双极化阵列天线及去耦合结构制造技术

本发明专利技术涉及一种双极化阵列天线及去耦合结构，去耦合结构包括第一谐振体及第二谐振体，第一谐振体与第二谐振体正交设置，第一谐振体的谐振频率处于第一预设频段内，第二谐振体的谐振频率处于第二预设频段内；在第一预设频段和第二预设频段中，其中一个属于低频段，另外一个属于高频段。使用时，可以将去耦合结构设置在相邻的两个辐射单元之间，由于第一谐振体的谐振频率处于第一预设频段内，第二谐振体的谐振频率处于第二预设频段内；并且，在第一预设频段和第二预设频段中，其中一个属于低频段，另外一个属于高频段，从而能够分别对低频段和高频段的空间波进行抑制，进而能够提高隔离度。

【技术实现步骤摘要】
双极化阵列天线及去耦合结构
本专利技术涉及移动通信
，特别是涉及一种双极化阵列天线及去耦合结构。
技术介绍
随着移动通信技术的发展，双极化阵列天线因其优良的性能，在移动通信网络中得到了广泛的应用。同时，在天面资源紧张的情况下，合理的选择不同的工作频段，不仅能够有效的利用通信资源，而且还能节省运维成本。因此，为了满足市场需求，传统的双极化阵列天线的工作频段通常很宽(1710MHz～2690MHz)，从而导致传统的双极化阵列天线的隔离度较差。
技术实现思路
基于此，有必要针对隔离度较差的问题，提供一种双极化阵列天线及去耦合结构。一方面，提供了一种去耦合结构，包括第一谐振体及第二谐振体，所述第一谐振体与所述第二谐振体正交设置，所述第一谐振体的谐振频率处于第一预设频段内，所述第二谐振体的谐振频率处于第二预设频段内；在所述第一预设频段和所述第二预设频段中，其中一个属于低频段，另外一个属于高频段。上述实施例的去耦合结构，使用时，可以将去耦合结构设置在相邻的两个辐射单元之间，由于第一谐振体的谐振频率处于第一预设频段内，第二谐振体的谐振频率处于第二预设频段内；并且，在第一预设频段和第二预设频段中，其中一个属于低频段，另外一个属于高频段，从而能够分别对低频段和高频段的空间波进行抑制，进而能够提高隔离度。在其中一个实施例中，所述第一谐振体包括相互连接并呈中心对称设置的第一谐振件和第二谐振件。在其中一个实施例中，所述第一谐振件包括与所述第二谐振件及所述第二谐振体均连接的第一谐振枝节、设置于所述第一谐振枝节一侧的第二谐振枝节、及设置于所述第一谐振枝节另一侧的第三谐振枝节，且所述第二谐振枝节及所述第三谐振枝节关于所述第一谐振枝节的中心轴线轴对称设置。在其中一个实施例中，所述第二谐振件包括与所述第一谐振枝节及所述第二谐振体均连接的第四谐振枝节、设置于所述第四谐振枝节一侧的第五谐振枝节、及设置于所述第四谐振枝节另一侧的第六谐振枝节，且所述第五谐振枝节及所述第六谐振枝节关于所述第四谐振枝节的中心轴线轴对称设置。在其中一个实施例中，所述第二谐振枝节及所述第五谐振枝节均与所述第二谐振体间隔设置，所述第二谐振枝节及所述第五谐振枝节与所述第二谐振体之间的间距均为L1，且所述L1可调。在其中一个实施例中，所述第一谐振枝节及所述第四谐振枝节的长度可调；和/或所述第一谐振枝节连及所述第四谐振枝节的宽度可调；所述第二谐振枝节连及所述第五谐振枝节的长度可调；和/或所述第二谐振枝节连及所述第五谐振枝节的宽度可调。在其中一个实施例中，所述第二谐振枝节包括与所述第一谐振枝节呈第一夹角设置的第一段；或所述第二谐振枝节包括与所述第一谐振枝节呈第一夹角设置的第一段、及与所述第一段呈第二夹角设置的第五段。在其中一个实施例中，所述第二谐振体包括相互连接并以连接部位呈中心对称设置的第三谐振件和第四谐振件。在其中一个实施例中，所述第三谐振件包括与所述第四谐振件及所述第一谐振体均连接的第七谐振枝节、设置于所述第七谐振枝节一侧的第八谐振枝节、及设置于所述第七谐振枝节另一侧的第九谐振枝节，且所述第八谐振枝节及所述第九谐振枝节关于所述第七谐振枝节的中心轴线轴对称设置。在其中一个实施例中，所述第四谐振件包括与所述第七谐振枝节及所述第一谐振体均连接的第十谐振枝节、设置于所述第十谐振枝节一侧的第十一谐振枝节、及设置于所述第十谐振枝节另一侧的第十二谐振枝节，且所述第十一谐振枝节及所述第十二谐振枝节关于所述第十谐振枝节的中心轴线轴对称设置。在其中一个实施例中，所述第八谐振枝节及所述第十一谐振枝节均与所述第一谐振体间隔设置，所述第八谐振枝节及所述第十一谐振枝节与所述第二谐振体之间的间距均为L2，且所述L2可调。在其中一个实施例中，所述第七谐振枝节连及所述第十谐振枝节的长度可调；和/或所述第七谐振枝节连及所述第十谐振枝节的宽度可调；所述第八谐振枝节连及所述第十一谐振枝节的长度可调；和/或所述第八谐振枝节连及所述第十一谐振枝节的宽度可调。在其中一个实施例中，所述第八谐振枝节包括与所述第七谐振枝节呈第三夹角设置的第九段，或所述第八谐振枝节包括与所述第七谐振枝节呈第三夹角设置的第九段、及与所述第九段呈第四夹角设置的第十三段。在其中一个实施例中，所述去耦合结构还包括支撑组件，所述支撑组件用于对所述第一谐振体及所述第二谐振体进行支撑。另一方面，提供了一种双极化阵列天线，包括反射板、至少两个辐射单元、及所述的去耦合结构，所述辐射单元及所述去耦合结构均设置在所述反射板上，且相邻的两个所述辐射单元之间设有一个所述去耦合结构。上述实施例的双极化阵列天线，使用时，利用去耦合结构能够对低频段和高频段的空间波进行抑制，进而能够提高隔离度，也能实现良好的驻波，同时，也不会影响辐射性能。附图说明构成本申请的一部分的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为一个实施例的双极化阵列天线的结构示意图；图2为图1的双极化阵列天线的俯视图；图3为图1的双极化阵列天线一个实施例的去耦合结构的俯视图；图4为图3的双极化阵列天线的去耦合结构的轴测图；图5为图1的双极化阵列天线另一个实施例的去耦合结构的俯视图；图6为图1的双极化阵列天线有无去耦合结构的隔离度的曲线图。附图标记说明：10、去耦合结构，100、第一谐振体，110、第一谐振件，111、第一谐振枝节，112、第二谐振枝节，1121、第一段，1122、第五段，113、第三谐振枝节，1131、第二段，1132、第六段，120、第二谐振件，121、第四谐振枝节，122、第五谐振枝节，1221、第三段，1222、第七段，123、第六谐振枝节，1231、第四段，1232、第八段，200、第二谐振体，210、第三谐振件，211、第七谐振枝节，212、第八谐振枝节，2121、第九段，2122、第十三段，213、第九谐振枝节，2131、第十段，2132、第十四段，220、第四谐振件，221、第十谐振枝节，222、第十一谐振枝节，2221、第十一段，2222、第十五段，223、第十二谐振枝节，2231、第十二段，2232、第十六段，300、支撑组件，310、支撑件，20、辐射单元，30、反射板。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种去耦合结构，其特征在于，包括第一谐振体及第二谐振体，所述第一谐振体与所述第二谐振体正交设置，所述第一谐振体的谐振频率处于第一预设频段内，所述第二谐振体的谐振频率处于第二预设频段内；在所述第一预设频段和所述第二预设频段中，其中一个属于低频段，另外一个属于高频段。/n

【技术特征摘要】
1.一种去耦合结构，其特征在于，包括第一谐振体及第二谐振体，所述第一谐振体与所述第二谐振体正交设置，所述第一谐振体的谐振频率处于第一预设频段内，所述第二谐振体的谐振频率处于第二预设频段内；在所述第一预设频段和所述第二预设频段中，其中一个属于低频段，另外一个属于高频段。


2.根据权利要求1所述的去耦合结构，其特征在于，所述第一谐振体包括相互连接并呈中心对称设置的第一谐振件和第二谐振件。


3.根据权利要求2所述的去耦合结构，其特征在于，所述第一谐振件包括与所述第二谐振件及所述第二谐振体均连接的第一谐振枝节、设置于所述第一谐振枝节一侧的第二谐振枝节、及设置于所述第一谐振枝节另一侧的第三谐振枝节，且所述第二谐振枝节及所述第三谐振枝节关于所述第一谐振枝节的中心轴线轴对称设置。


4.根据权利要求3所述的去耦合结构，其特征在于，所述第二谐振件包括与所述第一谐振枝节及所述第二谐振体均连接的第四谐振枝节、设置于所述第四谐振枝节一侧的第五谐振枝节、及设置于所述第四谐振枝节另一侧的第六谐振枝节，且所述第五谐振枝节及所述第六谐振枝节关于所述第四谐振枝节的中心轴线轴对称设置。


5.根据权利要求4所述的去耦合结构，其特征在于，所述第二谐振枝节及所述第五谐振枝节均与所述第二谐振体间隔设置，所述第二谐振枝节及所述第五谐振枝节与所述第二谐振体之间的间距均为L1，且所述L1可调。


6.根据权利要求4所述的去耦合结构，其特征在于，所述第一谐振枝节及所述第四谐振枝节的长度可调；和/或所述第一谐振枝节连及所述第四谐振枝节的宽度可调；所述第二谐振枝节连及所述第五谐振枝节的长度可调；和/或所述第二谐振枝节连及所述第五谐振枝节的宽度可调。


7.根据权利要求4所述的去耦合结构，其特征在于，所述第二谐振枝节包括与所述第一谐振枝节呈第一夹角设置的第一段；或所述第二谐振枝节包括与所述第一谐振枝节呈第一夹角设置的第一段、及与所述第一段呈第二夹角设置的第五段。


8.根据权利要求1至7任一项所述的去耦合结构，其特征在于，所述第二谐振体包...

【专利技术属性】
技术研发人员：林晓阳，王宇，李明超，薛锋章，
申请(专利权)人：华南理工大学，京信通信技术广州有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44