一种像素结构、像素单元及显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种像素结构、像素单元及显示面板，所述像素结构包括边框电极和设置于所述边框电极内的四个电极区域，所述四个电极区域呈十字形分布，所述边框电极的宽度大于等于零。本发明专利技术通过将ITO电极设置为四个电极区域，并将四个电极区域呈十字形分布，每个电极区域中均包括若干支路电极，且每个支路电极与边框电极的水平中心线的夹角均不等于90度，相邻两个电极区域内的支路电极相互不平行，且每个电极区域中的相邻两个支路电极之间设置有一狭缝，从而能够改善利用UV2A技术所制备的高分辨率的液晶显示面板的穿透率，从而提高UV2A技术的使用范围。

【技术实现步骤摘要】
一种像素结构、像素单元及显示面板
本专利技术属于显示
，具体涉及一种像素结构、像素单元及显示面板。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品。现有的液晶显示器一般由彩色滤波片基板(ColorFilter，简称CF)、薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，简称TFT)，以及填充于CF基板和TFT基板之间的液晶层(LiquidCrystalLayer，简称LCL)构成。在液晶显示器的制作过程中，通过配向技术来实现液晶层晶体分子按照特定的方向和角度排列，常见的配向技术包括摩擦配向法和紫外线配向法(UltraViolet，简称UV)，UV中的紫外线垂直配向(UltraVioletVerticalAlignment，简称UV2A)通过配向膜可以实现所有液晶分子向设计方向倾斜的状态，所以在液晶显示器配向中应用广泛。目前对于分辨率较低的显示面板而言，UV2A技术相较于其它配向技术能够明显提高显示面板的穿透率，但是，当分辨率提高时，UV2A技术将使得显示面板的穿透率明显降低，从而限制了UV2A技术在液晶显示面板领域的应用，例如，请参见图1和图2，在其它条件相同时，对于利用UV2A技术制备的55”液晶显示面板而言，当分辨率由4K增加为8K时，55”液晶显示面板的穿透率明显降低。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种像素结构、像素单元及显示面板。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：一种像素结构，包括边框电极和设置于所述边框电极内的四个电极区域，所述四个电极区域呈十字形分布，所述边框电极的宽度大于等于零，其中，每个所述电极区域均包括若干支路电极，每个所述支路电极的第一端至第二端自所述边框电极向所述边框电极内部延伸，同一所述电极区域中的所述支路电极相互平行的间隔设置，每个所述支路电极与所述边框电极的水平中心线的夹角均不等于90度，相邻两个所述电极区域内的支路电极相互不平行，处于对角线上的两个所述电极区域内的支路电极相互平行，且每个所述电极区域中的相邻两个支路电极之间设置有一狭缝。在本专利技术的一个实施例中，沿第一方向相邻的两个所述电极区域中的所述狭缝按照相距第一距离的方式一一对应设置，其中，所述第一距离小于或等于所述狭缝的设定边长。在本专利技术的一个实施例中，沿第二方向相邻的两个所述电极区域中的所述狭缝按照相距第二距离的方式一一对应设置，其中，所述第二距离小于或等于所述狭缝的设定边长。在本专利技术的一个实施例中，还包括十字形电极，所述十字形电极将所述像素电极划分为四个第一分区，所述四个电极区域分别分布于所述四个第一分区中。在本专利技术的一个实施例中，还包括一字型电极，所述一字型电极将所述像素电极划分为两个第二分区，每个所述第二分区中均设置有两个所述电极区域，位于同一所述第二分区中的两个所述电极区域的狭缝均包括若干第一子狭缝，从所述若干第一子狭缝的第一端延伸至与所述一字型电极相垂直的所述边框电极的中心线处，使得位于同一所述第二分区中的其中一个所述电极区域中的第一子狭缝与另一个所述电极区域中的第一子狭缝一一对应连接。在本专利技术的一个实施例中，所述电极区域为矩形形状，且相邻两个所述电极区域的第一边长和第二边长均不相等。在本专利技术的一个实施例中，相邻两个所述电极区域的第一边长相减的结果小于等于10μm且大于等于0，相邻两个所述电极区域的第二边长相减的结果小于等于10μm且大于等于0。在本专利技术的一个实施例中，四个所述电极区域中的支路电极与所述边框电极的水平中心线的夹角依次分别为第一角度、第二角度、第三角度和第四角度，其中，所述第一角度的取值范围为35°～55°，所述第二角度的取值范围为125°～145°，所述第三角度的取值范围为215°～235°，所述第四角度的取值范围为305°～325°。本专利技术实施例还提供一种像素单元，包括：数据线、扫描线；开关件，电连接所述数据线和所述扫描线；像素结构，电连接所述开关件；其中，所述像素结构包括边框电极和设置于所述边框电极内的四个电极区域，所述四个电极区域呈十字形分布，所述边框电极的宽度大于等于零，其中，每个所述电极区域均包括若干支路电极，每个所述支路电极的第一端至第二端自所述边框电极向所述边框电极内部延伸，同一所述电极区域中的所述支路电极相互平行的间隔设置，每个所述支路电极与所述边框电极的水平中心线的夹角均不等于90度，相邻两个所述电极区域内的支路电极相互不平行，处于对角线上的两个所述电极区域内的支路电极相互平行，且每个所述电极区域中的相邻两个支路电极之间设置有一狭缝。本专利技术实施例还提供一种显示面板，包括：第一基板；第二基板，位于所述第一基板的对向；若干上述实施例所述的像素单元，设置在所述第一基板与所述第二基板之间；液晶材料，位于所述第一基板与所述第二基板之间。本专利技术的有益效果：本专利技术通过将ITO电极设置为四个电极区域，并将四个电极区域呈十字形分布，每个电极区域中均包括若干支路电极，且每个支路电极与边框电极的水平中心线的夹角均不等于90度，相邻两个电极区域内的支路电极相互不平行，且每个电极区域中的相邻两个支路电极之间设置有一狭缝，从而能够改善利用UV2A技术所制备的高分辨率的液晶显示面板的穿透率，从而提高UV2A技术的使用范围。以下将结合附图及实施例对本专利技术做进一步详细说明。附图说明图1是本专利技术实施例提供的一种利用UV2A技术制备的分辨率为4K的55”液晶显示面板的亮态液晶纹的模拟示意图；图2是本专利技术实施例提供的一种利用UV2A技术制备的分辨率为8K的55”液晶显示面板的亮态液晶纹的模拟示意图；图3是本专利技术实施例提供的一种像素结构的示意图；图4是本专利技术实施例提供的另一种像素结构的示意图；图5是本专利技术实施例提供的再一种像素结构的示意图；图6是本专利技术实施例提供的又一种像素结构的示意图；图7是本专利技术实施例提供的又一种像素结构的示意图；图8是本专利技术实施例提供的又一种像素结构的示意图；图9是本专利技术实施例提供的又一种像素结构的示意图；图10是本专利技术实施例提供的又一种像素结构的示意图；图11是本专利技术实施例提供的一种本实施例和传统设计的像素结构对应的穿透率随分辨率变化的结果示意图；图12是本专利技术实施例提供的一种利用图3的像素结构所模拟的液晶显示面板的穿透率模拟结果示意图；图13是本专利技术实施例提供的一种传统设计的像素结构所模拟的液晶显示面板的穿透率模拟结果示意图；图14是本专利技术实施例提供的一种图12的液晶显示面板的穿透率与图13的液晶显示面板的穿本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素结构，其特征在于，包括边框电极和设置于所述边框电极内的四个电极区域，所述四个电极区域呈十字形分布，所述边框电极的宽度大于等于零，其中，/n每个所述电极区域均包括若干支路电极，每个所述支路电极的第一端至第二端自所述边框电极向所述边框电极内部延伸，同一所述电极区域中的所述支路电极相互平行的间隔设置，每个所述支路电极与所述边框电极的水平中心线的夹角均不等于90度，相邻两个所述电极区域内的支路电极相互不平行，且每个所述电极区域中的相邻两个支路电极之间设置有一狭缝。/n

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，包括边框电极和设置于所述边框电极内的四个电极区域，所述四个电极区域呈十字形分布，所述边框电极的宽度大于等于零，其中，
每个所述电极区域均包括若干支路电极，每个所述支路电极的第一端至第二端自所述边框电极向所述边框电极内部延伸，同一所述电极区域中的所述支路电极相互平行的间隔设置，每个所述支路电极与所述边框电极的水平中心线的夹角均不等于90度，相邻两个所述电极区域内的支路电极相互不平行，且每个所述电极区域中的相邻两个支路电极之间设置有一狭缝。


2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，沿第一方向相邻的两个所述电极区域中的所述狭缝按照相距第一距离的方式一一对应设置，其中，所述第一距离小于或等于所述狭缝的设定边长。


3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，沿第二方向相邻的两个所述电极区域中的所述狭缝按照相距第二距离的方式一一对应设置，其中，所述第二距离小于或等于所述狭缝的设定边长。


4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，还包括十字形电极，所述十字形电极将所述像素电极划分为四个第一分区，所述四个电极区域分别分布于所述四个第一分区中。


5.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，还包括一字型电极，所述一字型电极将所述像素电极划分为两个第二分区，每个所述第二分区中均设置有两个所述电极区域，位于同一所述第二分区中的两个所述电极区域的狭缝均包括若干第一子狭缝，从所述若干第一子狭缝的第一端延伸至与所述一字型电极相垂直的所述边框电极的中心线处，使得位于同一所述第二分区中的其中一个所述电极区域中的第一子狭缝与另一个所述电极区域中的第一子狭缝一一对应连接。


6.根据权利要求4或5所述的像素结构，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建宏，申屠永华，王伟，
申请(专利权)人：咸阳彩虹光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61