一种半导体器件模型的建模方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体器件模型的建模方法及装置，方法包括：根据集成电路器件的历史仿真结果确定至少一个温度区间；针对不同的温度区间，提取出对应的器件模型参数，根据所述模型参数建立对应的子器件模型；合并所述子器件模型，获得当前半导体器件模型；当需要再次对所述集成电路器件进行仿真时，接收温度区间的当前标识值，根据所述当前标识值在所述当前半导体器件模型中确定出对应的子器件模型；利用所述对应的子器件模型对所述集成电路器件进行仿真；如此，因不同的温度区间对应的有不同的子器件模型，这样在对集成电路器件进行仿真时，无论温度是在什么范围内，都有合适的子器件模型对集成电路器件进行仿真，确保仿真精度，满足仿真要求。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件模型的建模方法及装置
本专利技术属于半导体器件建模
，尤其涉及一种半导体器件模型的建模方法及装置。
技术介绍
随着集成电路技术的发展和越来越广泛的应用，集成电路设计时必须考虑其高可靠性、高性能、低成本的要求。。目前一般是利用ICCAD仿真软件中的器件模型对集成电路进行仿真测试的。在ICCAD软件中，MOSFET的器件模型是将集成电路器件设计和集成电路器件产品功能与性能联系起来的关键纽带。伴随着集成器件尺寸越来越小，集成规模越来越大，集成电路工序越来越复杂，对器件模型的精度要求也越来越高。随着集成电路在极端高温及极端低温领域的应用，需要半导体器件模型能够在更宽泛的温度区域内进行仿真，但是现有技术的器件模型一般都只在一定温度范围内适用，超过一定的温度范围则仿真精度就可能不满足仿真要求。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，本专利技术实施例提供了一种半导体器件模型的建模方法及装置，用于解决现有技术中的器件模型只能在一定的温度范围内适用，导致在更宽泛的温度范围内对集成电路器件进行仿真时，仿真精度得不到确保的技术问题。本专利技术提供一种半导体器件模型的建模方法，所述方法包括：根据集成电路器件的历史仿真结果确定至少一个温度区间；所述历史仿真结果为利用历史半导体器件模型对性能测试数据进行仿真的结果，所述性能测试数据为对所述集成电路器件进行仿真时所需的数据；针对不同的温度区间，提取出对应的器件模型参数，根据所述模型参数建立对应的子器件模型；合并所述子器件模型，获得当前半导体器件模型；当需要再次对所述集成电路器件进行仿真时，接收所述至少一个温度区间的当前标识值，根据所述当前标识值在所述当前半导体器件模型中确定出对应的子器件模型；利用所述对应的子器件模型对所述集成电路器件进行仿真。可选的，所述根据所述模型参数建立对应的子器件模型后，还包括：为每个所述温度区间设置对应的标识值；根据每个所述温度区间、每个所述温度区间对应的标识值以及每个所述温度区间对应的子器件模型生成映射表；所述映射表中存储有所述温度区间、所述标识值以及所述子器件模型之间的对应关系。可选的，所述根据所述当前标识值在所述半导体器件模型中确定出对应的子器件模型，包括：遍历所述映射表，在所述映射表中将所述温度区间的当前标识值与各标识值进行一一匹配；获得与所述当前标识值匹配成功的所述标识值；基于匹配成功的所述标识值在所述映射表中查找对应的子器件模型。可选的，所述根据集成电路器件的历史仿真结果确定至少一个温度区间，包括：根据所述历史仿真结果与性能测试数据之间的拟合度确定出所述至少一个温度区间。可选的，所述针对不同的温度区间，提取出对应的器件模型参数，根据所述模型参数建立对应的子器件模型，包括：针对不同的温度区间，基于预设的拟合度将各温度区间对应的历史子仿真结果与所述性能测试数据进行拟合；基于拟合后的所述历史子仿真结果，获得目标阈值电压和目标温度系数；根据所述目标阈值电压和目标温度系数建立对应的子器件模型。本专利技术还提供一种半导体器件模型的建模装置，所述装置包括：第一确定单元，用于根据集成电路器件的历史仿真结果确定至少一个温度区间；所述历史仿真结果为利用历史半导体器件模型对性能测试数据进行仿真的结果，所述性能测试数据为对所述集成电路器件进行仿真时所需的数据；建立单元，用于针对不同的温度区间，提取出对应的器件模型参数，根据所述模型参数建立对应的子器件模型；合并单元，用于合并所述子器件模型，获得当前半导体器件模型；第二确定单元，用于当需要再次对所述集成电路器件进行仿真时，接收温度区间的当前标识值，根据所述当前标识值在所述半导体器件模型中确定出对应的子器件模型；仿真单元，用于利用所述对应的子器件模型对所述集成电路器件进行仿真。可选的，所述建立单元，还用于：为每个所述温度区间设置对应的标识值；根据每个所述温度区间、每个所述温度区间对应的标识值以及每个所述温度区间对应的子器件模型生成映射表；所述映射表中存储有所述温度区间、所述标识值以及所述子器件模型之间的对应关系。可选的，所述建立单元具体用于：遍历所述映射表，在所述映射表中将所述温度区间的当前标识值与各标识值进行一一匹配；获得与所述当前标识值匹配成功的所述标识值；基于匹配成功的所述标识值在所述映射表中查找对应的子器件模型。可选的，所述第一确定单元具体用于：根据所述历史仿真结果与性能测试数据之间的拟合度确定出所述至少一个温度区间；所述性能测试数据为对所述集成电路器件进行仿真时所需的数据。可选的，所述建立单元具体用于：针对不同的温度区间，基于预设的拟合度将各温度区间对应的历史子仿真结果与所述性能测试数据进行拟合；基于拟合后的所述历史子仿真结果，获得目标阈值电压和目标温度系数；根据所述目标阈值电压和目标温度系数建立对应的子器件模型。本专利技术提供一种导体器件模型的建模方法及装置，方法包括：根据集成电路器件的历史仿真结果确定至少一个温度区间；所述历史仿真结果为利用历史半导体器件模型对性能测试数据进行仿真的结果，所述性能测试数据为对所述集成电路器件进行仿真时所需的数据；针对不同的温度区间，提取出对应的器件模型参数，根据所述模型参数建立对应的子器件模型；合并所述子器件模型，获得当前半导体器件模型；当需要再次对所述集成电路器件进行仿真时，接收温度区间的当前标识值，根据所述当前标识值在所述当前半导体器件模型中确定出对应的子器件模型；利用所述对应的子器件模型对所述集成电路器件进行仿真；如此，因不同的温度区间对应的有不同的子器件模型，这样在对集成电路器件进行仿真时，无论温度是在什么范围内，都有合适的子器件模型对集成电路器件进行仿真，确保仿真精度，满足仿真要求。附图说明图1为本专利技术实施例提供的半导体器件模型的建模方法流程示意图；图2为本专利技术实施例提供的利用历史半导体器件模型对MOSFET器件进行仿真的历史仿真结果图；图3为本专利技术实施例提供的利用当前半导体模型对MOSFET器件进行仿真的结果图；图4为本专利技术实施例提供的半导体器件模型的建模装置结构示意图。具体实施方式为了解决现有技术中器件模型只能在一定的温度范围内适用，导致在更宽泛的温度范围内对集成电路进行仿真时，仿真精度得不到确保的技术问题。本专利技术提供了一种半导体器件模型的建模方法及装置。下面通过附图及具体实施例对本专利技术的技术方案做进一步的详细说明。实施例一本实施例提供一种半导体器件模型的建模方法，如图1所示，方法包括：S110，根据集成电路器件的历史仿真结果确定至少一个温度区间；在利用器件模型对集成电路器件进行仿真时，主要是对集成电路器件的性能测试数据进行仿真，并获得仿真结果，仿真结果一般可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件模型的建模方法，其特征在于，所述方法包括：/n根据集成电路器件的历史仿真结果确定至少一个温度区间；所述历史仿真结果为利用历史半导体器件模型对性能测试数据进行仿真的结果，所述性能测试数据为对所述集成电路器件进行仿真时所需的数据；/n针对不同的温度区间，提取出对应的器件模型参数，根据所述模型参数建立对应的子器件模型；/n合并所述子器件模型，获得当前半导体器件模型；/n当需要再次对所述集成电路器件进行仿真时，接收所述至少一个温度区间的当前标识值，根据所述当前标识值在所述当前半导体器件模型中确定出对应的子器件模型；/n利用所述对应的子器件模型对所述集成电路器件进行仿真。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件模型的建模方法，其特征在于，所述方法包括：
根据集成电路器件的历史仿真结果确定至少一个温度区间；所述历史仿真结果为利用历史半导体器件模型对性能测试数据进行仿真的结果，所述性能测试数据为对所述集成电路器件进行仿真时所需的数据；
针对不同的温度区间，提取出对应的器件模型参数，根据所述模型参数建立对应的子器件模型；
合并所述子器件模型，获得当前半导体器件模型；
当需要再次对所述集成电路器件进行仿真时，接收所述至少一个温度区间的当前标识值，根据所述当前标识值在所述当前半导体器件模型中确定出对应的子器件模型；
利用所述对应的子器件模型对所述集成电路器件进行仿真。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述模型参数建立对应的子器件模型后，还包括：
为每个所述温度区间设置对应的标识值；
根据每个所述温度区间、每个所述温度区间对应的标识值以及每个所述温度区间对应的子器件模型生成映射表；所述映射表中存储有所述温度区间、所述标识值以及所述子器件模型之间的对应关系。


3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述当前标识值在所述半导体器件模型中确定出对应的子器件模型，包括：
遍历所述映射表，在所述映射表中将所述温度区间的当前标识值与各标识值进行一一匹配；
获得与所述当前标识值匹配成功的所述标识值；
基于匹配成功的所述标识值在所述映射表中查找对应的子器件模型。


4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据集成电路器件的历史仿真结果确定至少一个温度区间，包括：
根据所述历史仿真结果与性能测试数据之间的拟合度确定出所述至少一个温度区间。


5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述针对不同的温度区间，提取出对应的器件模型参数，根据所述模型参数建立对应的子器件模型，包括：
针对不同的温度区间，基于预设的拟合度将各温度区间对应的历史子仿真结果与所述性能测试数据进行拟合；
基于拟合后的所述历史子仿真结果，获得目标阈值电压和目标温度系数；
根据所述目标阈值电压和目标温度...

【专利技术属性】
技术研发人员：卜建辉，王成成，李垌帅，刘海南，曾传滨，韩郑生，罗家俊，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11