公开了一种针对测量应用(335；340；345)优化(300)测量照射的带宽的方法、以及一种相关联的量测装置。该方法包括：利用具有参考带宽的参考测量照射，执行(305)参考测量；以及执行(310；325)一个或多个优化测量，上述一个或多个优化测量中的每个优化测量是利用具有变化的候选带宽的测量照射来执行的。将一个或多个优化测量与参考测量进行比较(320)；并且基于比较，为测量应用选择(330)最佳带宽。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带宽增加的测量方法和装置相关申请的交叉引用本申请要求于2018年2月20日提交的欧洲申请18157680.2的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术涉及可用于例如通过光刻技术在器件的制造中使用的光刻方法和装置，并且涉及使用光刻技术来制造器件的方法。
技术介绍
光刻装置是一种将期望图案施加到衬底上、通常是施加到衬底的目标部分上的机器。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，可以将图案形成装置(其替代地称为掩模或掩模版)用于生成要形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或若干管芯的一部分)上。图案的转印通常是经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行的。通常，单个衬底将包含连续地被图案化的相邻目标部分的网络。在光刻工艺中，经常需要对所产生的结构进行测量，例如用于工艺控制和验证。用于进行这种测量的各种工具是已知的，包括：通常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜；以及用于测量覆盖(即，器件中的两层的对准的准确性的度量)的专用工具。覆盖可以根据两层之间的未对准程度来描述，例如，参考所测量的1nm的覆盖可以描述其中两层以1nm未对准的情况。近来，已经开发出各种形式的散射仪以用于光刻领域。这些器件将辐射束引导到目标上，并且测量散射辐射的一个或多个特性(例如，单个反射角下的强度与波长的关系；一个或多个波长下的强度与反射角的关系；或者偏振与反射角的关系)以获取“光谱”，从所获取的“光谱”可以确定目标的感兴趣特性。感兴趣特性的确定可以通过多种技术来执行：例如，通过诸如严格耦合波分析或有限元方法等迭代方法来进行的目标重构；库搜索；以及主成分分析。由于各种原因，例如，为了使晶片上的空间最大化，目标变得越来越小。随着目标缩小，确保足够的照射(例如，每次测量的光子数)以确保良好的测量质量和信噪比特性变得越来越困难。目标越小，每秒入射在目标上的光子就越少，并且因此测量时间会增加。期望减少该测量时间和/或解决上述问题之一。
技术实现思路
在第一方面，本专利技术提供一种针对测量应用来优化测量照射的带宽的方法，上述方法包括：利用具有参考带宽的参考测量照射来执行参考测量；执行一个或多个优化测量，上述一个或多个优化测量中的每个是利用具有变化的候选带宽的测量照射来执行的；将上述一个或多个优化测量与上述参考测量进行比较；以及基于上述比较来为测量应用选择最佳带宽。在第二方面，本专利技术提供了一种在测量应用中使用测量照射来执行测量的方法，上述方法包括针对上述测量应用来优化测量照射的带宽。本专利技术还提供了一种量测装置，该量测装置包括：可操作以提供测量照射的照射源；以及可操作以针对每个测量应用来优化测量照射的带宽的处理器。本专利技术还提供了一种用于执行第一方面的方法的量测装置和非暂态计算机程序产品。下面参考附图详细描述本专利技术的其他特征和优点、以及本专利技术的各种实施例的结构和操作。注意，本专利技术不限于本文中描述的特定实施例。本文中提出这样的实施例仅用于说明性目的。基于本文中包含的教导，其他实施例对相关领域的技术人员将是很清楚的。附图说明现在将参考附图仅以示例方式描述本专利技术的实施例，在附图中：图1描绘了光刻装置、以及形成用于半导体器件的生产设施的其他装置；图2包括(a)用于使用第一对照射孔径来量测目标的暗场散射仪的示意图，(b)对于给定照射方向的目标光栅的衍射光谱的细节；以及图3是描述根据本专利技术的实施例的方法的流程图。具体实施方式在详细描述本专利技术的实施例之前，有益的是，给出可以在其中实现本专利技术的实施例的示例环境。图1在200处示出了光刻装置LA作为实现大批量光刻制造工艺的工业设施的一部分。在本示例中，制造工艺适于在诸如半导体晶片等衬底上制造半导体产品(集成电路)。技术人员将理解，在该工艺的变体中，可以通过处理不同类型的衬底来制造各种各样的产品。纯粹以半导体产品的生产作为示例，这在当今具有重要的商业意义。在光刻装置(或简称为“光刻工具”200)内，在202处示出了测量站MEA，在204处示出了曝光站EXP。在206处示出了控制单元LACU。在该示例中，每个衬底访问测量站和曝光站，以被施加图案。例如，在光学光刻装置中，投射系统被使用，以使用投射系统和经调整处理的辐射将产品图案从图案形成装置MA转印到衬底上。这是通过在辐射敏感抗蚀剂材料层中形成图案的图像来进行的。本文中使用的术语“投射系统”应当广义地解释为涵盖任何类型的投射系统，针对所使用的曝光辐射或其他因素(诸如浸没液体的使用或真空的使用)，视情况而定，该投射系统包括折射、反射、折反射、磁性、电磁和静电光学系统、或其任何组合。图案形成MA装置可以是掩模或掩模版，其将图案赋予由图案形成装置透射或反射的辐射束。公知的操作模式包括步进模式和扫描模式。众所周知，投射系统可以以各种方式与用于衬底和图案形成装置的支撑和定位系统协作，以将期望图案施加到衬底上的很多目标部分。可以使用可编程图案形成装置来代替具有固定图案的掩模版。辐射例如可以包括深紫外(DUV)或极紫外(EUV)波段的电磁辐射。本公开还适用于其他类型的光刻工艺，例如压印光刻和直接写入光刻，例如通过电子束。光刻装置控制单元LACU控制各种致动器和传感器的所有运动和测量，以接收衬底W和掩模版MA并且实现图案形成操作。LACU还包括信号处理和数据处理能力，以实现与装置的操作有关的期望计算。在实践中，控制单元LACU将被实现为由很多子单元组成的系统，每个子单元处理装置内的子系统或组件的实时数据采集、处理和控制。在将图案在曝光站EXP处施加到衬底之前，在测量站MEA处处理衬底使得可以执行各种制备步骤。制备步骤可以包括：使用水平传感器来绘制衬底的表面高度，并且使用对准传感器来测量衬底上的对准标记的位置。对准标记名义上以规则网格图案布置。然而，由于在产生标记时的不准确性以及由于衬底在其整个处理过程中发生的变形，标记偏离理想网格。因此，除了测量衬底的位置和取向，如果装置要以非常高的准确性在正确的位置处打印产品特征，则对准传感器实际上还必须详细地测量衬底区域上的很多标记的位置。该装置可以是具有两个衬底台的所谓的双台型，每个衬底台具有由控制单元LACU控制的定位系统。当一个衬底台上的一个衬底在曝光站EXP处曝光时，另一衬底可以在测量站MEA处被装载到另一衬底台上，使得可以执行各种制备步骤。因此，对准标记的测量非常耗时，并且两个衬底台的提供使得装置的生产率大大提高。如果位置传感器IF当在测量站以及曝光站处时无法测量衬底台的位置，则可以提供第二位置传感器以使得能够在两个站处跟踪衬底台的位置。光刻装置LA可以例如是具有两个衬底台和两个站(曝光站和测量站)的所谓的双台型，其中衬底台可以在两个站之间交换。在生产设施中，装置200形成“光刻单元”或“光刻集群”的一部分，该“光刻单元”或“光刻集群”还包含用于将感光抗蚀剂和其他涂层施加到衬底W以通过装置200进本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种针对测量应用优化测量照射的带宽的方法，所述方法包括：/n利用具有参考带宽的参考测量照射，执行参考测量；/n执行一个或多个优化测量，所述一个或多个优化测量中的每个优化测量是利用具有变化的候选带宽的测量照射来执行的；/n将所述一个或多个优化测量与所述参考测量进行比较；以及/n基于所述比较，为所述测量应用选择最佳带宽。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180220 EP 18157680.21.一种针对测量应用优化测量照射的带宽的方法，所述方法包括：
利用具有参考带宽的参考测量照射，执行参考测量；
执行一个或多个优化测量，所述一个或多个优化测量中的每个优化测量是利用具有变化的候选带宽的测量照射来执行的；
将所述一个或多个优化测量与所述参考测量进行比较；以及
基于所述比较，为所述测量应用选择最佳带宽。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述比较步骤包括：通过将所述一个或多个优化测量中的每个优化测量与所述参考测量进行比较，确定针对所述一个或多个优化测量中的每个优化测量的带宽影响值。
3.根据权利要求2所述的方法，其中选择最佳带宽的步骤包括：选择所述候选带宽中的如下的最宽候选带宽，针对所述最宽候选带宽的所述带宽影响值满足性能指标。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述性能指标包括拒绝阈值，使得所述最佳带宽与如下的所述最宽候选带宽相对应，针对所述最宽候选带宽的所述带宽影响值低于所述拒绝阈值。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述执行一个或多个优化测量的步骤以及所述比较步骤被执行，使得所述变化的候选带宽被增加、并且所述比较被进行，直到所述带宽影响值超过所述拒绝阈值。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的方法，其中每个带宽影响值包括优化测量与所述参考测量之间的差值。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述变化的候选带宽中的每个候选带宽比所述参考带宽宽。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述比...
【专利技术属性】
技术研发人员：H·A·J·克拉默，S·I·莫萨瓦特，P·C·欣南，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL
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