一种红外焦平面阵列电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种红外焦平面阵列电路，包括若干SKIM电路、积分电路、栅极输入帧间歇旁路控制信号ALT_EN的若干第一NMOS管，各SKIM电路均包括MEMS像元RA、栅极输入盲元偏置电压GSK的第一PMOS管、栅极输入像元偏置电压GFID的第二NMOS管、栅极输入帧间歇旁路控制信号的反向信号ALT_ENB的第三NMOS管，在各SKIM电路中，第一PMOS管的源极通过盲元电阻RB连接电源，第一PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极电连接，第二NMOS管的源极与第三NMOS管的漏极电连接，第三NMOS管的源极通过MEMS像元RA接地，各第一PMOS管的漏极和各第二NMOS管的漏极均与积分电路负输入端电连接，各第一NMOS管与各SKIM电路一一对应，各第一NMOS管的漏极与对应SKIM电路的第三NMOS管的源极电连接，各第一NMOS管的源极通过一个参考元电阻RREF接地。

【技术实现步骤摘要】
一种红外焦平面阵列电路
本技术涉及红外焦平面电路设计领域，尤其涉及一种红外焦平面阵列电路。
技术介绍
传统的非制冷红外焦平面的阵列电路如图1所示，图中RA为MEMS像元，与衬底热隔离。RB为盲元，与衬底热短。GSK为盲元偏置电压，GFID为像元偏置电压。ROW_SEL为行选信号，电路工作模式为逐帧扫描，帧与帧之间有一定消隐期，每帧工作时采用逐行扫描积分，逐行数据输出。传统电路在一帧的最后一行积分完毕后，在间歇多采用积分电路复位，行选信号开路的状态，等到下一帧第一行恢复行选和积分。传统电路在帧间歇会使积分器放大器的负端电压抬高，电流突然变化还会对电源和地造成冲击，影响每帧的第一行和最后一行的积分过程，可造成第一行和最后一行输出不稳定。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种红外焦平面阵列电路，以避免帧间歇积分电路运算放大器的负输入端的电压出现抬高的情况。本技术是这样实现的：本技术提供一种红外焦平面阵列电路，包括若干SKIM电路、积分电路、若干参考元电阻RREF、栅极输入帧间歇旁路控制信号ALT_EN的若干第一NMOS管，各所述SKIM电路均包括MEMS像元RA、栅极输入盲元偏置电压GSK的第一PMOS管、栅极输入像元偏置电压GFID的第二NMOS管、栅极输入帧间歇旁路控制信号的反向信号ALT_ENB的第三NMOS管，在各所述SKIM电路中，第一PMOS管的源极通过盲元电阻RB连接电源，第一PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极电连接，第二NMOS管的源极与第三NMOS管的漏极电连接，第三NMOS管的源极通过MEMS像元RA接地，各所述第一PMOS管的漏极和各所述第二NMOS管的漏极均与积分电路负输入端电连接，各所述第一NMOS管与各所述SKIM电路一一对应，各所述第一NMOS管的漏极与对应SKIM电路的第三NMOS管的源极电连接，各所述第一NMOS管的源极通过一个参考元电阻RREF接地。作为优选，所述积分电路包括积分电容、正输入端接固定电压VBUS的运算放大器，各所述第一PMOS管的漏极和各所述第二NMOS管的漏极均与运算放大器的负输入端电连接，运算放大器的输出端通过积分电容与运算放大器的负输入端电连接。作为优选，所述积分电路还包括复位开关，所述复位开关与积分电容并联。本技术具有以下有益效果：本技术提供的红外焦平面阵列电路采用了帧间歇旁路SKIM电流的电路结构，可以保证SKIM电路在每帧工作状态和帧间歇状态电流基本一致，在帧与帧切换时不会对电源和地造成冲击，可以保证第一行和最后一行工作正常，输出稳定。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为传统的非制冷红外焦平面的阵列电路；图2为本技术实施例提供的非制冷红外焦平面的阵列电路。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。如图2，本技术实施例提供一种红外焦平面阵列电路，包括若干SKIM电路、积分电路、若干参考元电阻RREF、栅极输入帧间歇旁路控制信号ALT_EN的若干第一NMOS管NM1，各所述SKIM电路均包括MEMS像元RA、栅极输入盲元偏置电压GSK的第一PMOS管PM1、栅极输入像元偏置电压GFID的第二NMOS管NM2、栅极输入帧间歇旁路控制信号的反向信号ALT_ENB的第三NMOS管NM3，在各所述SKIM电路中，第一PMOS管PM1的源极通过盲元电阻RB连接电源，图2中，各所述盲元电阻RB所接的电源相同，第一PMOS管PM1的漏极与第二NMOS管NM2的漏极电连接，第二NMOS管NM2的源极与第三NMOS管NM3的漏极电连接，第三NMOS管NM3的源极通过MEMS像元RA接地，各所述第一PMOS管PM1的漏极和各所述第二NMOS管NM2的漏极均与积分电路负输入端电连接，各所述第一NMOS管NM1与各所述SKIM电路一一对应，各所述第一NMOS管NM1的漏极与对应SKIM电路的第三NMOS管NM3的源极电连接，各所述第一NMOS管NM1的源极通过一个参考元电阻RREF接地。本技术提供了一种可以在帧间歇旁路SKIM电流的电路结构，如图2所示，图中RA为MEMS像元，与衬底热隔离。RB为盲元，与衬底热短。RREF为与RA结构相同，但与衬底热短的参考元电阻。ALT_EN为帧间歇旁路控制信号，在每帧正常工作时为低电平，此时SKIM电流不流过RREF，在帧间歇时为高电平，此时SKIM电流流过RREF。ALT_ENB为ALT_EN的反向信号。这种电路结构的好处是，可以保证SKIM电路在每帧工作状态和帧间歇状态电流基本一致，在帧与帧切换时不会对电源和地造成冲击，可以保证第一行和最后一行工作正常，输出稳定。所述积分电路包括积分电容C、正输入端接固定电压VBUS的运算放大器U1，各所述第一PMOS管PM1的漏极和各所述第二NMOS管NM2的漏极均与运算放大器U1的负输入端电连接，运算放大器U1的输出端通过积分电容C与运算放大器U1的负输入端电连接，所述积分电路还包括复位开关，所述复位开关与积分电容C并联。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种红外焦平面阵列电路，其特征在于：包括若干SKIM电路、积分电路、若干参考元电阻RREF、栅极输入帧间歇旁路控制信号ALT_EN的若干第一NMOS管，各所述SKIM电路均包括MEMS像元RA、栅极输入盲元偏置电压GSK的第一PMOS管、栅极输入像元偏置电压GFID的第二NMOS管、栅极输入帧间歇旁路控制信号的反向信号ALT_ENB的第三NMOS管，在各所述SKIM电路中，第一PMOS管的源极通过盲元电阻RB连接电源，第一PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极电连接，第二NMOS管的源极与第三NMOS管的漏极电连接，第三NMOS管的源极通过MEMS像元RA接地，各所述第一PMOS管的漏极和各所述第二NMOS管的漏极均与积分电路负输入端电连接，各所述第一NMOS管与各所述SKIM电路一一对应，各所述第一NMOS管的漏极与对应SKIM电路的第三NMOS管的源极电连接，各所述第一NMOS管的源极通过一个参考元电阻RREF接地。/n

【技术特征摘要】
1.一种红外焦平面阵列电路，其特征在于：包括若干SKIM电路、积分电路、若干参考元电阻RREF、栅极输入帧间歇旁路控制信号ALT_EN的若干第一NMOS管，各所述SKIM电路均包括MEMS像元RA、栅极输入盲元偏置电压GSK的第一PMOS管、栅极输入像元偏置电压GFID的第二NMOS管、栅极输入帧间歇旁路控制信号的反向信号ALT_ENB的第三NMOS管，在各所述SKIM电路中，第一PMOS管的源极通过盲元电阻RB连接电源，第一PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极电连接，第二NMOS管的源极与第三NMOS管的漏极电连接，第三NMOS管的源极通过MEMS像元RA接地，各所述第一PMOS管的漏极和各所述第二NMOS管的漏极均与...

【专利技术属性】
技术研发人员：李凯，黄晟，
申请(专利权)人：武汉微智芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42