【技术实现步骤摘要】
一种LPCVD炉真空泵防返气工装
本技术属于半导体材料生产
，具体涉及一种LPCVD炉真空泵防返气工装。
技术介绍
半导体硅抛光片生产过程中有一道重要的工艺就是背封工艺。背封工艺主要的一种方式就是采用低压化学气象淀积（LPCVD）原理在硅片背面生长一层二氧化硅或多晶硅薄膜。执行背封工艺主流设备有一种是低压卧式背封炉。工作原理即将硅片放入石英管内，用真空泵对炉管进行抽气，制造真空环境然后再通入气体，并通过蝶阀的开合角度控制石英管内的压力。适当的气体配合适当的温度在特定的压力环境下进行反应，在硅片背面生成一层二氧化硅或多晶硅薄膜。在生产过程中有一项重要的要求就是由真空泵对炉管进行抽真空，而且要保证在任何时候外界空气不能通过真空泵尾气管道进入炉腔。外界空气一旦通过真空泵尾气管道进入炉腔，势必会造成沾污，造成产品报废。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术所要解决的技术问题是提供一种LPCVD炉真空泵防返气工装，外界气体不能通过该装置进入炉腔，从而保证了炉腔的洁净度，保证了产品质量。本技术为解决上述技术问题所采用的技术方案是：一种LPCVD炉真空泵防返气工装，包括一球形空心连接件，连接件的上下端设有接口，连接件的中心位置放置有橡胶圆球，连接件靠近上端接口的内壁上设有4个凸出柱，4个凸出柱均匀分布于同一个水平的圆周上。本技术所述连接件由2个空心半球形通过丝扣连接而成。本技术所述连接件两端的接口为NW40接口。本技术的有益效果是：本技术结构简单、设计合理、操作方便，连...
【技术保护点】
1.一种LPCVD炉真空泵防返气工装，其特征在于：包括一球形空心连接件（1），连接件（1）的上下端设有接口，连接件（1）的中心位置放置有橡胶圆球（2），连接件（1）靠近上端接口的内壁上设有4个凸出柱（3），4个凸出柱（3）均匀分布于同一个水平的圆周上。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种LPCVD炉真空泵防返气工装，其特征在于：包括一球形空心连接件（1），连接件（1）的上下端设有接口，连接件（1）的中心位置放置有橡胶圆球（2），连接件（1）靠近上端接口的内壁上设有4个凸出柱（3），4个凸出柱（3）均匀分布于同一个水平的圆周上。
技术研发人员：张天鹏，李艳巧，李鲁，董开纪，
申请(专利权)人：麦斯克电子材料有限公司，
类型：新型
国别省市：河南;41
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。