薄膜晶体管及其制造方法、栅极驱动电路、平板显示器技术

一种薄膜晶体管及其制造方法、栅极驱动电路、平板显示器，该薄膜晶体管包括基底(11)；设置于该基底(11)上的源极层(12)和漏极层(14)二者之一；设置于该源极层(12)和漏极层(14)二者之一上的绝缘分隔层(13)；设置于该绝缘分隔层(13)上的源极层(12)和漏极层(14)二者之另一；覆盖于该源极层(12)和漏极层(14)二者之一、该绝缘分隔层(13)以及该源极层(12)和漏极层(14)二者之另一上，并将该源极层(12)和漏极层(14)二者之一与该源极层(12)和漏极层(14)二者之另一导电连接的有源层(15)；设置于该有源层(15)上的栅极绝缘层(16)；以及设置在该栅极绝缘层(16)上的栅极层(17)。有益效果为：源极层和漏极层呈垂直布置，能够有效地降低沟道长度，从而降低薄膜晶体管的尺寸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜晶体管及其制造方法、栅极驱动电路、平板显示器
本专利技术涉及一种显示器，特别涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、栅极驱动电路、平板显示器。
技术介绍
图11示出了相关技术中的薄膜晶体管40的结构示意图，如图所示，该薄膜晶体管40可用于液晶显示器的栅极驱动电路（GOA，GateDriveronArray）中，其包括基底41、设置于基底41上的栅极层42、设置于栅极层42上的栅极绝缘层43、设置于栅极绝缘层43上的有源层44、设置于有源层44上的层间绝缘层45以及设置于层间绝缘层45上间隔布置的源极46和漏极47，该源极46和漏极47分别与有源层44相连通。图12示出了采用该薄膜晶体管的栅极驱动电路的电路图，是采用四个薄膜晶体管M1~M4和一个电容组成。一些情况下，为了栅极驱动电路的使用寿命，薄膜晶体管的数量需要增加，而薄膜晶体管的数量增加，则会增加栅极驱动电路的宽度，相应地，会增加显示器的边缘尺寸。技术问题本专利技术要解决的技术问题在于，提供一种改进的薄膜晶体管及其制造方法、栅极驱动电路、平板显示器。技术解决方案本专利技术解决其一技术问题所采用的技术方案是：提供一种薄膜晶体管，包括：基底；源极层和漏极层二者之一，设置于该基底上；绝缘分隔层，设置于该源极层和漏极层二者之一上；源极层和漏极层二者之另一，设置于该绝缘分隔层上；有源层，覆盖于该源极层和漏极层二者之一、该绝缘分隔层以及该源极层和漏极层二者之另一上，并将该源极层和漏极层二者之一与该源极层和漏极层二者之另一导电连接；栅极绝缘层，设置于该有源层上；以及栅极层，设置在该栅极绝缘层上。在一些实施例中，该薄膜晶体管还包括一个由所述栅极层外表面朝基底方向延伸至所述源极层和漏极层二者之另一的分割槽，形成两个共用源极和漏极的薄膜晶体管单元。在一些实施例中，该薄膜晶体管还包括一个由所述栅极层外表面朝基底方向延伸至所述绝缘分隔层的分割槽，形成两个共用源极或漏极的薄膜晶体管单元。在一些实施例中，该薄膜晶体管还包括一个由所述栅极层外表面朝基底方向延伸至所述基底的分割槽，形成两个独立薄膜晶体管单元。在一些实施例中，所述绝缘分隔层的厚度为1~1.5μm。提供一种栅极驱动电路，包括上述任一项中的薄膜晶体管。在一些实施例中，该栅极驱动电路为二级栅极驱动电路。提供一种平板显示器，包括上述的栅极驱动电路。在一些实施例中，该平板显示器为柔性显示器。提供一种薄膜晶体管的制造方法，包括如下步骤：提供基底；在基底上形成源极层和漏极层二者之一；在源极层和漏极层二者之一上形成绝缘分隔层；在绝缘分隔层上形成源极层和漏极层二者之另一；在源极层和漏极层二者之一、绝缘分隔层和源极层和漏极层二者之另一上覆盖有源层，该有源层将源极层和漏极层二者之一和源极层和漏极层二者之另一导电连接；有源层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成栅极层。在一些实施例中，还包括步骤：形成由所述栅极层外表面朝基底方向延伸至所述源极层和漏极层二者之另一的分割槽。在一些实施例中，还包括步骤：形成由所述栅极层外表面朝基底方向延伸至所述绝缘分隔层的分割槽。在一些实施例中，还包括步骤：形成由所述栅极层外表面朝基底方向延伸至所述基底的分割槽。有益效果本专利技术的有益效果：源极层和漏极层呈垂直布置，能够有效地降低沟道长度，从而降低薄膜晶体管的尺寸。另外，通过分割槽的设置，可以一个常规尺寸范围可以形成两个薄膜晶体管单元，能够进一步降低采用该薄膜晶体管的栅极驱动电路的宽度，进而可以显著降低采用该栅极驱动电路的平板显示器的边缘尺寸。附图说明下面将结合附图及实施例对本专利技术作进一步说明，附图中：图1是本专利技术第一实施例中的薄膜晶体管的纵向剖面结构示意图；图2是本专利技术第二实施例中的薄膜晶体管的纵向剖面结构示意图；图3是本专利技术第三实施例中的薄膜晶体管的纵向剖面结构示意图；图4是图3所示薄膜晶体管的电路图；图5是图3所示薄膜晶体管弯曲时的纵向剖面结构示意图；图6是本专利技术第四实施例中的薄膜晶体管的纵向剖面结构示意图；图7是图6所示薄膜晶体管的电路图；图8是本专利技术第五实施例中的薄膜晶体管的纵向剖面结构示意图；图9是图8所示薄膜晶体管的电路图；图10是带有图8所示薄膜晶体管的栅极驱动电路的电路图；图11是相关技术中的薄膜晶体管的纵向剖面结构示意图；图12是相关技术中带有图11所示薄膜晶体管的栅极驱动电路的电路图。本专利技术的最佳实施方式为了对本专利技术的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本专利技术的具体实施方式。现在将详细参照本专利技术的实施方式，其实施例表示在附图中，其中，相同的附图标记在全文中指代相同元件。为了说明本专利技术的各方面，下面参考附图对实施方式进行描述。所述的示例性实施方式可以以各种不同方式修改而不背离本专利技术的精神或范围。因此，附图与说明被认为是性质上的说明而非限制。此外，当某一元件被称为“在另一元件之上”时，它可直接在另一元件之上，或者有一个或多个插入元件插入其中而间接地在该元件上。同样，当某一元件被称为“与另一元件相连”时，它可直接与该元件相连，或者可有一个或多个插入元件插入其中而间接地与该元件相连。图1示出了本专利技术第一实施例中的薄膜晶体管10，该薄膜晶体管10可满足尺寸小型化要求，其可包括基底11，设置于基底11上的源极层12，设置于源极层12上的绝缘分隔层13，设置于绝缘分隔层13上的漏极层14，覆盖于源极层12、绝缘分隔层13和漏极层14上且将源极层12和漏极层14导电连接的有源层15，设置于有源层15上的栅极绝缘层16，以及设置在栅极绝缘层16上的栅极层17。在一些实施例中，有源层15可采用诸如铟镓锌氧化物（IGZO，indiumgalliumzincoxide）等沟道层材料制成。在一些实施例中，有源层15覆盖于整个源极层12、绝缘分隔层13和漏极层14上，且部分区域还覆盖在基底11表面，有源层15分别与源极层12和漏极层14的侧面导电连接。在该第一实施例中，由于源极层12与漏极层14呈垂直布置，该薄膜晶体管10的沟道长度L取决于绝缘分隔层13的厚度，而该绝缘分隔层的厚度一般在1~1.5μm，甚至更小。因此，与
技术介绍
中一般薄膜晶体管的沟道长度L在7μm左右的情况相比，该薄膜晶体管的沟道长度L可以显著减小，使得该薄膜晶体管10的尺寸可以比一般薄膜晶体管的尺寸显著减小，进而使得应用该薄膜晶体管10制成的栅极驱动电路的宽度也可以显著减小。该薄膜晶体管10的制造方法可采用如下步骤：在基底11上形成源极层12；在源极层12上形成绝缘分隔层13；在绝缘分隔层13上形成漏极层14；在源极层12、绝缘分隔层13和漏极层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：/n基底；/n源极层和漏极层二者之一，设置于该基底上；/n绝缘分隔层，设置于该源极层和漏极层二者之一上；/n源极层和漏极层二者之另一，设置于该绝缘分隔层上；/n有源层，覆盖于该源极层和漏极层二者之一、该绝缘分隔层以及该源极层和漏极层二者之另一上，并将该源极层和漏极层二者之一与该源极层和漏极层二者之另一导电连接；/n栅极绝缘层，设置于该有源层上；以及/n栅极层，设置在该栅极绝缘层上。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
基底；
源极层和漏极层二者之一，设置于该基底上；
绝缘分隔层，设置于该源极层和漏极层二者之一上；
源极层和漏极层二者之另一，设置于该绝缘分隔层上；
有源层，覆盖于该源极层和漏极层二者之一、该绝缘分隔层以及该源极层和漏极层二者之另一上，并将该源极层和漏极层二者之一与该源极层和漏极层二者之另一导电连接；
栅极绝缘层，设置于该有源层上；以及
栅极层，设置在该栅极绝缘层上。


根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管还包括一个由所述栅极层外表面朝基底方向延伸至所述源极层和漏极层二者之另一的分割槽，形成两个共用源极和漏极的薄膜晶体管单元。


根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管还包括一个由所述栅极层外表面朝基底方向延伸至所述绝缘分隔层的分割槽，形成两个共用源极或漏极的薄膜晶体管单元。


根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管还包括一个由所述栅极层外表面朝基底方向延伸至所述基底的分割槽，形成两个独立薄膜晶体管单元。


根据权利要求1至4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘分隔层的厚度为1~1.5μm。


一种栅极驱动电路，其特征在于，包括权利要求1至5任一项所述的薄膜晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈丹，金志河，黄斌，
申请(专利权)人：深圳市柔宇科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44