盖部以及半导体激光模块制造技术

提供一种能够防止光隔离器从基座剥离的盖部以及半导体激光模块。对在规定的位置收纳有光隔离器的封装件装配的盖部(19)具备：主体部(191)，与封装件(2)的侧壁(21)的上端部接触；以及壁厚部(192)，设置于主体部(191)的下表面，决定盖部(19)相对于封装件(2)的位置定，壁厚部(192)在盖部(19)装配于封装件(2)装配时，设置在收纳在封装件(2)内的光隔离器(9)的正上方的主体部(192)的下表面区域(R1)以外。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】盖部以及半导体激光模块
本专利技术涉及盖部以及半导体激光模块。
技术介绍
一般而言，半导体激光模块通过将半导体激光元件、光隔离器等多个光学部件收纳在封装件内，并在帽等盖部进行缝焊来气密密封(例如参照专利文献1)。在先技术文献专利文献专利文献1：日本专利第3583709号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，在半导体激光模块中，伴随着封装件的小型化，光隔离器与装配于封装件的盖的距离变短，从而存在由树脂等粘接材料固定在基座上的光隔离器剥离而附着在盖上的问题点。本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够防止光隔离器从基座剥离的盖部以及半导体激光模块。用于解决课题的手段为了解决上述课题、实现目的，本公开所涉及的盖部对在规定的位置收纳有光隔离器的封装件装配，其特征在于，具备：主体部，与所述封装件的侧壁的上端部接触；以及壁厚部，设置于所述主体部的下表面，决定该盖部相对于所述封装件的位置，所述壁厚部在该盖部装配于所述封装件时，设置在收纳在所述封装件内的所述光隔离器的正上方的所述主体部的下表面区域以外。此外，本公开所涉及的盖部的特征在于，在上述公开中，所述壁厚部形成为与所述封装件的侧壁的四角中的两处以上的内侧接触。此外，本公开所涉及的盖部，在上述公开中，所述壁厚部形成为至少与所述封装件的侧壁的四角的内侧接触。此外，本公开所涉及的盖部，在上述公开中，所述壁厚部具有多个突起部，所述多个突起部相互分离地形成于所述主体部。此外，本公开所涉及的盖部，在上述公开中，所述壁厚部形成为圆环状，使得与所述封装件的侧壁的四角的内侧接触。此外，本公开所涉及的盖部的特征在于，在上述公开中，所述壁厚部被形成为在该盖部装配于所述封装件时，在所述壁厚部的下表面到所述光隔离器的上表面的最短距离为0.8mm以上并且将所述壁厚部的厚度设为T1mm、将从该盖部的下表面到所述光隔离器的上表面的法线距离设为X1mm的情况下，所述法线距离为0.8mm≤X1mm≤T1mm+0.8mm。此外，本公开所涉及的盖部的特征在于，在上述公开中，所述区域部形成为在该盖部装配于所述封装件时，是该盖部的处于所述光隔离器的正上方的区域，即，作为没有所述壁厚部的部分的至少一部分的区域，所述区域部由不贴附到磁铁的材料形成。此外，本公开所涉及的盖部的特征在于，在上述公开中，所述壁厚部被形成为，在该盖部装配于所述封装件时，在所述壁厚部到所述光隔离器的最短距离为0.8mm以上并且将所述壁厚部的厚度设为T2mm、将从该盖部的下表面到所述光隔离器的上表面的法线距离设为X2mm的情况下，所述法线距离为0mm≤X2mm≤T2mm+0.8mm。此外，本公开所涉及的盖部的特征在于，在上述公开中，不会贴向所述磁铁的材料是玻璃或者陶瓷。此外，本公开所涉及的盖部的特征在于，在上述公开中，不会贴向所述磁铁的材料是不会贴向磁铁的金属。此外，本公开所涉及的半导体激光模块的特征在于，具备：上述公开的盖部；所述封装件；半导体激光元件，朝向所述封装件内的一端侧出射激光；光纤，在与所述半导体激光元件出射所述激光的出射方向相反方向的所述封装件内的另一端侧设置有所述激光入射的入射端；以及折回部，使所述激光向与所述半导体激光出射的出射方向相反方向的所述封装件的所述另一端侧折回并向所述光纤的所述入射端出射。专利技术效果根据本公开，起到能够防止光隔离器从基座剥离的效果。附图说明图1是示意性地表示实施方式1所涉及的半导体激光模块的结构的俯视图。图2是图1的A-A线剖视图。图3是示意性地表示实施方式2所涉及的半导体激光模块的结构的俯视图。图4是实施方式1、2的变形例1所涉及的盖部的俯视图。图5是实施方式1、2的变形例2所涉及的盖部的俯视图。图6是实施方式1、2的变形例3所涉及的盖部的俯视图。图7是实施方式1、2的变形例4所涉及的盖部的俯视图。图8是示意性地表示实施方式1、2的变形例5所涉及的半导体激光模块的结构的俯视图。图9是示意性地表示实施方式1、2的变形例6所涉及的半导体激光模块的结构的俯视图。图10是示意性地表示实施方式1、2的变形例7所涉及的半导体激光模块的结构的俯视图。图11是示意性地表示实施方式1、2的变形例8所涉及的半导体激光模块的结构的俯视图。图12是示意性地表示实施方式1、2的变形例10所涉及的半导体激光模块的结构的俯视图。图13是示意性地表示实施方式1、2的变形例11所涉及的半导体激光模块的结构的俯视图。图14是图13的B-B线剖视图。具体实施方式以下，参照附图对实施方式进行说明。另外，本专利技术并不限定于该实施方式。此外，在附图的记载中，对相同或者对应的要素适当地标注相同的附图标记，并适当省略重复说明。此外，附图是示意性的，需要注意各要素的尺寸的关系、各要素的比率等有时与现实不同。进而，在附图彼此之间，有时也包含相互的尺寸的关系、比率不同的部分。(实施方式1)〔半导体激光模块〕图1是示意性地表示实施方式1所涉及的半导体激光模块的结构的俯视图。图2是图1的A-A线剖视图。图1以及图2所示的半导体激光模块1具备：封装件2、温度调节器3、被称为热沉(submount)的激光器支承构件4、半导体激光元件5、准直透镜6、分束器7、反射镜8、光隔离器9、聚光透镜10、光纤11、光纤保持部12、光电二极管13(以下，仅称为“PD13”)、耦合透镜14、波长检测用元件15、光电二极管16(以下，仅称为“PD16”)、光电二极管17(以下，仅称为“PD17”)、被称为基座的支承构件18以及盖部19。另外，在图1以及图2中，为了说明半导体激光模块1的内部构造，在从封装件2取下盖部19的状态下使封装件2和盖部19并列图示。此外，由于从温度调节器3和支承构件18的从上方观察时的尺寸大致一致，因此在图1中看不到温度调节器3。封装件2在俯视以及侧面视时呈矩形状。封装件2在内部收纳温度调节器3、激光器支承构件4、半导体激光元件5、准直透镜6、分束器7、反射镜8、光隔离器9、聚光透镜10、光纤11、光纤保持部12、PD13、耦合透镜14、波长检测用元件15以及PD16、PD17。温度调节器3根据从未图示的控制器经由未图示的电极供给的驱动电流，对载置于激光器支承构件4的半导体激光元件5以及波长检测用元件15各自的温度进行调节。温度调节器3具有在基板间竖立设置有二维排列的多个柱状的半导体元件(N型以及P型)的构造。此外，温度调节器3中，N型的半导体元件以及P型的半导体元件各自的上端以及下端通过金属电极而与下基板和上基板连接，并且，N型的半导体元件以及P型的半导体元件交替地串联连接。该半导体元件例如使用BiTe来形成。激光器支承构件4设置于支承构件18的上表面。激光器支承构件4将半导体激光元件5载置于上表面。激光器支承构件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种盖部，对在规定的位置收纳有光隔离器的封装件装配，其特征在于，具备：/n主体部，与所述封装件的侧壁的上端部接触；以及/n壁厚部，设置于所述主体部的下表面，决定该盖部相对于所述封装件的位置，/n所述壁厚部在该盖部装配于所述封装件时，设置在收纳在所述封装件内的所述光隔离器的正上方的所述主体部的下表面区域以外。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180214 JP 2018-0242521.一种盖部，对在规定的位置收纳有光隔离器的封装件装配，其特征在于，具备：
主体部，与所述封装件的侧壁的上端部接触；以及
壁厚部，设置于所述主体部的下表面，决定该盖部相对于所述封装件的位置，
所述壁厚部在该盖部装配于所述封装件时，设置在收纳在所述封装件内的所述光隔离器的正上方的所述主体部的下表面区域以外。


2.根据权利要求1所述的盖部，其特征在于，
所述壁厚部形成为与所述封装件的侧壁的四角中的两处以上的内侧接触。


3.根据权利要求1所述的盖部，其特征在于，
所述壁厚部形成为至少与所述封装件的侧壁的四角的内侧接触。


4.根据权利要求3所述的盖部，其特征在于，
所述壁厚部具有多个突起部，
所述多个突起部相互分离地形成于所述主体部。


5.根据权利要求1所述的盖部，其特征在于，
所述壁厚部形成为圆环状，使得与所述封装件的侧壁的四角的内侧接触。


6.根据权利要求1～5中的任一项所述的盖部，其特征在于，
所述壁厚部被形成为在该盖部装配于所述封装件时，在所述壁厚部的下表面到所述光隔离器的上表面的最短距离为0.8mm以上并且将所述壁厚部的厚度设为T1mm、将从该盖部的下表面到所述光隔离器的上表面的法线距离设为X1mm的情况下，所述法线距离为0.8mm≤X1mm≤T1mm+0....

【专利技术属性】
技术研发人员：稻叶悠介，有贺麻衣子，山冈一树，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP