一种含多杂环结构的化合物及其应用制造技术

本发明专利技术涉及有机电致发光显示技术领域，具体公开了一种含多杂环结构化合物的有机材料，同时还公开了其在有机电致发光器件中的应用。本发明专利技术提供的含多杂环结构的化合物如通式(Ⅰ)所示，可以应用在有机电致发光领域，作为电子传输材料使用。本发明专利技术提供的该结构化合物应用于OLED器件中，器件表现具有驱动电压低、发光效率高的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种含多杂环结构的化合物及其应用
本专利技术涉及有机电致发光用材料
，具体公开了一种新型的含多杂环结构的化合物，同时还公开了其在有机电致发光器件中的应用。
技术介绍
有机电致发光(OLED)材料在信息显示材料、有机光电子材料等领域中的应用具有极大的研究价值和美好的应用前景。随着多媒体信息技术的发展，对平板显示器件性能的要求越来越高。目前主要的显示技术有等离子显示器件、场发射显示器件和有机电致发光显示器件(OLEDs)。其中，OLEDs具有自身发光、低电压直流驱动、轻薄省电、全固化、视角宽、颜色丰富等一系列优点，与液晶显示器件相比，OLEDs不需要背光源，视角更宽，功耗低，其响应速度是液晶显示器件的1000倍，因此，OLEDs具有更广阔的应用前景。自高效有机发光二极管(OLEDs)第一次被报道以来，许多学者就一直致力于研究如何提高OLED器件的性能。有机电荷传输材料是一种用于OLED器件的重要材料。有机电荷传输材料是一类当有载流子(电子或空穴)注入时，在电场作用下，可以实现载流子的可控定向有序移动，从而来进行电荷传输的有机半导体材料。有机电荷传输材料中以传输空穴为主的，称为空穴型传输材料，以传输电子为主的，称为电子型传输材料，或者简称电子传输材料。有机电荷传输材料发展至今，其中空穴传输材料种类较为繁多且性能较好，而电子传输材料的品种少、性能也较差。例如目前常用的电子传输材料Alq3由于电子迁移率低，因而导致器件的工作电压较高，耗电严重；部分电子传输材料如LG201三线态能级不高，在使用磷光发光材料作为发光层时，需要增加激子阻挡层，否则效率会降低；还有一些材料如Bphen，容易结晶，导致寿命降低。电子传输材料存在的这些问题都是影响有机电致发光显示器件发展的瓶颈。因此，开发新的性能更好的电子传输材料将具有很重要的实际应用价值。
技术实现思路
本专利技术的目的在于开发一种有机电致发光器件的电子传输材料，应用于OLED器件中，具有驱动电压低、发光效率高的优点。具体而言，第一方面，本专利技术提供了一种含多杂环结构的化合物，具有如通式(Ⅰ)所示的结构：其中：R1～R12任意选自H、卤原子、直链或含支链的烷基、环烷基、氨基、烷胺基、取代或未取代的C6～C40的单环芳烃基或多环芳烃基，且R1～R12中至少一个为取代或未取代的C6～C40的单环芳烃基或多环芳烃基。所述卤原子为F、Cl、Br或I。直链烷基是指通式为CnH2n+1-的直链烷基，包括但不限于甲基、乙基、丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基等。含支链的烷基包括但不限于异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基、新戊基等。环烷基包括但不限于含环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基等的基团。烷胺基是指氨基上至少一个H被烷基取代的基团。C6～C40的单环芳烃基或多环芳烃基，其中单环芳烃基为含一个苯环的芳烃基；多环芳烃基为多苯代脂烃基、联苯和联多苯型多环芳烃基、螺二芴类基团或稠环芳烃基。多环芳烃基包括但不限于包含联苯、三联苯、萘、苊、二氢苊、芴、螺二芴、菲、芘、荧蒽、屈、苯并(a)蒽、蒽、苯并荧蒽、三亚苯、苯并芘、苝、茚并荧蒽的基团。作为一种优选的实施方案，通式(I)中，所述R1～R12任意选自H、取代或未取代的C6～C40的单环芳烃基或多环芳烃基，且R1～R12不同时为H；所述多环芳烃基为多苯代脂烃基、联苯型多环芳烃基、螺二芴类基团、稠环芳烃基中的任意一种；所述取代的C6～C40的单环芳烃或多环芳烃的取代基任意选自：卤素、直链或含支链的烷基、环烷基、多环芳基、多环芳基并基、单环芳基、单环芳基并基、杂环芳基、杂环芳基并基，所述取代基的个数选自1～7的整数。多环芳基可以是联苯基、菲基、芴基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、萘基等。多环芳基并基可以是菲并基、蒽并基、荧蒽并基、三亚苯基并基、萘并基等。单环芳基为苯基。单环芳基并基为苯并基。杂环芳基为具有芳杂环的基团，可以为苯并噻吩基、苯并呋喃基、吡啶基、嘧啶基、噻唑基等。杂环芳基并基可以为苯并噻吩并基、苯并呋喃并基等。作为一种优选的实施方案，通式(I)中，所述R1～R12各自独立地选自H、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的苯并(a)蒽基、取代或未取代的苯并(b)荧蒽基、取代或未取代的苯并(k)荧蒽基、取代或未取代的苯并(a)芘基、取代或未取代的茚并荧蒽基、取代或未取代的苝基，但R1～R12不同时为H；取代的取代基可以是1-3个，所述取代基任意选自卤素、C1-5的直链或含支链的烷基、C3-8的环烷基、单环芳基、单环芳基并基、多环芳基、多环芳基并基；所述取代基上的氢可以进一步分别被1～2个以下任意取代基取代：C1-5的直链或含支链的烷基、C3-8的环烷基、苯基。作为一种优选的实施方案，通式(I)中，所述R1～R12各自独立地选自H、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的茚并荧蒽基、取代或未取代的苝基，但R1～R12不同时为H；取代的取代基可以是1-3个，所述取代基任意选自卤素、C1-5的直链或含支链的烷基、C3-8的环烷基、苯基、联苯基、萘基、萘并基、菲基、菲并基、苯并基、三亚苯基、荧蒽基；所述取代基上的氢可以进一步分别被1～2个以下任意取代基取代：C1-5的直链或含支链的烷基、C3-8的环烷基、苯基。作为一种优选的实施方案，通式(I)中，所述R1～R12各自独立地选自H、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的茚并荧蒽基、取代或未取代的苝基，但R1～R12不同时为H；取代的取代基可以是1-2个，所述取代基任意选自C1-5的直链或含支链的烷基、C3-6的环烷基、苯基、联苯基、萘基、菲基、苯并基、三亚苯基、萘并基、荧蒽基。作为一种优选的实施方案，通式(I)中，所述R1～R12各自独立地选自H或以下基团：且R1～R12不同时为H。其中“”表示取代基与母核的连接位。作为一种优选的实施方案，通式(I)中，所述R1～R12中至少一个选自H以外的基团，优选所述R1～R12中1～5个选自H以外的基团，更优选所述R1～R12中1～3个选自H以外的基团；当所述R1～R12中有两个或以上选自H以外的基团时，选择的所述H以外的基团可以相同也可以不同。作为一种优选的实施方案，通式(I)中，所述R1～R12中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含多杂环结构的化合物，其特征在于，具有如通式(Ⅰ)所示的结构：/n

【技术特征摘要】
1.一种含多杂环结构的化合物，其特征在于，具有如通式(Ⅰ)所示的结构：



其中：
R1～R12任意选自H、卤原子、直链或含支链的烷基、环烷基、氨基、烷胺基、取代或未取代的C6～C40的单环芳烃基或多环芳烃基，且R1～R12中至少一个为取代或未取代的C6～C40的单环芳烃基或多环芳烃基。


2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述R1～R12任意选自H、取代或未取代的C6～C40的单环芳烃基或多环芳烃基，且R1～R12不同时为H；所述多环芳烃基为多苯代脂烃基、联苯型多环芳烃基、螺二芴类基团、稠环芳烃基中的任意一种；所述取代的C6～C40的单环芳烃基或多环芳烃基的取代基任意选自：卤素、直链或含支链的烷基、环烷基、多环芳基、多环芳基并基、单环芳基、单环芳基并基、杂环芳基、杂环芳基并基，所述取代基的个数选自1～7的整数。


3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于，所述R1～R12各自独立地选自H、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的苯并(a)蒽基、取代或未取代的苯并(b)荧蒽基、取代或未取代的苯并(k)荧蒽基、取代或未取代的苯并(a)芘基、取代或未取代的茚并荧蒽基、取代或未取代的苝基，但R1～R12不同时为H；取代的取代基可以是1-3个，所述取代基任意选自卤素、C1-5的直链或含支链的烷基、C3-8的环烷基、单环芳基、单环芳基并基、多环芳基、多环芳基并基；所述取代基上的氢可以进一步分别被1～2个以下任意取代基取代：C1-5的直链或含支链的烷基、C3-8的环烷基、苯基；
优选地，所述R1～R12各自独立地选自H、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的茚并荧蒽基、取代或未取代的苝基，但R1～R12不同时为H；取代的取代基可以是1-3个，所述取代基任意选自卤素、C1-5的直链或含支链的烷基、C3-8的环烷基、苯基、联苯基、萘基、萘并基、菲基、菲并基、苯并基、三亚苯基、荧蒽基；所述取代基上的氢可以进一步分别被1～2个以下任意取代基取代：C1-5的直链或含支链的烷基、C3-8的环烷基、苯基；
更优选地，所述R1～R12各自独立地选自H、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的茚并荧蒽基、取代或未取代的苝基，但R1～R12不同时为H；取代的取代基可以是1-2个，所述取代基任意选自C1-5的直链或含支链的烷基、C3-6的环烷基、苯基、联苯基、萘基...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁现丽，李仲庆，范洪涛，段陆萌，杭德余，曹占广，班全志，陈婷，
申请(专利权)人：北京燕化集联光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11