新型可调幅度均衡器制造技术

本发明专利技术涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种新型可调幅度均衡器，包括开关管M1、开关管M2、电容C1、电容C2、电感L1、电感L2、吸收电阻R1、吸收电阻R2、吸收电阻R3、吸收电阻R4、隔离电阻RR1和隔离电阻RR2。本发明专利技术采用砷化镓单芯片的方式实现，满足宽频带的需求，具有体积小、重量轻、稳定性好、结构简单和易于与系统集成等特点。并且通过开关管的控制在一个芯片中可以实现两种均衡量的切换，便于动态的系统或模块的调控。

【技术实现步骤摘要】
新型可调幅度均衡器
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种新型可调幅度均衡器。
技术介绍
在微波射频电路中，各种发射接收模块、功放、毫米波功率模块等宽带微波器件或模块都存在不同程度的幅度和相位不平坦，尤其经过器件间的多级级联，受到器件自身平坦度和驻波影响，整个带宽内输出波形会受到较大影响。幅度均衡器在雷达的发射端与接收端或者各种新型功率部件中都发挥着重要作用，可以用来改善传输信道幅度频率特性和相位频率特性。传统的均衡器使用波导或是同轴线来构造，适用于大功率高频段的应用，但重量体积较大，不利于系统集成。而且在宽带接收系统中，幅度的平坦度特性还与动态的设计要求密切相关，目前普遍使用的幅度均衡器都是固定均衡器方式，不具有动态可调特性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述技术的不足，而提供一种新型可调幅度均衡器。本专利技术为实现上述目的，采用以下技术方案：一种新型可调幅度均衡器，包括开关管M1、开关管M2、电容C1、电容C2、电感L1、电感L2、吸收电阻R1、吸收电阻R2、吸收电阻R3、吸收电阻R4、隔离电阻RR1和隔离电阻RR2；其中电感L1与电容C1并联，并联部分一端与地相连，另一端与吸收电阻R3串连；所述吸收电阻R1与吸收电阻R2串连，中间连接点连接吸收电阻R3的另外一端；电感L2和电容C2串联，电感L2与吸收电阻R1一端连接，电容C2与吸收电阻R2一端连接，电感L1、电容C1、吸收电阻R1、吸收电阻R2、吸收电阻R3、电感L2和电容C2组成典型的T型结构，实现单个均衡量的功能；所述开关管M1的漏端与吸收电阻R4的一端相连，吸收电阻R4的另一端与开关管M2的源端相连，隔离电阻RR1和隔离电阻RR2分别连接至开关管M1和开关管M2的栅端，两个隔离电阻的另一端连接在一起连接外部控制电压，控制开关管的通断；开关管M1的源端与开关管M2的漏端与典型的T型结构并联，开关管M1和M2通过外部控制电压选通后形成桥T型均衡器，实现单个均衡量的功能。优选地，开关管M1和M2在不同的通断状态下表现出不同的特性，通过开关管M1和M2的通断控制，可以实现两种均衡量的切换，采用的砷化镓单芯片形式，开关管的控制电压为0/-5V。本专利技术的有益效果是:本专利技术采用砷化镓单芯片的方式实现，满足宽频带的需求，具有体积小、重量轻、稳定性好、结构简单和易于与系统集成等特点。并且通过开关管的控制在一个芯片中可以实现两种均衡量的切换，便于动态的进系统或模块的调控。附图说明图1是本专利技术的结构示意图；图2是PHEMT开关导通和关断等效电路；图3是控制电压0V时，均衡量5.5dB，电路实现结果图；图4是控制电压-5V时，均衡量8.5dB，电路实现结果图。具体实施方式如图1所示，一种新型可调幅度均衡器，采用砷化镓单芯片的方式实现，并且通过开关管M1和开关管M2的控制实现两个不同均衡量的切换。包括开关管M1、开关管M2、电容C1、电容C2、电感L1、电感L2、吸收电阻R1、吸收电阻R2、吸收电阻R3、吸收电阻R4，隔离电阻RR1和隔离电阻RR2。其中所述电感L1与电容C1并联，并联部分一端与地相连另一端与吸收电阻R3串连；所述吸收电阻R1的一端与吸收电阻R2的一端依次相连，中间连接点连接相连吸收电阻R3的另外一端；电感L2和电容C2串联，串联部分的另外两端与吸收电阻R1的一端与吸收电阻R2的串联支路并联，构成特定均衡量的电路。所述开关管M1的漏端与吸收电阻R4的一端相连，吸收电阻R4的另一端与个开关管M2的源端相连，隔离电阻RR1和隔离电阻RR2分别连接至开关管M1和开关管M2的栅端，两个隔离电阻的另一端连接在一起连接外部控制电压，控制开关管的通断；开关管M1的源端与开关管M1的漏端与典型的T型结构并联，开关管选通后形成特定均衡量的电路。具体电路结构如图1所示。本专利技术选用砷化镓工艺，开关管为PHEMT为三端口器件，栅极G加直流偏置作为控制端，通过给定不同的控制电压(0V、-5V)，PHEMT开关工作在两种不同的工作状态。导通状态Vg＝0V，开关管沟道导通，源S-漏D间为低阻状态；关断状态Vg＝-5V，开关管沟道全部耗尽，源S-漏D间为高阻状态。导通状态和关断状态等效电路图如图2所示。开关管M1和开关管M2关断时等效高阻特性，漏源电阻Rds较大可以忽略，栅源电容Cgs、栅漏电容Cgd、漏源电容Cds及其具有的串联寄生电阻，开关管的源S-漏D间可以等效为电阻ROFF和电容COFF，对应的关系公式1和公式2所示。两个开关管的等效电阻ROFF和等效电容COFF与电感L1、电容C1、吸收电阻R1、吸收电阻R2、吸收电阻R3、电感L2和电容C2组成典型的T型结构，合理优化开关管的尺寸可以实现特定均衡量的功能；开关管M1和开关管M2导通时，等效为低阻状态，漏源电阻Rds比串联的栅源电阻Rgs、栅漏电容Cgd、栅漏电阻Rgd和栅漏电容Cgd小很多，RON等效为公式3。开关管M1和开关管M2导通时的RON与吸收电阻R4、隔离电阻RR1和隔离电阻RR2，通过外部控制电压选通后与电感L1、电容C1、吸收电阻R1、吸收电阻R2、吸收电阻R3、电感L2和电容C2形成桥T型均衡器，同时合理选择开关管M1和开关管M2的尺寸，RON对实现特定均衡量进行调节。RON＝Rds公式3具体实现性能：频率2-18GHz，控制电压0V时，均衡量5.5dB，电路实现结果如参考图3所示；控制电压-5V时，均衡量8.5dB，电路实现结果如参考图4所示。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型可调幅度均衡器，其特征在于：包括开关管M1、开关管M2、电容C1、电容C2、电感L1、电感L2、吸收电阻R1、吸收电阻R2、吸收电阻R3、吸收电阻R4、隔离电阻RR1和隔离电阻RR2；其中电感L1与电容C1并联，并联部分一端与地相连，另一端与吸收电阻R3串连；所述吸收电阻R1与吸收电阻R2串连，中间连接点连接吸收电阻R3的另外一端；电感L2和电容C2串联，电感L2与吸收电阻R1一端连接，电容C2与吸收电阻R2一端连接，电感L1、电容C1、吸收电阻R1、吸收电阻R2、吸收电阻R3、电感L2和电容C2组成典型的T型结构，实现单个均衡量的功能；/n所述开关管M1的漏端与吸收电阻R4的一端相连，吸收电阻R4的另一端与开关管M2的源端相连，隔离电阻RR1和隔离电阻RR2分别连接至开关管M1和开关管M2的栅端，两个隔离电阻的另一端连接在一起连接外部控制电压，控制开关管的通断；开关管M1的源端与开关管M2的漏端与典型的T型结构并联，开关管M1和M2通过外部控制电压选通后形成桥T型均衡器，实现单个均衡量的功能。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型可调幅度均衡器，其特征在于：包括开关管M1、开关管M2、电容C1、电容C2、电感L1、电感L2、吸收电阻R1、吸收电阻R2、吸收电阻R3、吸收电阻R4、隔离电阻RR1和隔离电阻RR2；其中电感L1与电容C1并联，并联部分一端与地相连，另一端与吸收电阻R3串连；所述吸收电阻R1与吸收电阻R2串连，中间连接点连接吸收电阻R3的另外一端；电感L2和电容C2串联，电感L2与吸收电阻R1一端连接，电容C2与吸收电阻R2一端连接，电感L1、电容C1、吸收电阻R1、吸收电阻R2、吸收电阻R3、电感L2和电容C2组成典型的T型结构，实现单个均衡量的功能；
所述开关管M1的漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：全金海，李慧超，陈普锋，黄华，
申请(专利权)人：天津中科海高微波技术有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12