一种温控开关检测电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种温控开关检测电路，属于温控开关技术领域。包括光耦合器、电机供电回路与第三电阻，电机供电回路包括与电机串联的PTC热敏电阻、可控硅与第二开关；PTC热敏电阻与温控开关并联，PTC热敏电阻的一端通过电机与第二开关的一端连接，PTC热敏电阻的另一端与交流电源耦接；可控硅的T1极分别与交流电源和直流电源连接，可控硅的G极连接有可控硅导通电路，可控硅导通电路用于导通或断开可控硅；第三电阻的一端耦接第二开关与可控硅的T2极的连接点，第三电阻的另一端分别与第二二极管的正极与第二三极管的正极耦接。使用此种温控开关检测电路，可便于工作人员检测温控开关的工作情况。

【技术实现步骤摘要】
一种温控开关检测电路
本技术涉及温控开关
，尤其涉及一种温控开关检测电路。
技术介绍
温控开关，是指根据工作环境的温度变化，在第二开关内部发生物理形变，从而产生某些特殊效应，产生导通或者断开动作的一系列自动控制元件，也叫温控开关、温度保护器、温度控制器，简称温控开关。温控开关一般会设置于电机中，用于对电机起到保护作用，当电机内部的温度上升时，温控开关会自动断开，温度下降到一定值时，会自动复位。但是在这个过程中，温控开关的断开与复位均难以检测，导致工作人员难以了解温控开关的具体情况。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种温控开关检测电路，具有便于工作人员知晓温控开关工作情况的优点。本技术的上述目的是通过以下技术方案得以实现的：一种温控开关检测电路，其特征在于：包括光耦合器、电机供电回路与第三电阻，所述电机供电回路包括与电机串联的PTC热敏电阻、可控硅与第二开关；所述PTC热敏电阻与温控开关并联，所述PTC热敏电阻的一端通过电机与第二开关的一端连接，所述PTC热敏电阻的另一端与交流电源耦接，所述第二开关的另一端耦接可控硅的T2极；所述可控硅的T1极分别与交流电源和直流电源连接，所述可控硅的G极连接有可控硅导通电路，所述可控硅导通电路用于导通或断开可控硅；所述第三电阻的一端耦接第二开关与可控硅的T2极的连接点，所述第三电阻的另一端分别与第二二极管的正极与第二三极管的正极耦接，所述第二二极管与第二三极管并联，所述第二二极管的负极与光耦合器的一端连接，所述第二三极管的负极耦接电机与PTC热敏电阻的连接点；所述光耦合器的另一端耦接PTC热敏电阻与交流电源的连接点。通过采用上述技术方案，闭合第二开关，使得电机工作，通过可控硅导通电路导通可控硅，此时可控硅与电机导通。若此时温控开关为闭合状态，则电流分为两条支路流通，分别通过第二二极管与第三二极管流入至光耦合器与温控开关和PTC热敏电阻并联的电路；由于温控开关闭合后使得光耦合器短路，此时光耦合器输出的信号为高电平。若此时温控开关为断开状态，则光耦合器导通，光耦合器输出的信号为低电平。则从上述过程可以人工检测出，电机在工作时，光耦合器输出高电平，则温控开关为闭合状态；光耦合器输出低电平，则温控开关为断开状态。断开第二开关，使得电机停止工作，则不存在导通的环路，此时不论温控开关是否闭合光耦合器均输出高电平，从而无法判断温控开关的工作情况。此时，通过可控硅导通电路来导通可控硅。若此时温控开关为闭合状态，则电流同样分为两条支路流通，使得光耦合器输出高电平；若此时温控开关为断开状态，则光耦合器导通，光耦合器输出的信号为低电平。通过上面电机开启与不开启，两种情况下均能检测温控开关是否断开，从而便于工作人员了解温控开关的工作情况。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述光耦合器包括发光二极管与光敏三极管，所述发光二极管的正极与第二二极管的负极连接，所述发光二极管的负极耦接PTC热敏电阻与交流电源的连接点；所述光敏三极管的集电极通过第二电阻与电源连接，所述光敏三极管的发射极接地。通过采用上述技术方案，在发光二极管未导通时，光敏三极管的集电极输出的信号为高电平，在发光二极管导通时，光敏三极管的集电极输出的信号为低电平。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述可控硅导通电路包括第二三极管，所述第二三极管的基极通过第八电阻连接信号输入端，所述第二三极管的发射极接地，所述第二三极管的集电极与可控硅的G极连接。通过采用上述技术方案，在需要导通可控硅时，向第二三极管的基极输入信号，则第二三极管导通，第二三极管导通时则使得可控硅导通。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述第二三极管的集电极与可控硅的G极之间串联有第五电阻与第六电阻。通过采用上述技术方案，通过第五电阻与第六电阻的设置，可以对进入至可控硅G极的电流起到限流作用，使得可控硅处于合理的电流范围内。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述可控硅的T1极与T2极之间并联有第一电容与第四电阻，所述第一电容的一端与可控硅的T1极连接，所述第一电容的另一端与第四电阻连接，所述第四电阻的另一端耦接可控硅的T2极与第三电阻之间的连接点。通过采用上述技术方案，通过第一电容与第四电阻的设置，由于第一电容两端电压具有不能突变的特性，来限制电路电压上升率过大，确保可控硅安全运行。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述可控硅导通电路还包括第二电容，所述第二电容的一端耦接第五电阻与第六电阻的连接点，所述第二电容的另一端耦接可控硅的T1极与第一电容的连接点。通过采用上述技术方案，通过第二电容的设置，可以防止可控硅被误触发，干扰信号传输至可控硅的G极时，第二电容可以吸收部分干扰信号，以减少干扰信号对可控硅的干扰。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述可控硅导通电路还包括第七电阻，所述第七电阻的一端耦接第二三极管集电极与第八电阻的连接点，所述第七电阻的另一端与第二三极管的发射极连接。通过采用上述技术方案，通过第七电阻的设置，可以在断开第二三极管时，使得第二三极管基极的能量消耗在第七电阻上，从而保证第二三极管的可靠关断。综上所述，本技术包括以下至少一种有益技术效果：一、通过光耦合器的设置，来便于工作人员检测温控开关的工作情况，在可控硅导通电路导通可控硅TR1，且在光耦合器输出的信号为低电平时，则温控开关断开，在光耦合器输出的信号为高电平时，则温控开关闭合；二、通过可控硅导通电路的设置，可以在向第二三极管的基极输入信号后，导通第二三极管，进而使得可控硅导通，从而使得光耦合器中的发光二极管能够导通，进而实现电机在不工作时光耦合器的运行。附图说明图1是本技术的电路图。附图标记：R1、PTC热敏电阻；R2、第二电阻；R3、第三电阻；R4、第四电阻；R5、第五电阻；R6、第六电阻；R7、第七电阻；R8、第八电阻；Q1、光敏三极管；Q2、第二三极管；SQ1、温控开关；SQ2、第二开关；D1、发光二极管；D2、第二二极管；D3、第三三极管；C1、第一电容；C2、第二电容；TR1、可控硅；M、电机。具体实施方式以下结合附图对本技术作进一步详细说明。参照图1，为本技术公开的一种温控开关检测电路，包括光耦合器、电机供电回路与第三电阻R3。电机供电回路包括与电机M串联的PTC热敏电阻R1、可控硅TR1与第二开关SQ2。PTC热敏电阻R1与温控开关SQ1并联，PTC热敏电阻R1的一端通过电机M与第二开关SQ2的一端连接，PTC热敏电阻R1的另一端与交流电源耦接。交流电源为120VAC的交流电源。直流电源为5V，且直流电源为隔离电源，隔离电源是使用变压器将交变电通过变压器将电压降低到较低的电压，然后再整流成直流电输出，以给可控硅TR1供电使用。第二开关SQ2的另一端耦接可控硅TR1的T2极；可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种温控开关检测电路，其特征在于：包括光耦合器、电机供电回路与第三电阻R3，所述电机供电回路包括与电机M串联的PTC热敏电阻R1、可控硅TR1与第二开关SQ2；/n所述PTC热敏电阻R1与温控开关SQ1并联，所述PTC热敏电阻R1的一端通过电机M与第二开关SQ2的一端连接，所述PTC热敏电阻R1的另一端与交流电源耦接，所述第二开关SQ2的另一端耦接可控硅TR1的T2极；/n所述可控硅TR1的T1极分别与交流电源和直流电源连接，所述可控硅TR1的G极连接有可控硅导通电路，所述可控硅导通电路用于导通或断开可控硅TR1；/n所述第三电阻R3的一端耦接第二开关SQ2与可控硅TR1的T2极的连接点，所述第三电阻R3的另一端分别与第二二极管D2的正极与第二三极管Q2的正极耦接，所述第二二极管D2与第二三极管Q2并联，所述第二二极管D2的负极与光耦合器的一端连接，所述第二三极管Q2的负极耦接电机M与PTC热敏电阻R1的连接点；所述光耦合器的另一端耦接PTC热敏电阻R1与交流电源的连接点。/n

【技术特征摘要】
1.一种温控开关检测电路，其特征在于：包括光耦合器、电机供电回路与第三电阻R3，所述电机供电回路包括与电机M串联的PTC热敏电阻R1、可控硅TR1与第二开关SQ2；
所述PTC热敏电阻R1与温控开关SQ1并联，所述PTC热敏电阻R1的一端通过电机M与第二开关SQ2的一端连接，所述PTC热敏电阻R1的另一端与交流电源耦接，所述第二开关SQ2的另一端耦接可控硅TR1的T2极；
所述可控硅TR1的T1极分别与交流电源和直流电源连接，所述可控硅TR1的G极连接有可控硅导通电路，所述可控硅导通电路用于导通或断开可控硅TR1；
所述第三电阻R3的一端耦接第二开关SQ2与可控硅TR1的T2极的连接点，所述第三电阻R3的另一端分别与第二二极管D2的正极与第二三极管Q2的正极耦接，所述第二二极管D2与第二三极管Q2并联，所述第二二极管D2的负极与光耦合器的一端连接，所述第二三极管Q2的负极耦接电机M与PTC热敏电阻R1的连接点；所述光耦合器的另一端耦接PTC热敏电阻R1与交流电源的连接点。


2.根据权利要求1所述的一种温控开关检测电路，其特征在于：所述光耦合器包括发光二极管D1与光敏三极管Q1，所述发光二极管D1的正极与第二二极管D2的负极连接，所述发光二极管D1的负极耦接PTC热敏电阻R1与交流电源的连接点；所述光敏三极管Q1的集电极通过第二电阻R2与电源连接，所述光敏三极管Q1的发射极接地。

【专利技术属性】
技术研发人员：汪军，姚继能，卢陈康，陈江平，
申请(专利权)人：浙江瑞德电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33