阵列基板及OLED显示面板制造技术

本申请公开了一种阵列基板及OLED显示面板，阵列基板包括衬底基板以及依次设置于衬底基板上的第一膜层组和第二膜层组；阵列基板的弯折区处设置有贯穿第一膜层组的第一沟槽以及贯穿第二膜层组的第二沟槽；第一膜层组上设置有阻挡部，阻挡部上设置有贯穿阻挡部的蚀刻开口，蚀刻开口的底端与第一沟槽的顶端连接；第二沟槽的底端延伸至阻挡部的顶面，第二沟槽在衬底基板上的正投影覆盖蚀刻开口在衬底基板上的正投影。利用阻挡部使得第一沟槽和第二沟槽可以在一道蚀刻工艺中同时形成，从而在保证阵列基板的阵列性能未降低的前提下，减少光罩数量和光照制程，缩短整体的工艺流程，降低成本。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及OLED显示面板
本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及OLED显示面板。
技术介绍
有机电致发光(OLED)显示面板以其低功耗、高饱和度、快响应时间及宽视角等独特优势逐渐成为显示领域的主流技术，未来在车载、手机、平板、电脑及电视产品上具有广阔的应用空间。为了减少显示面板的边框宽度，行业内一般会将显示面板的边框部分弯折至显示面板的背侧，以达到窄边框或无边框的效果。如图1所示，为了便于显示面板的弯折，通常会在显示面板的膜层结构11上的待弯折区域处开设阶梯状的沟槽12，以减小弯曲应力。然而，沟槽12的形成需要使用到多道光罩，整体的工艺流程较长，成本较高。
技术实现思路
第一方面，本申请实施例提供一种阵列基板，以解决现有的OLED显示面板中，沟槽的形成需要使用到多道光罩，整体的工艺流程较长，成本较高的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：一种阵列基板，所述阵列基板具有显示区和位于所述显示区的侧部的弯折区，所述阵列基板包括：衬底基板；设置于所述衬底基板上的第一膜层组；设置于所述第一膜层组远离所述衬底基板的一侧的第二膜层组；其中，所述弯折区处设置有贯穿所述第一膜层组的第一沟槽以及贯穿所述第二膜层组的第二沟槽；所述第一膜层组靠近所述第二膜层组的一侧上设置有阻挡部，所述阻挡部上设置有与所述第一沟槽对应的蚀刻开口，所述蚀刻开口贯穿所述阻挡部，所述蚀刻开口的底端与所述第一沟槽的顶端连接；所述第二沟槽的底端延伸至所述阻挡部的顶面，所述第二沟槽在所述衬底基板上的正投影覆盖所述蚀刻开口在所述衬底基板上的正投影。在一些实施例中，所述阵列基板包括：设置于所述衬底基板上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的有源层；覆盖所述有源层的第一栅极绝缘层；设置于所述第一栅极绝缘层上的第一栅极；覆盖所述第一栅极的第二栅极绝缘层；设置于所述第二栅极绝缘层上的第二栅极；覆盖所述第二栅极的层间介质层；设置于所述层间介质层上的源漏极；覆盖所述源漏极的平坦层；其中，所述第一膜层组包括所述缓冲层。在一些实施例中，所述阻挡部包括与所述有源层、所述第一栅极以及所述第二栅极中的至少一者同层设置的阻挡块，所述蚀刻开口贯穿所有阻挡块；所述阻挡块沿第一方向延伸，所述第一方向与所述第一沟槽的长度方向平行。在一些实施例中，所述阻挡块与所述有源层同层设置时，与所述有源层同层设置的阻挡块与所述有源层通过同一道工艺形成；所述阻挡块与所述第一栅极同层设置时，与所述第一栅极同层设置的阻挡块与所述第一栅极通过同一道工艺形成；所述阻挡块与所述第二栅极同层设置时，与所述第二栅极同层设置的阻挡块与所述第二栅极通过同一道工艺形成。在一些实施例中，所述阻挡块上远离所述蚀刻开口的一端设置有多条沿第二方向延伸的缺口，多条所述缺口沿第一方向相间隔排布。在一些实施例中，所述阻挡块包括多条沿第一方向相间隔排布的阻挡条。在一些实施例中，所述阻挡部包括第一阻挡块以及第二阻挡块，所述第一阻挡块与所述有源层、所述第一栅极以及所述第二栅极中的一者同层设置，所述第二阻挡块与所述有源层、所述第一栅极以及所述第二栅极中的另一者同层设置；其中，所述第一阻挡块包括多条沿第一方向相间隔排布的第一阻挡条，相邻所述第一阻挡条之间设置有第一间隙；所述第二阻挡块包括多条沿第一方向相间隔排布的第二阻挡条，相邻所述第二阻挡条之间设置有第二间隙；所述第一阻挡条在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二间隙在所述衬底基板上的正投影，所述第二阻挡条在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一间隙在所述衬底基板上的正投影。在一些实施例中，所述第一沟槽与所述第二沟槽通过同一道工艺形成。在一些实施例中，所述层间介质上设置有贯穿所述层间介质层且延伸至所述有源层的过孔，所述源漏极填充所述过孔且与所述有源层电连接，所述过孔与所述第一沟槽和所述第二沟槽通过同一道工艺形成。第二方面，本申请还提供一种OLED显示面板，所述OLED显示面板包括如上述的阵列基板，所述OLED显示面板还包括：设置于所述阵列基板上的阳极金属层以及像素定义层；设置于所述阳极金属层上的发光材料层；设置于所述像素定义层上的支撑柱；设置于所述像素定义层、所述支撑柱以及所述发光材料层上的阴极层。本专利技术申请的有益效果为：利用设置于第一膜层组上的阻挡部，在阵列基板的制备过程中，在第二膜层组的预设位置处蚀刻形成第二沟槽后，可以利用阻挡部充当掩模板对第一膜层组进行蚀刻，同时由于阻挡部的阻挡作用，蚀刻液只能通过阻挡部上的蚀刻开口流入到第一膜层组上，从而可以在第一膜层组上蚀刻形成预设形状的第一沟槽，第一沟槽、第二沟槽以及连接源漏极和有源层的过孔可以在一道蚀刻工序中形成，从而在保证阵列基板的阵列性能未降低的前提下，减少光罩数量和光照制程，缩短整体的工艺流程，降低成本。附图说明下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为本申请
技术介绍
中显示面板的结构示意图；图2为本申请具体实施方式中阵列基板的第一种结构示意图；图3为本申请具体实施方式中阵列基板的第二种结构示意图；图4为本申请具体实施方式中阵列基板的第三种结构示意图；图5为本申请具体实施方式中阻挡块的第一种结构示意图；图6为本申请具体实施方式中阵列基板的第四种结构示意图；图7为本申请具体实施方式中阻挡块的第二种结构示意图；图8为本申请具体实施方式中阻挡块的第三种结构示意图；图9至图13为本申请中阻挡部包括单层的阻挡块时一实施方式中阵列基板的制备流程示意图；图14至图17为本申请中阻挡部包括双层的阻挡块时一实施方式中阵列基板的制备流程示意图；图18为本申请一实施方式中OLED显示面板的结构示意图。附图标记：11、膜层结构；12、沟槽；20、阵列基板；21、显示区；22、弯折区；23、衬底基板；24、第一膜层组；241、第一沟槽；25、第二膜层组；251、第二沟槽；26、阻挡部；261、蚀刻开口；262、阻挡块；262a、缺口；262b、阻挡条；263a、第一阻挡条；263b、第一间隙；264a、第二阻挡条；264b、第二间隙；271、缓冲层；272、有源层；273、第一栅极绝缘层；274、第一栅极；275、第二栅极绝缘层；276、第二栅极；277、层间介质层；278、源漏极；279、平坦层；28、保护层；291、过孔；292、走线槽；293、转接端子；30、阳极金属层；40、像素定义层；50、发光材料层；60、支撑柱；70、阴极层。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具有显示区和位于所述显示区的侧部的弯折区，所述阵列基板包括：/n衬底基板；/n设置于所述衬底基板上的第一膜层组；/n设置于所述第一膜层组远离所述衬底基板的一侧的第二膜层组；/n其中，所述弯折区处设置有贯穿所述第一膜层组的第一沟槽以及贯穿所述第二膜层组的第二沟槽；所述第一膜层组靠近所述第二膜层组的一侧上设置有阻挡部，所述阻挡部上设置有与所述第一沟槽对应的蚀刻开口，所述蚀刻开口贯穿所述阻挡部，所述蚀刻开口的底端与所述第一沟槽的顶端连接；所述第二沟槽的底端延伸至所述阻挡部的顶面，所述第二沟槽在所述衬底基板上的正投影覆盖所述蚀刻开口在所述衬底基板上的正投影。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具有显示区和位于所述显示区的侧部的弯折区，所述阵列基板包括：
衬底基板；
设置于所述衬底基板上的第一膜层组；
设置于所述第一膜层组远离所述衬底基板的一侧的第二膜层组；
其中，所述弯折区处设置有贯穿所述第一膜层组的第一沟槽以及贯穿所述第二膜层组的第二沟槽；所述第一膜层组靠近所述第二膜层组的一侧上设置有阻挡部，所述阻挡部上设置有与所述第一沟槽对应的蚀刻开口，所述蚀刻开口贯穿所述阻挡部，所述蚀刻开口的底端与所述第一沟槽的顶端连接；所述第二沟槽的底端延伸至所述阻挡部的顶面，所述第二沟槽在所述衬底基板上的正投影覆盖所述蚀刻开口在所述衬底基板上的正投影。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
设置于所述衬底基板上的缓冲层；
设置于所述缓冲层上的有源层；
覆盖所述有源层的第一栅极绝缘层；
设置于所述第一栅极绝缘层上的第一栅极；
覆盖所述第一栅极的第二栅极绝缘层；
设置于所述第二栅极绝缘层上的第二栅极；
覆盖所述第二栅极的层间介质层；
设置于所述层间介质层上的源漏极；
覆盖所述源漏极的平坦层；
其中，所述第一膜层组包括所述缓冲层。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡部包括与所述有源层、所述第一栅极以及所述第二栅极中的至少一者同层设置的阻挡块，所述蚀刻开口贯穿所有阻挡块；所述阻挡块沿第一方向延伸，所述第一方向与所述第一沟槽的长度方向平行。


4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡块与所述有源层同层设置时，与所述有源层同层设置的阻挡块与所述有源层通过同一道工艺形成；所述阻挡块与所述第一栅极同层设置时，与所述第一栅极同层设置的阻挡块与所述第一栅极通过同一道工艺形成；所述阻挡块与所述第二栅极同层设置时，与所述第二栅极同...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁超，马亮，刘旭阳，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42