化合物、显示面板以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于OLED技术领域并提供了一种具有化学式1所示结构的硼‑硅杂环化合物，其中，L

【技术实现步骤摘要】
化合物、显示面板以及显示装置
本专利技术涉及有机电致发光材料
，具体地涉及一种硼硅杂环化合物以及包括该化合物的显示面板以及显示装置。
技术介绍
机电致发光材料(OLED)作为新一代显示技术，具有超薄、自发光、视角宽、响应快、发光效率高、温度适应性好、生产工艺简单、驱动电压低、能耗低等优点，已广泛应用于平板显示、柔性显示、固态照明和车载显示等行业。随着电子显示技术的发展，有机发光器件(OLED)广泛应用于各种显示设备中。特别是近几年来，智能手机行业对OLED的需求不断增大，对OLED的发光材料的研究和应用也日益增多。按发光机理，OLED发射的光可以分为电致荧光和电致磷光两种。荧光是单重态激子的辐射衰减跃迁所发射的光，磷光则是三重态激子辐射衰减到基态所发射的光。根据自旋量子统计理论，单重态激子和三重态激子的形成概率比例是1:3。荧光材料内量子效率不超过25％，外量子效率普遍低于5％；电致磷光材料的内量子效率理论上达到100％，外量子效率可达20％。1998年，我国吉林大学的马於光教授和美国普林斯顿大学的Forrest教授分别报道了采用锇配合物和铂配合物作为染料掺杂入发光层，第一次成功得到并解释了磷光电致发光现象，并开创性的将所制备磷光材料应用于电致发光器件。由于磷光重金属材料有较长的寿命(μs)，在高电流密度下，可能导致三线态-三线态湮灭和浓度淬灭，造成器件性能衰减，因此通常将重金属磷光材料掺杂到合适的主体材料中，形成一种主客体掺杂体系，使得能量传递最优化，发光效率和寿命最大化。在目前的研究现状中，重金属掺杂材料商业化已成熟，很难开发可替代的掺杂材料。因此，研发新的磷光主体材料成为了一个新的方向
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种化合物，所述化合物具有化学式1所示的通式结构：其中，L1和L2各自独立地选自单键、C6-C30亚芳基、C6-C30亚稠芳基、C4-C30亚杂芳基、C4-C30亚稠杂芳基；D1和D2各自独立地选自取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C4-C60杂芳基、取代或未取代的C10-C60稠芳基、取代或未取代的C8-C30稠杂芳基、取代或未取代的二苯胺基。本专利技术的化合物具有较高的玻璃化温度和热稳定性，容易形成良好的无定形薄膜，可以降低驱动电压，提高器件的发光效率和寿命，在电致发光
中可得到较好的应用，可以用作发光主体材料或电子传输材料。附图说明图1是本专利技术的化合物的化学通式；图2是本专利技术提供的OLED器件的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的一种显示装置的示意图。具体实施方式本专利技术的一方面提供一种化合物，其特征在于，所述化合物具有化学式1所示的结构：其中，L1和L2各自独立地选自单键、C6-C30亚芳基、C6-C30亚稠芳基、C4-C30亚杂芳基、C4-C30亚稠杂芳基；D1和D2各自独立地选自取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C4-C60杂芳基、取代或未取代的C10-C60稠芳基、取代或未取代的C8-C30稠杂芳基、取代或未取代的二苯胺基。在本专利技术化合物中，硼和硅杂的蒽基团具有强的诱导效应，有利于增强电子的注入和传输，并能降低器件的驱动电压。与硅原子作为螺原子的硅杂环戊二烯可以有效改善材料的溶解度，有利于蒸镀掩膜的清洗。另外，本专利技术的化合物具有较高的三线态能级，有效将能量转移给发光体，提升器件效率。在本专利技术化合物中，硼和硅杂的蒽基团具有强的诱导效应以及较强的受电子能力，结合本专利技术化合物中不同的D1和D2基团，可以有效调节本专利技术化合物的HOMO能级，以适应不同的空穴或电子传输相邻层以及发光掺杂材料体系，最大程度满足不同量产需求器件的要求。同时，本专利技术中化合物的不同的D1和D2基团，结构简单稳定，是量产材料中常用的片段，价格相对低廉，可以有效节约材料以及器件制作成本。根据本专利技术所述化合物的一个实施方式，L1和L2各自独立地选自以下基团：其中，Z选自O原子、S原子或NH；#表示连接位置。根据本专利技术所述化合物的一个实施方式，L1和L2相同。根据本专利技术所述化合物的一个实施方式，D1和D2相同。根据本专利技术所述化合物的一个实施方式，D1和D2各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的苊烯基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺双芴基、取代或未取代的基、取代或未取代的苯并菲基、取代或未取代的苯并蒽基、取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的苉基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的吩噁嗪基、取代或未取代的吩嗪基、取代或未取代的吩噻嗪基、取代或未取代的噻蒽基、咔唑基及其衍生物基团、吖啶基及其衍生物基团、二芳胺基及其衍生物基团中的任一种。根据本专利技术所述化合物的一个实施方式，D1和D2各自独立地选自以下基团：其中，Cy存在或不存在；当Cy存在时，Cy选自芳香环或者芳香稠环；n选自0、1或者2；#表示连接位置。根据本专利技术所述化合物的一个实施方式，D1和D2各自独立地选自以下基团：其中，Cy选自苯环、萘环、菲环。根据本专利技术所述化合物的一个实施方式，D1和D2各自独立地选自以下基团中的任意一种：#表示连接位置。根据本专利技术所述化合物的一个实施方式，D1和D2各自独立地选自以下基团：X选自O、S、N-r01或C(r02r03)；其中，r0、r01、r02和r03各自独立地选自氢原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、C6-C12芳基；m选自0、1或者2；#表示连接位置。根据本专利技术所述化合物的一个实施方式，D1和D2各自独立地选自以下基团中的任意一种：r1、r2、r3、r4和r5各自独立地选自氢原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、C6-C12芳基；m选自数字0、1或2；#表示连接位置。根据本专利技术所述化合物的一个实施方式，D1和D2各自独立地选自以下基团：Y选自O、S、N-r1或C(r02r03)；其中，r0、r01、r02和r03各自独立地选自氢原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、C6-C12芳基；#表示连接位置。根据本专利技术所述化合物的一个实施方式，D1和D2各自独立地选自以下基团中的任意一种：r6选自氢原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、C6-C12芳基；#表示连接位置。根据本专利技术所述化合物的一个实施方式，所述化合物选自以下化合物中的任意一种：本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有化学式1所示的结构：/n

【技术特征摘要】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有化学式1所示的结构：



其中，L1和L2各自独立地选自单键、C6-C30亚芳基、C6-C30亚稠芳基、C4-C30亚杂芳基、C4-C30亚稠杂芳基；
D1和D2各自独立地选自取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C4-C60杂芳基、取代或未取代的C10-C60稠芳基、取代或未取代的C8-C30稠杂芳基、取代或未取代的二苯胺基。


2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，L1和L2各自独立地选自以下基团：



其中，Z选自O原子、S原子或NH；
#表示连接位置。


3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，L1和L2相同。


4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，D1和D2相同。


5.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于，D1和D2各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的苊烯基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺双芴基、取代或未取代的基、取代或未取代的苯并菲基、取代或未取代的苯并蒽基、取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的苉基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的吩噁嗪基、取代或未取代的吩嗪基、取代或未取代的吩噻嗪基、取代或未取代的噻蒽基、咔唑基及其衍生物基团、吖啶基及其衍生物基团、二芳胺基及其衍生物基团中的任一种。


6.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于，D1和D2各自独立地选自以下基团：



其中，Cy存在或不存在；当Cy存在时，Cy选自芳香环或者芳香稠环；
n选自0、1或2；
#表示连接位置。


7.根据权利要求6所述的化合物，其特征在于，D1和D2各自独立地选自以下基团：



其中，Cy选自苯环、萘环、菲环。


8.根据权利要求1所述的化合物，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，高威，牛晶华，刘营，邓东阳，卢艳，朱红岩，李侠，
申请(专利权)人：上海天马有机发光显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31