红光发光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种红光发光二极管及其制造方法，所述红光发光二极管包括磊晶叠层、第一、第二电极、第一、第二电极垫。磊晶叠层包括第一型、第二型半导体层以及发光层。发光层的主要发光波长落在一红光范围内。磊晶叠层具有邻近第一型半导体层的第一侧与邻近第二型半导体层的第二侧。第一、第二电极分别与第一型、第二型半导体层电性连接，且分别位于磊晶叠层的第一、第二侧。第一、第二电极垫分别设置于第一、第二电极上且分别与第一、第二电极电性连接。第一、第二电极垫位于磊晶叠层的第一侧。

【技术实现步骤摘要】
红光发光二极管及其制造方法
本专利技术涉及一种发光二极管及其制造方法，尤其涉及一种红光发光二极管及其制造方法。
技术介绍
发光二极管因其光电特性优良，而被广泛地应用于不同领域，其中发光二极管因成本低且显示效果佳，近年来更被视为下一世代的显示器技术主流。一般来说，发光二极管显示器的各画素中通常会设有红光、蓝光、绿光等发光二极管，而现有红光发光二极管的架构通常是垂直式发光二极管。当现有的红光发光二极管要应用于发光二极管显示器时，其一端的电极接合于阵列基板，而另一端则需要通过打线的方式接合于发光二极管显示器的打线区域中。打线区域的设置使得发光二极管显示器体积无法有效地减小，大大限制了红光发光二极管的应用性。
技术实现思路
本专利技术提供一种红光发光二极管，其具有良好的应用性。本专利技术提供一种制造上述红光发光二极管的制造方法。本专利技术的一实施例提供一种红光发光二极管，包括磊晶叠层、第一电极、第二电极、第一电极垫以及第二电极垫。磊晶叠层包括第一型半导体层、第二型半导体层以及位于第一型半导体层与第二型半导体层之间的发光层。发光层的主要发光波长落在一红光范围内。磊晶叠层具有相对的第一侧与第二侧。第一侧邻近于第一型半导体层，且第二侧邻近于第二型半导体层。第一电极与第一型半导体层电性连接，且位于磊晶叠层的第一侧。第二电极与第二型半导体层电性连接，且位于磊晶叠层的第二侧。第一电极垫设置于第一电极上且与第一电极电性连接。第二电极垫设置于第二电极上且与第二电极电性连接。第一电极垫与第二电极垫位于磊晶叠层的第一侧。在本专利技术的一实施例中，上述的红光发光二极管还包括反射叠层。反射叠层包括第一绝缘层、第二绝缘层以及反射层且设置在磊晶叠层的第一侧。反射层设置于第一绝缘层与第二绝缘层之间。第一绝缘层包覆磊晶叠层，且位于反射层与磊晶叠层之间。第一绝缘层具有多个第一贯孔，且这些第一贯孔暴露出第一电极与第二电极。第二绝缘层包覆反射层，且具有多个第二贯孔。反射层具有多个第三贯孔。第一电极垫与第二电极垫通过这些第一贯孔、这些第二贯孔与这些第三贯孔以分别与第一电极与第二电极电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的红光发光二极管还包括缓冲叠层、第一电流传导层以及第二电流传导层。反射叠层位于磊晶叠层与缓冲叠层之间。缓冲叠层包括第三绝缘层、第四绝缘层与缓冲层，且缓冲层夹设于第三绝缘层与第四绝缘层之间。第三绝缘层包覆缓冲层，其中第三绝缘层具有多个第四贯孔，且缓冲层具有多个第五贯孔，第四绝缘层具有多个第六贯孔。第一电流传导层设置于反射叠层与缓冲叠层之间。第二电流传导层设置于反射叠层与缓冲叠层之间。第一电流传导层与第二电流传导层通过这些第一贯孔、这些第二贯孔与这些第三贯孔以分别与第一电极与第二电极电性连接，且第一电极垫与第二电极垫通过这些第四贯孔、这些第五贯孔与这些第六贯孔以分别与第一电流传导层与第二电流传导层电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的第一电极与第二电极中的至少其中之一具有一焊部与由焊部延伸的至少一指部。反射层与第一电极或第二电极的焊部错位设置且第一电极或第二电极的指部与反射层重叠设置。在本专利技术的一实施例中，上述的红光发光二极管还包括承载基板、接合层以及下绝缘层。承载基板具有上表面。接合层设置于上表面上。下绝缘层设置于上表面上，且接合层位于承载基板与下绝缘层之间。磊晶叠层、第一电极、第二电极、第一电极垫与第二电极垫位于下绝缘层上。在本专利技术的一实施例中，上述的承载基板、接合层与下绝缘层的侧面构成一倾斜面。在本专利技术的一实施例中，上述的红光发光二极管还包括一上绝缘层，具有多个第七贯孔。第一电极、第二电极与磊晶叠层位于上绝缘层与下绝缘层之间，且第一电极垫与第二电极垫通过这些第七贯孔分别与第一电极与第二电极电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的红光发光二极管还包括反射层，设置于上表面上。反射层位于下绝缘层与接合层之间。在本专利技术的一实施例中，上述的红光发光二极管还包括一半导体层，位于第一电极与第一型半导体层之间。第一电极通过半导体层与第一型半导体层电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的红光发光二极管还包括一导电结构层，设置于第二侧且位于第二型半导体层与第二电极之间。在本专利技术的一实施例中，上述的导电结构层包括透明导电层以及多个欧姆金属结构。这些欧姆金属结构位于透明导电层与第二型半导体层之间且相邻二欧姆金属结构具有一间距，且透明导电层包覆这些欧姆金属结构。在本专利技术的一实施例中，上述的导电结构层包括透明导电层。本专利技术的一实施例提供一种制造红光发光二极管的制造方法，包括以下步骤。形成一磊晶叠层，其中磊晶叠层包括第一型半导体层、第二型半导体层以及位于第一型半导体层与第二型半导体层之间的发光层，发光层的主要发光波长落在一红光范围内，其中磊晶叠层具有相对的第一侧与第二侧，第一侧邻近于第一型半导体层，且第二侧邻近于第二型半导体层；分别形成第一电极与第二电极于磊晶叠层的第一侧及第二侧上，且第一电极与第二电极分别与磊晶叠层的第一型半导体层与第二型半导体层电性连接。形成一第一电极垫以及一第二电极垫于磊晶叠层的第一侧上，且第一电极垫与第二电极垫分别与第一电极与第二电极电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的形成反射叠层的步骤中，还包括：形成第一绝缘层于磊晶叠层、第一电极与第二电极上，并蚀刻部分的第一绝缘层，以形成多个第一贯孔，这些第一贯孔暴露出部分的第一电极与第二电极。形成反射层于第一绝缘层上，并蚀刻部分的反射层，以形成多个第三贯孔，这些第三贯孔分别对应于这些第一贯孔。形成第二绝缘层于反射层上，并蚀刻部分的第二绝缘层，以形成多个第二贯孔，这些第二贯孔分别对应于这些第三贯孔。在本专利技术的一实施例中，上述的形成第一电极垫以及第二电极垫于磊晶叠层的第一侧上的步骤中，还包括将第一电极垫以及第二电极垫填入这些第一贯孔、这些第二贯孔与这些第三贯孔，以使第一电极垫与第二电极垫分别与第一电极与第二电极电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的形成一缓冲叠层于磊晶叠层的步骤中。缓冲叠层包括第三绝缘层、缓冲层以及第四绝缘层。缓冲层位于第三绝缘层与第四绝缘层之间。在本专利技术的一实施例中，上述的形成缓冲叠层的步骤中，还包括：形成第三绝缘层于磊晶叠层、第一电极与第二电极上，并蚀刻部分的第三绝缘层，以形成多个第四贯孔，这些第四贯孔暴露出部分的第一电流传导层与第二电流传导层。形成缓冲层于第三绝缘层上，并蚀刻部分的缓冲层，以形成多个第五贯孔。这些第五贯孔分别对应于这些第四贯孔。形成第四绝缘层于缓冲层上，并蚀刻部分的第四绝缘层，以形成多个第六贯孔，这些第六贯孔分别对应于这些第五贯孔。在本专利技术的一实施例中，上述的在形成第一电极垫以及第二电极垫于磊晶叠层的第一侧上的步骤中，还包括：将第一电极垫以及第二电极垫填入这些第一贯孔、这些第二贯孔与这些第三贯孔，以使第一电极垫与第二电极垫分别与第一电极与第二电极电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的红光发光二极管的制造方法中，还包括形成第一电流传导层与第二电流传导层于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种红光发光二极管，包括：/n磊晶叠层，包括第一型半导体层、第二型半导体层以及位于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间的发光层，所述发光层的主要发光波长落在红光范围内，所述磊晶叠层具有相对的第一侧与第二侧，其中所述第一侧邻近于所述第一型半导体层，且所述第二侧邻近于所述第二型半导体层；/n第一电极，与所述第一型半导体层电性连接，且位于所述磊晶叠层的所述第一侧；/n第二电极，与所述第二型半导体层电性连接，且位于所述磊晶叠层的所述第二侧；/n第一电极垫，设置于所述第一电极上且与所述第一电极电性连接；以及/n第二电极垫，设置于所述第二电极上且与所述第二电极电性连接；/n其中，所述第一电极垫与所述第二电极垫位于所述磊晶叠层的所述第一侧。/n

【技术特征摘要】
20190322 US 62/822,0701.一种红光发光二极管，包括：
磊晶叠层，包括第一型半导体层、第二型半导体层以及位于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间的发光层，所述发光层的主要发光波长落在红光范围内，所述磊晶叠层具有相对的第一侧与第二侧，其中所述第一侧邻近于所述第一型半导体层，且所述第二侧邻近于所述第二型半导体层；
第一电极，与所述第一型半导体层电性连接，且位于所述磊晶叠层的所述第一侧；
第二电极，与所述第二型半导体层电性连接，且位于所述磊晶叠层的所述第二侧；
第一电极垫，设置于所述第一电极上且与所述第一电极电性连接；以及
第二电极垫，设置于所述第二电极上且与所述第二电极电性连接；
其中，所述第一电极垫与所述第二电极垫位于所述磊晶叠层的所述第一侧。


2.根据权利要求1所述的红光发光二极管，还包括：
反射叠层，包括第一绝缘层、第二绝缘层以及反射层，所述反射层设置于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间，
其中，
所述第一绝缘层包覆所述磊晶叠层，且位于所述反射层与所述磊晶叠层之间，所述第一绝缘层具有多个第一贯孔，且所述多个第一贯孔暴露出所述第一电极与所述第二电极；
所述第二绝缘层包覆所述反射层，且具有多个第二贯孔；
所述反射层具有多个第三贯孔，
其中所述第一电极垫与所述第二电极垫通过所述多个第一贯孔、所述多个第二贯孔与所述多个第三贯孔以分别与所述第一电极与所述第二电极电性连接。


3.根据权利要求2所述的红光发光二极管，还包括：
缓冲叠层，所述反射叠层位于所述磊晶叠层与所述缓冲叠层之间，所述缓冲叠层包括第三绝缘层、第四绝缘层与缓冲层，且所述缓冲层夹设于所述第三绝缘层与所述第四绝缘层之间，
其中，所述第三绝缘层包覆所述缓冲层，其中所述第三绝缘层具有多个第四贯孔，且所述缓冲层具有多个第五贯孔，所述第四绝缘层具有多个第六贯孔；
第一电流传导层，设置于所述反射叠层与所述缓冲叠层之间；以及
第二电流传导层，设置于所述反射叠层与所述缓冲叠层之间，
其中，
所述第一电流传导层与所述第二电流传导层通过所述多个第一贯孔、所述多个第二贯孔与所述多个第三贯孔以分别与所述第一电极与所述第二电...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄东霖，黄逸儒，郭佑祯，沈志铭，黄琮训，黄靖恩，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71