一种适用于晶圆电镀的渗透改善工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种适用于晶圆电镀的渗透改善工艺，具体如下：(1).预处理；对晶圆依次进行溅镀、匀胶、光刻和显影处理；(2).空曝；采用空曝机对正片晶圆进行UV光照射一段时间；(3).凸块电镀；采用晶圆级电镀设备在预镀区域进行电镀并形成凸块；(4).去胶；将晶圆浸泡在N‑甲基吡咯烷酮溶液中以去除预处理的涂胶；(5).UBN刻蚀；利用湿式蚀刻机对产品进行化学刻蚀，并将非凸块区域的预镀层及阻障层去除。通过在经过预处理之后的晶圆进行空曝工艺，以将光刻胶的分子结构改变进行固化，提高了光刻胶的稳定性，达到提高了光刻胶的稳定性、避免渗透的发生、降低了生产成本、优化了晶圆的电镀工艺和保证了晶圆电镀质量的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于晶圆电镀的渗透改善工艺
本专利技术涉及晶圆生产加工领域，具体涉及一种适用于晶圆电镀的渗透改善工艺。
技术介绍
目前在晶圆凸块的制作工艺中都是先制作预镀层再进行晶圆凸块电镀。传统技术中由于预镀层是全面性的在晶圆表面沉积预镀层金属，再利用光刻胶遮蔽非晶圆凸块区域，来进行晶圆凸块电镀沉积的制作。但是由于在晶圆凸块工艺中的电镀药水对光刻胶都具备一定的腐蚀性，导致容易出现渗透现象的发生，大多数企业一般通过使用化学征服型光刻胶，但是此类光刻胶非常昂贵，是一般光刻胶的数倍价格，增加了生产成本。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提出了一种适用于晶圆电镀的渗透改善工艺，以达到提高了光刻胶的稳定性、避免渗透的发生、降低了生产成本和保证了晶圆电镀质量的目的。为达到上述目的，本专利技术的技术方案如下：一种适用于晶圆电镀的渗透改善工艺，具体如下：(1).预处理；对晶圆依次进行溅镀、匀胶、光刻和显影处理；(2).空曝；采用空曝机对正片晶圆进行UV光照射一段时间；(3).凸块电镀；采用晶圆级电镀设备在预镀区域进行电镀并形成凸块；(4).去胶；将晶圆浸泡在N-甲基吡咯烷酮溶液中以去除预处理的涂胶；(5).UBN刻蚀；利用湿式蚀刻机对产品进行化学刻蚀，并将非凸块区域的预镀层及阻障层去除。本专利技术通过在经过预处理之后的晶圆进行空曝工艺，以将光刻胶的分子结构改变进行固化，提高了光刻胶的稳定性，达到提高了光刻胶的稳定性、避免渗透的发生、降低了生产成本、优化了晶圆的电镀工艺和保证了晶圆电镀质量的目的。作为优选的，所述预处理工艺具体如下：所述预处理工艺具体如下：(1-1).溅镀；采用溅镀机镀2层金属膜，其中底层先镀TiW作为阻障层，然后在此阻障层上镀Au形成预镀层；(1-2).匀胶；采用匀胶机将光刻胶均匀涂布在晶圆上，并将涂胶后的晶圆进行在110℃进行烘烤40-60分钟，；(1-3).光刻；利用波段为350-400nm的UV光透过光罩对晶圆进行照射；(1-4).显影；将需要电镀沉积区域利用浓度为2.38-3％的四甲基氢氧化铵药水进行开窗显影，让开窗区域的预镀层裸露出来。作为优选的，步骤(4)中采用晶圆级电镀设备在经过(1-4)中开窗显影的预镀层上进行电镀形成凸块。作为优选的，步骤(2)中空曝机采用350-400nm的UV光对正片晶圆照射30-60分钟。本专利技术具有如下优点：本专利技术通过在经过预处理之后的晶圆进行空曝工艺，以将光刻胶的分子结构改变进行固化，提高了光刻胶的稳定性，达到提高了光刻胶的稳定性、避免渗透的发生、降低了生产成本、优化了晶圆的电镀工艺和保证了晶圆电镀质量的目的。具体实施方式下面对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。本专利技术提供了一种适用于晶圆电镀的渗透改善工艺，其工作原理是通过在经过预处理之后的晶圆进行空曝工艺，以将光刻胶的分子结构改变进行固化，提高了光刻胶的稳定性，达到提高了光刻胶的稳定性、避免渗透的发生、降低了生产成本、优化了晶圆的电镀工艺和保证了晶圆电镀质量的目的。下面结合实施例和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。本专利技术的具体使用步骤如下：一种适用于晶圆电镀的渗透改善工艺，具体如下：(1).预处理；(1-1).溅镀；采用溅镀机镀2层金属膜，其中底层先镀TiW作为阻障层，然后在此阻障层上镀Au形成预镀层；(1-2).匀胶；采用匀胶机将光刻胶均匀涂布在晶圆上，并将涂胶后的晶圆进行在110℃进行烘烤40-60分钟，；(1-3).光刻；利用波段为350-400nm的UV光透过光罩对晶圆进行照射；(1-4).显影；将需要电镀沉积区域利用浓度为2.38-3％的四甲基氢氧化铵药水进行开窗显影，让开窗区域的预镀层裸露出来。(2).空曝；采用空曝机对正片晶圆进行UV光(350-400nm)照射30-60分钟；(3).凸块电镀；采用晶圆级电镀设备在预镀区域进行电镀并形成凸块；(4).去胶；将晶圆浸泡在N-甲基吡咯烷酮溶液中以去除预处理的涂胶；(5).UBN刻蚀；利用湿式蚀刻机对产品进行化学刻蚀，并将非凸块区域的预镀层及阻障层去除。通过以上的方式，本专利技术所提供的一种适用于晶圆电镀的渗透改善工艺，通过在经过预处理之后的晶圆进行空曝工艺，以将光刻胶的分子结构改变进行固化，提高了光刻胶的稳定性，达到提高了光刻胶的稳定性、避免渗透的发生、降低了生产成本、优化了晶圆的电镀工艺和保证了晶圆电镀质量的目的。以上所述的仅是本专利技术所公开的一种适用于晶圆电镀的渗透改善工艺的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于晶圆电镀的渗透改善工艺，其特征在于，具体如下：/n(1).预处理；对晶圆依次进行溅镀、匀胶、光刻和显影处理；/n(2).空曝；采用空曝机对正片晶圆进行UV光照射一段时间；/n(3).凸块电镀；采用晶圆级电镀设备在预镀区域进行电镀并形成凸块；/n(4).去胶；将晶圆浸泡在N-甲基吡咯烷酮溶液中以去除预处理的涂胶；/n(5).UBN刻蚀；利用湿式蚀刻机对产品进行化学刻蚀，并将非凸块区域的预镀层及阻障层去除。/n

【技术特征摘要】
1.一种适用于晶圆电镀的渗透改善工艺，其特征在于，具体如下：
(1).预处理；对晶圆依次进行溅镀、匀胶、光刻和显影处理；
(2).空曝；采用空曝机对正片晶圆进行UV光照射一段时间；
(3).凸块电镀；采用晶圆级电镀设备在预镀区域进行电镀并形成凸块；
(4).去胶；将晶圆浸泡在N-甲基吡咯烷酮溶液中以去除预处理的涂胶；
(5).UBN刻蚀；利用湿式蚀刻机对产品进行化学刻蚀，并将非凸块区域的预镀层及阻障层去除。


2.根据权利要求1所述的一种适用于晶圆电镀的渗透改善工艺，其特征在于，所述预处理工艺具体如下：
(1-1).溅镀；采用溅镀机镀2层金属膜，其中底层先镀TiW作为阻障层，然后在此阻障层上镀Au形成预镀层；

【专利技术属性】
技术研发人员：戴传勇，梁哲纬，
申请(专利权)人：联立徐州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32