高功率单体二极管模块制造技术

本实用新型专利技术公开一种高功率单体二极管模块，包括第一框架、第二框架、晶粒和导体，所述晶粒的一个表面通过焊锡连接到第二框架上，此晶粒的另一个表面通过导体与第一框架连接，所述第一框架、第二框架相互靠近的一端之间留有间隙，所述晶粒和导体的外侧包覆有环氧体，所述导接区位于第一主体区的一侧，从而在导接区与第一主体区之间围成一凹陷区，所述载台区位于第二主体区相背于导接区的一侧，且此载台区嵌入所述凹陷区内，所述导接区的宽度小于载台区的宽度。本实用新型专利技术将半导体芯片与框架集成为一体化模块，减少使用过程中的焊接工序，降低使用成本。

【技术实现步骤摘要】
高功率单体二极管模块
本技术涉及半导体
，特别涉及一种高功率单体二极管模块。
技术介绍
太阳能面板（或称为太阳能电池板）是收集太阳能并将太阳能转换成电能的装置。当有云彩或树叶等遮挡并在太阳能面板上产生阴影，被遮挡的太阳能面板将发生热斑效应，这会导致太阳能面板烧毁。为了防止太阳能面板在发生热斑效应时被烧毁，需要在光伏接线盒中设置起到旁路作用的二极管，以防止太阳能面板在发生热斑效应时被烧毁。在现有技术中，光伏接线盒主要包括盒体和设置在盒体中的四个导体和三个二极管，每个二极管安装在相邻的两个导体上。目前太阳能电池功率越来越大，由280W上升到380W，旁路二极管要求功率也在提升，目前客户组装工艺复杂材料成本高，使用现成二极管封装焊接特定框架，不单是工序繁杂且导热效果降低，客户组装时需要先将零件焊接于散热导体架上，在将焊好点线架做线材压接，这两种是完全不同工序，造成客户组装成本大幅升高。
技术实现思路
本技术目的是提供一种高功率单体二极管模块，该高功率单体二极管模块将半导体芯片与框架集成为一体化模块，减少使用过程中的焊接工序，降低使用成本。为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种高功率单体二极管模块，包括第一框架、第二框架、晶粒和导体，所述晶粒的一个表面通过焊锡连接到第二框架上，此晶粒的另一个表面通过导体与第一框架连接，所述第一框架、第二框架相互靠近的一端之间留有间隙，所述晶粒和导体的外侧包覆有环氧体；所述第一框架进一步包括第一主体区、连接于第一主体区一端的第一连接区和连接于第一主体区另一端的导接区，此导接区与所述导体的一端焊接连接，所述第一连接区相背于第一主体区的一端具有一作为所述二极管模块输入端的第一引线区；所述第二框架进一步包括第二主体区、连接于第二主体区相背于第一框架一端的第二连接区和连接于第二主体区另一端的载台区，所述晶粒焊接于第二框架的载台区上，所述第二连接区相背于第二主体区的一端具有一作为所述二极管模块输入端的第二引线区；所述导接区位于第一主体区的一侧，从而在导接区与第一主体区之间围成一凹陷区，所述载台区位于第二主体区相背于导接区的一侧，且此载台区嵌入所述凹陷区内，所述导接区的宽度小于载台区的宽度。上述技术方案中进一步改进的方案如下：1.上述方案中，所述导接区的宽度与载台区的宽度比值为1：2~3。2.上述方案中，所述导体为柔性导体带。3.上述方案中，所述导体为铝带或铜带。4.上述方案中，所述第一主体区和第二主体区上均开有若干个安装孔和至少一个制成通孔。5.上述方案中，所述第一主体区和第二主体区各自的两个侧边上均开有至少一个凹槽。由于上述技术方案运用，本技术与现有技术相比具有下列优点和效果：本技术高功率单体二极管模块，其将半导体芯片与框架集成为一体化模块，减少使用过程中的焊接工序，降低使用成本；另外，其导接区位于第一主体区的一侧，从而在导接区与第一主体区之间围成一凹陷区，所述载台区位于第二主体区相背于导接区的一侧，且此载台区嵌入所述凹陷区内，所述导接区的宽度小于载台区的宽度，载台区与导接区的非对称结构设计，既提高了封装的刚性，又可以在保证封装刚性的同时缩小框架的宽度，在使用相同面积铜材的情况下，提高25%的产量，还增加了承载芯片的有效面积，可封装大功率的芯片；还有，其导体为柔性导体带，软性材料可以避免热应力，保证晶粒封装的稳定性。附图说明附图1为本技术高功率单体二极管模块局部结构俯视图；附图2为本技术高功率单体二极管模块局部结构侧剖图。以上附图中：1、第一框架；101、第一主体区；102、第一连接区；103、导接区；104、第一引线区；2、第二框架；201、第二主体区；202、第二连接区；203、载台区；204、第二引线区；3、晶粒；4、导体；5、环氧体；6、凹陷区。具体实施方式下面结合附图及实施例对本技术作进一步描述：实施例1：一种高功率单体二极管模块，包括第一框架1、第二框架2、晶粒3和导体4，所述晶粒3的一个表面通过焊锡连接到第二框架2上，此晶粒3的另一个表面通过导体4与第一框架1连接，所述第一框架1、第二框架2相互靠近的一端之间留有间隙，所述晶粒3和导体4的外侧包覆有环氧体5；所述第一框架1进一步包括第一主体区101、连接于第一主体区101一端的第一连接区102和连接于第一主体区101另一端的导接区103，此导接区103与所述导体4的一端焊接连接，所述第一连接区102相背于第一主体区101的一端具有一作为所述二极管模块输入端的第一引线区104；所述第二框架2进一步包括第二主体区201、连接于第二主体区201相背于第一框架1一端的第二连接区202和连接于第二主体区201另一端的载台区203，所述晶粒3焊接于第二框架2的载台区203上，所述第二连接区202相背于第二主体区201的一端具有一作为所述二极管模块输入端的第二引线区204；所述导接区103位于第一主体区101的一侧，从而在导接区103与第一主体区101之间围成一凹陷区6，所述载台区203位于第二主体区201相背于导接区103的一侧，且此载台区203嵌入所述凹陷区6内，所述导接区103的宽度小于载台区203的宽度。上述导接区103的宽度与载台区203的宽度比值为1：2；上述导体4为柔性导体带；上述第一主体区101和第二主体区201上均开有若干个安装孔和至少一个制成通孔。实施例2：一种高功率单体二极管模块，包括第一框架1、第二框架2、晶粒3和导体4，所述晶粒3的一个表面通过焊锡连接到第二框架2上，此晶粒3的另一个表面通过导体4与第一框架1连接，所述第一框架1、第二框架2相互靠近的一端之间留有间隙，所述晶粒3和导体4的外侧包覆有环氧体5；所述第一框架1进一步包括第一主体区101、连接于第一主体区101一端的第一连接区102和连接于第一主体区101另一端的导接区103，此导接区103与所述导体4的一端焊接连接，所述第一连接区102相背于第一主体区101的一端具有一作为所述二极管模块输入端的第一引线区104；所述第二框架2进一步包括第二主体区201、连接于第二主体区201相背于第一框架1一端的第二连接区202和连接于第二主体区201另一端的载台区203，所述晶粒3焊接于第二框架2的载台区203上，所述第二连接区202相背于第二主体区201的一端具有一作为所述二极管模块输入端的第二引线区204；所述导接区103位于第一主体区101的一侧，从而在导接区103与第一主体区101之间围成一凹陷区6，所述载台区203位于第二主体区201相背于导接区103的一侧，且此载台区203嵌入所述凹陷区6内，所述导接区103的宽度小于载台区203的宽度。上述导接区103的宽度与载台区203的宽度比值为1：3；上述导体4为铝带或铜带；上述第一主体区101和第二主体区201各自的两个侧边上均开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高功率单体二极管模块，其特征在于：包括第一框架（1）、第二框架（2）、晶粒（3）和导体（4），所述晶粒（3）的一个表面通过焊锡连接到第二框架（2）上，此晶粒（3）的另一个表面通过导体（4）与第一框架（1）连接，所述第一框架（1）、第二框架（2）相互靠近的一端之间留有间隙，所述晶粒（3）和导体（4）的外侧包覆有环氧体（5）；/n所述第一框架（1）进一步包括第一主体区（101）、连接于第一主体区（101）一端的第一连接区（102）和连接于第一主体区（101）另一端的导接区（103），此导接区（103）与所述导体（4）的一端焊接连接，所述第一连接区（102）相背于第一主体区（101）的一端具有一作为所述二极管模块输入端的第一引线区（104）；/n所述第二框架（2）进一步包括第二主体区（201）、连接于第二主体区（201）相背于第一框架（1）一端的第二连接区（202）和连接于第二主体区（201）另一端的载台区（203），所述晶粒（3）焊接于第二框架（2）的载台区（203）上，所述第二连接区（202）相背于第二主体区（201）的一端具有一作为所述二极管模块输入端的第二引线区（204）；/n所述导接区（103）位于第一主体区（101）的一侧，从而在导接区（103）与第一主体区（101）之间围成一凹陷区（6），所述载台区（203）位于第二主体区（201）相背于导接区（103）的一侧，且此载台区（203）嵌入所述凹陷区（6）内，所述导接区（103）的宽度小于载台区（203）的宽度。/n...

【技术特征摘要】
1.一种高功率单体二极管模块，其特征在于：包括第一框架（1）、第二框架（2）、晶粒（3）和导体（4），所述晶粒（3）的一个表面通过焊锡连接到第二框架（2）上，此晶粒（3）的另一个表面通过导体（4）与第一框架（1）连接，所述第一框架（1）、第二框架（2）相互靠近的一端之间留有间隙，所述晶粒（3）和导体（4）的外侧包覆有环氧体（5）；
所述第一框架（1）进一步包括第一主体区（101）、连接于第一主体区（101）一端的第一连接区（102）和连接于第一主体区（101）另一端的导接区（103），此导接区（103）与所述导体（4）的一端焊接连接，所述第一连接区（102）相背于第一主体区（101）的一端具有一作为所述二极管模块输入端的第一引线区（104）；
所述第二框架（2）进一步包括第二主体区（201）、连接于第二主体区（201）相背于第一框架（1）一端的第二连接区（202）和连接于第二主体区（201）另一端的载台区（203），所述晶粒（3）焊接于第二框架（2）的载台区（203）上，所述第二连接区（202）相背于第二主体区（201）的一端具有一作为所述二极管模块输入端的第二引线区（204）；...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡乃仁，吴炆皜，梁佳富，霍慧，
申请(专利权)人：苏州固锝电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32