利CN200810054509阐述了TFT-LCD玻璃基板自动加工生产线，涉及切割、研磨、检验、包装的后加工处理全过程，但该专利未涉及玻璃基板原片的生产工艺过程；中国专利技术专利CN201611102225涉及一种用于基板玻璃清洗机的加热系统及清洗机，主要阐释的是玻璃基板后加工清洗机上使用的自动加热系统，以及应用该加热系统的清洗机，但该专利技术并没有涉及高世代TFT-LCD玻璃基板生产线的
技术实现思路
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技术实现思路
：本专利技术就是为了克服现有技术中的不足，提供一种高世代TFT-LCD玻璃基板生产线本申请提供以下技术方案：一种高世代TFT-LCD玻璃基板生产线，它包括依次连通的窑炉、大流量贵金属通道、锡槽、退火窑、裁切机以及下片机，在所述的窑炉包括在窑炉壁两侧的内壁上对称设有一组电极，其特征在于：在窑炉的煊顶上设有一组全氧烧枪；所述的大流量贵金属通道，它包括玻璃液混流搅拌段，在玻璃液混流搅拌段一端并联有两个玻璃液加热澄清冷却段，所述两个玻璃液加热澄清冷却段一端均与窑炉连通，在玻璃液混流搅拌段另一端还连通有供液槽，所述的供液槽与锡槽进液口连通。在上述方案的基础上，还可以有以下进一步的技术方案：所述的一组全氧烧枪的火焰喷射口竖直向下，且火焰能接触到窑炉内玻璃液的液面。所述的贵金属通道包括依次连通的玻璃液加热澄清冷却段、玻璃液混流搅拌段以及供液槽。所述的玻璃液加热澄清冷却段包括一端与窑炉连通的加热通道，在加热通道另一端依次连通有澄清槽和冷却通道；所述的玻璃液混流搅拌段包括汇流通道，汇流通道的一端与所述的两条冷却通道连通，在汇流通道内设有一组扰流板,在汇流通道另一端连通有至少一个玻璃液搅拌槽,在玻璃液搅拌槽的出液口与供液槽连通。所述的一组扰流板中的各扰流板为错位分布，通过一组扰流板的分割在汇流通道内分割出一段蛇形流道。在汇流通道另一端依次连通有三个玻璃液搅拌槽且相邻的两个玻璃液搅拌槽的搅拌方向不同。所述锡槽进液口的温度为1200-1400℃，锡槽出液口的温度650-850℃。在所述的锡槽内通入有氮氢混合保护气体，其中氢气比例为3-8%。在所述的退火窑内沿入口向出口划分出A、B、C、D、Ret以及F温度区，其中A温度区温度为600-800℃，B温度区温度为500-700℃，C温度区温度为400-600℃，D温度区温度为300-500℃，Ret温度区温度为200-400℃，F温度区温度为50-200℃，在Ret温度区与F温度区之间设有敞开窑壁的自由降温区E。专利技术优点:本专利技术将TFT-LCD玻璃的高效熔化、玻璃液澄清均化、超薄浮法成形以及退火工艺技术相结合，能够稳定生产8.5代、10.5/11代等大尺寸TFT-LCD玻璃基板，具有产品尺寸大、产品性能优、工艺程序连贯、生产效率高、产能大等优点，打破国外技术封锁垄断，保障我国显示产业链安全。附图说明：图1是本专利技术的结构示意图；图2是图1中的窑炉的结构示意图；图3是图1中的贵金属通道的结构示意图；图4是图1中退火窑的结构示意图。具体实施方式：如图1-4所示，一种高世代TFT-LCD玻璃基板生产线，它包括依次连通的窑炉a、贵金属通道b、锡槽c、退火窑d、裁切机e以及下片机f，在所述的窑炉a包括窑炉壁a1两侧的内壁上对称设有一组电极5，在窑炉a的煊顶上设有一组全氧烧枪6，所述的全氧烧枪6为竖直分布，所述火焰喷射口竖直向下，且火焰能接触到窑炉a内玻璃液的液面a3，在显著增加火焰加热效率的同时，火焰还能消除漂浮在液面a3上的泡沫。所述的一组全氧烧枪6成两排分布且两排的全氧烧枪6成交错分布。所述窑炉a的生产能力为20~100吨/天，小于20吨/天会造成熔化效率低，成本较高，大于100吨/天可能会造成玻璃液不能充分高效熔制，影响基板玻璃基板质量。所述的贵金属通道包括玻璃液混流搅拌段1，在玻璃液混流搅拌段1一端并联有两个玻璃液加热澄清冷却段2，所述两个玻璃液加热澄清冷却段2一端均与窑炉a连通。所述的玻璃液加热澄清冷却段2包括一端与窑炉a连通的加热通道2a，在加热通道2a另一端依次连通有澄清槽2b和冷却通道2c。所述加热通道2a的直径为150mm-300mm长度为500mm-1500mm；所述澄清槽2b的直径为250mm-400mm长度为3000mm-8000mm；所述冷却通道2c的直径为220mm-360mm长度为2000mm-6000mm。所述加热通道2a工作时的最高温度为1650℃，所述澄清槽2b工作时的最高温度为1670℃，所述冷却通道2c的工作时的温度为1500℃～1550℃。所述的玻璃液混流搅拌段1包括汇流通道1a，汇流通道1a的一端与所述的两条冷却通道2c连通，在汇流通道1a内设有一组扰流板1c,在汇流通道1a另一端连通有依次连通的三个玻璃液搅拌槽1b,且相邻的两个玻璃液搅拌槽1b的搅拌方向不同。所述的一组扰流板1c中的各扰流板1c为错位分布，通过一组扰流板1c的分割在汇流通道1a内分割出一段蛇形流道4。所述汇流通道1a的直径为300mm-500mm；所述玻璃液搅拌槽1b的直径为350mm-550mm，搅拌转速为2圈-20圈每分钟。所述的加热通道2a、澄清槽2b、冷却通道2c、汇流通道1a、玻璃液搅拌槽1b、扰流板1c以及供液槽3由铂铑合金或铂铱合金或铂制成。在最后一个玻璃液搅拌槽1b的出液口与供液槽3连通，所述的供液槽3出液端与锡槽c进液口连通。所述供液槽3的直径为300mm-500mm，工作时的温度为1200℃～1400℃。所述锡槽c进液口的温度为1200-1400℃，锡槽c出液口的温度650-850℃。在所述的锡槽c内通入有氮氢混合保护气体，其中氢气比例为3-8%。在锡槽c内还设有对应配合的拉边机。所述的锡槽c和拉边机均为现有技术，因此这里不再赘叙其结构以及锡槽c和拉边机的配合关系。在所述锡槽c出液口通过过渡辊台与退火窑d连通，在所述的退火窑d内沿入口向出口划分出A、B、C、D、Ret以及F温度区，其中A温度区温度为600-800℃，B温度区温度为500-700℃，C温度区温度为400-600℃本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种高世代TFT-LCD玻璃基板生产线，它包括依次连通的窑炉（a）、贵金属通道(b)、锡槽(c)、退火窑(d)、裁切机(e)以及下片机(f)，在所述的窑炉(a)包括在窑炉壁（a1）两侧的内壁上对称设有一组电极（5），其特征在于：在窑炉(a)的煊顶上设有一组全氧烧枪（6）；所述的大流量贵金属通道，它包括玻璃液混流搅拌段（1)，在玻璃液混流搅拌段（1)一端并联有两个玻璃液加热澄清冷却段（2)，所述两个玻璃液加热澄清冷却段（2)一端均与窑炉（a）连通，在玻璃液混流搅拌段（1)另一端还连通有供液槽（3)，所述的供液槽（3)与锡槽(c)进液口连通。/n
【技术特征摘要】
1.一种高世代TFT-LCD玻璃基板生产线，它包括依次连通的窑炉（a）、贵金属通道(b)、锡槽(c)、退火窑(d)、裁切机(e)以及下片机(f)，在所述的窑炉(a)包括在窑炉壁（a1）两侧的内壁上对称设有一组电极（5），其特征在于：在窑炉(a)的煊顶上设有一组全氧烧枪（6）；所述的大流量贵金属通道，它包括玻璃液混流搅拌段（1)，在玻璃液混流搅拌段（1)一端并联有两个玻璃液加热澄清冷却段（2)，所述两个玻璃液加热澄清冷却段（2)一端均与窑炉（a）连通，在玻璃液混流搅拌段（1)另一端还连通有供液槽（3)，所述的供液槽（3)与锡槽(c)进液口连通。
2.根据权利要求1中所述一种高世代TFT-LCD玻璃基板生产线，其它特征在于：所述的一组全氧烧枪（6）的火焰喷射口竖直向下，且火焰能接触到窑炉（a）内玻璃液的液面。
3.根据权利要求1中所述一种高世代TFT-LCD玻璃基板生产线，特征在于：所述的贵金属通道(b)包括一次连通的玻璃液加热澄清冷却段（2)、玻璃液混流搅拌段（1)以及供液槽（3)。
4.根据权利要求3中所述一种高世代TFT-LCD玻璃基板生产线，特征在于：所述的玻璃液加热澄清冷却段（2)包括一端与窑炉（a）连通的加热通道(2a)，在加热通道(2a)另一端依次连通有澄清槽（2b）和冷却通道（2c）；所述的玻璃液混流搅拌段（1)包括汇流通道（1a），汇流通道（1a）的一端与所述的两条冷却通道（2c）连通，在汇流通道（1a）内设有一组扰流板（1c）,在汇流...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，张冲，金良茂，江龙跃，曹志强，朱明柳，沈玉国，
申请(专利权)人：蚌埠中光电科技有限公司，中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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