本发明专利技术涉及一种介质滤波器和通信基站，包括由介电材料制成的本体和设置在该本体表面的至少一对介质谐振器，在一对介质谐振器的第一介质谐振器和第二介质谐振器之间设置有两个耦合槽，所述第一介质谐振器和第二介质谐振器分别位于本体的上表面和下表面，两个耦合槽分别位于本体的上表面和下表面，两个耦合槽至少部分连通，第一介质谐振器和第二介质谐振器之间通过耦合槽实现容性耦合。本发明专利技术具有可简单、灵活实现耦合带宽，且无谐波产生和便于大批量生产的技术效果。
【技术实现步骤摘要】
介质滤波器及通信基站
本专利技术涉及一种通信设备，特别是涉及介质滤波器交叉耦合技术。
技术介绍
随着5G通信系统的建设，其设备对集成度要求越来越高，微波滤波器的小型化，轻量化是未来的应用趋势，介质波导具有高Q值，温漂小等优点，是一种很好的滤波器小型化解决方案。介质滤波器通常需要引入容性交叉耦合实现传输零点达到强抑制的效果，实现低端的传输零点、对称的传输零点则需要引入容性耦合结构（单个高端传输零点有时不需引入容性耦合结构），传统介质波导滤波器实现容性耦合通常采用以下几种形式：一、采用频变耦合结构形式，虽然结构简单，但会引入额外的谐振点。二、直接从传统腔体滤波器飞杆结构衍生过来的容性耦合结构，相对较复杂，且增加了产品的零部件和工序。CN108598635A公开了一种介质滤波器，其通过深度超过本体二分之一的深盲孔来实现容性耦合，该方案简化了实现电容耦合结构的制造工艺，但存在在滤波器通带的低端产生谐波，降低滤波器的抑制能力的缺点。CN210468050U公开了一种用于实现对称传输零点的介质滤波器耦合结构，其包含位于同一表面两个盲孔谐振器、位于本体下方的第一盲槽和位于本体上方的第二盲槽。第一盲槽往一盲孔谐振器方向延伸，第二盲槽往另一盲孔谐振器方向延伸，第一盲槽和第二盲槽均与穿越本体的通孔相连。该方案不会在滤波器通带外产生额外的谐振，能提高滤波器的带外抑制能力。但是，该方案俩谐振器位于同一表面，其磁场耦合较强，电场耦合较弱，应用场景较窄。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提出一种能避免在滤波器谐振频率低端产生寄生谐振，可以改善滤波器在频率低端的远端抑制的介质滤波器。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案为：提供一种介质滤波器，一种介质滤波器，包括由介电材料制成的本体和设置在该本体表面的至少一对介质谐振器，在一对介质谐振器的第一介质谐振器和第二介质谐振器之间设置有两个耦合槽，所述第一介质谐振器和第二介质谐振器分别位于本体的上表面和下表面，两个耦合槽分别位于本体的上表面和下表面，两个耦合槽至少部分连通，第一介质谐振器和第二介质谐振器之间通过耦合槽实现容性耦合。进一步地：第一耦合槽包括连通部分和向第二介质谐振器延伸的延伸部分，第二耦合槽包括连通部分和向第一介质谐振器延伸的延伸部分。第一耦合槽的延伸部分向第二介质谐振器的正上方延伸，第二耦合槽的延伸部分向第一介质谐振器的正下方延伸。所述第一耦合槽的连通部分位于在本体上表面的中心，所述第二耦合槽的连通部分位于在本体下表面的中心。所述第一耦合槽的延伸部分和第二耦合槽的延伸部分均为弧形。在本体上与介质谐振器相对的表面，与介质谐振器同轴设置有用于辅助微调介质谐振器频率的调试盲孔。所述调试盲孔为圆形、多边形或者椭圆形，所述调试盲孔表面部分未被导电层覆盖。提供一种介质滤波器，包括由介电材料制成的本体和设置在本体上的介质谐振器，所述介质谐振器设有四个，分别位于四边形的四个角，其中相邻一对介质谐振器中间设有容性耦合结构；该对介质谐振器的第一介质谐振器和第二介质谐振器分别位于本体的上表面和下表面，两个耦合槽分别位于本体的上表面和本体的下表面，两个耦合槽至少部分连通，第一介质谐振器和第二介质谐振器之间通过耦合槽实现容性耦合。提供一种通信基站，包括如上任一所述的介质滤波器。本专利技术容性耦合结构方案相比现有的容性耦合结构，具有以下有益效果:一对介质谐振器上下表面分别设置，可以让两磁场一个环绕上表面的介质谐振器，一个环绕下表面的介质谐振器，反向设置可以拉近其电场的距离，从而增大容性耦合量。且无需引入额外的零件和工序，即可简单、灵活实现耦合带宽，且无谐波产生，从而保障了产品的性能和设计灵活性，降低了生产难度，便于大批量生产。附图说明图1是本专利技术介质滤波器一种实施例的立体结构示意图；图2是本专利技术介质滤波器一种实施例的上表面结构示意图；图3是本专利技术介质滤波器一种实施例的下表面结构示意图；图4是图2的A-A剖面示意图；图5是是本专利技术介质滤波器另一种实施例的上表面结构示意图；图6是本专利技术介质滤波器另一种实施例的下表面结构示意图；图7是图5的A-A剖面示意图；图8是本专利技术介质滤波器4腔2传输零点实施例的上表面结构示意图；图9是本专利技术介质滤波器4腔2传输零点实施例的下表面结构示意图；图10是本专利技术实施例的容性耦合和感性耦合的拓扑结构图；图11是本专利技术介质滤波器实施例的通带近端频率响应曲线图；图12是本专利技术介质滤波器实施例的通带远端频率响应曲线图。具体实施方式现结合附图，对本专利技术的较佳实施例作详细说明。一种介质滤波器，如图1至图4所示，包括由介电材料制成的本体10和设置在该本体10表面的至少一对介质谐振器，在一对介质谐振器的第一介质谐振器11和第二介质谐振器12之间设置耦合窗口16和两个耦合槽。所述第一介质谐振器11和第二介质谐振器12分别位于本体10的上表面和下表面，第一耦合槽13分别位于本体的上表面，第二耦合槽14位于本体的下表面，第一耦合槽13和第二耦合槽14至少部分连通，第一介质谐振器11和第二介质谐振器12之间通过耦合槽实现容性耦合。所述容性耦合的强度通过去除耦合槽和耦合窗口的部分导电层来调节。所述介质谐振器谐振频率通过去除介质谐振器表面的部分导电层来调节。所述第一耦合槽13包括连通部分和向第二介质谐振器12延伸的延伸部分，所述第二耦合槽14包括连通部分和向第一介质谐振器11延伸的延伸部分。第一耦合槽的延伸部分向第二介质谐振器的正上方延伸，第二耦合槽的延伸部分向第一介质谐振器的正下方延伸。由于介质谐振器的电场最强部分在谐振器盲孔的孔底附近，磁场最强在谐振器盲孔的孔口附近，该种方式可以增加耦合槽与位于同一表面的介质谐振器孔口之间的距离，从而可以减少第一耦合槽与第一谐振器之间的电磁耦合，从而降低电磁耦合对电场耦合的削弱效果。所述连通部分可以为圆柱形、方形和U形等，延伸部分可以为弧形、长条形或者U形等等。如图5至图7所示，耦合槽的连通部分为圆柱形，延伸部分为弧形。其优势在于可以从一个介质谐振器引流更多的电场至另一介质谐振器，从而增强谐振器间的容性耦合。因此，在保持相同耦合强度的情况下，图2所示结构可以将耦合槽与谐振器间的距离增大，从而便于介质的加工成型。如图5和图7所示，在本体10上与介质谐振器相对的表面，与介质谐振器同轴设置有用于辅助微调介质谐振器频率的调试盲孔15。本实施例中，在本体的上表面，与第二介质谐振器12同轴设置有用于辅助微调介质谐振器频率的调试盲孔15。所述调试盲孔为圆形、多边形或者椭圆形。所述调试盲孔表面部分未被导电层覆盖，通过去除试盲孔表面部分导电层如银层实现。所述介质滤波器可以应用于无线通信基站中。下面是以一个4腔2传输零点介质滤波器对本专利技术技术方案进行详细说明。如图8和图9所示，本实本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种介质滤波器，包括由介电材料制成的本体和设置在该本体表面的至少一对介质谐振器，在一对介质谐振器的第一介质谐振器和第二介质谐振器之间设置有两个耦合槽，其特征在于：所述第一介质谐振器和第二介质谐振器分别位于本体的上表面和下表面，两个耦合槽分别位于本体的上表面和下表面，两个耦合槽至少部分连通，第一介质谐振器和第二介质谐振器之间通过耦合槽实现容性耦合。/n
【技术特征摘要】
1.一种介质滤波器，包括由介电材料制成的本体和设置在该本体表面的至少一对介质谐振器，在一对介质谐振器的第一介质谐振器和第二介质谐振器之间设置有两个耦合槽，其特征在于：所述第一介质谐振器和第二介质谐振器分别位于本体的上表面和下表面，两个耦合槽分别位于本体的上表面和下表面，两个耦合槽至少部分连通，第一介质谐振器和第二介质谐振器之间通过耦合槽实现容性耦合。
2.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于：第一耦合槽包括连通部分和向第二介质谐振器延伸的延伸部分，第二耦合槽包括连通部分和向第一介质谐振器延伸的延伸部分。
3.根据权利要求2所述的介质滤波器，其特征在于：第一耦合槽的延伸部分向第二介质谐振器的正上方延伸，第二耦合槽的延伸部分向第一介质谐振器的正下方延伸。
4.根据权利要求2所述的介质滤波器，其特征在于：所述第一耦合槽的连通部分位于在本体上表面的中心，所述第二耦合槽的连通部分位于在本体下表面的中心。
5.根据权利要求2所述的介质滤波器，其特征在于：所述第一耦合槽的延伸部分和第二耦合槽的延伸部分均为弧形...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴亚晖，钟志波，
申请(专利权)人：大富科技安徽股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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