一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构制造技术

本发明专利技术公开一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，包括超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管，所述超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管的底部安装有多个输出端，多个所述第一通孔的内壁分别与多个输出端的外壁间隙配合。该超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，避免电路板安装出现错误时，超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管可能会产生爆炸，将整体的电路板造成损坏，造成经济损失，该超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，使得超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管可通过第二通孔进行散热，并通过卡杆与卡槽的卡接，将箱体盖和箱体可进行稳定的连接。

【技术实现步骤摘要】
一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构
本专利技术涉及晶体管
，具体为一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构。
技术介绍
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能，虽然现有的超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管可以实现对电路的控制，但存在当超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管安装在电路板后，电路板安装出现错误时，超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管可能会产生爆炸，将整体的电路板造成损坏，造成经济损失的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，以解决上述
技术介绍
中提出的在当超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管安装在电路板后，电路板安装出现错误时，超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管可能会产生爆炸，将整体的电路板造成损坏，造成经济损失的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，包括超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管，所述超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管的底部安装有多个输出端，所述超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管的外壁设有保护机构；所述保护机构包括箱体和第一通孔；所述箱体的内壁与超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管的外壁相贴合，所述箱体的底部加工有多个第一通孔，多个所述第一通孔的内壁分别与多个输出端的外壁间隙配合。优选的，所述箱体的内壁左右两侧均设有固定机构；所述固定机构包括弹性片和螺栓；两个所述弹性片分别设于箱体的内壁左右两侧，两个所述弹性片分别通过多个螺栓与箱体的内壁左右两侧螺纹相连，两个所述弹性片的内侧与超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管的外壁相抵紧。优选的，两个所述弹性片关于超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管轴对称分布。优选的，所述箱体的顶部设有散热机构；所述散热机构包括箱体盖、卡槽和第二通孔；所述箱体盖的内壁与箱体的外壁顶部间隙配合，所述箱体盖的顶部左右两侧均固接有卡槽，所述箱体盖的顶部加工有多个第二通孔。优选的，所述箱体盖的内壁与箱体的外壁间隙为0.5-1mm。优选的，所述第二通孔两两之间等距分布。优选的，所述箱体的外壁左右两侧均设有连接机构；所述连接机构包括块体、杆体、卡杆和弹簧；两个所述块体分别固接于箱体的外壁左右两侧，两个所述块体的外侧均固接有杆体，所述杆体的内壁间隙配合有卡杆，所述杆体的内壁间隙配合有弹簧，所述弹簧的内壁与卡杆的外壁间隙配合，所述弹簧的顶部与杆体的内壁顶部固接在一起，所述弹簧的底部与卡杆的外壁固接在一起，所述卡杆的顶部与卡槽的内壁固接在一起。优选的，所述卡杆的外侧固接有挡块。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术结构科学合理，使用安全方便。该超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，通过箱体、第一通孔和箱体盖之间的配合，使得箱体盖和箱体可对超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管进行隔离，实现隔离。该超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，避免电路板安装出现错误时，超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管可能会产生爆炸，将整体的电路板造成损坏，造成经济损失。该超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，通过箱体盖、第二通孔、卡杆、卡槽和弹簧之间的配合，使得超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管可通过第二通孔进行散热，实现快速散热功能。该超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，通过卡杆与卡槽的卡接，将箱体盖和箱体可进行稳定的连接。附图说明图1为本专利技术连接关系示意图；图2为图1中箱体、箱体盖、第一通孔的结构示意图；图3为图1中箱体、第一通孔和输出端的结构示意图；图4为图1中箱体、弹性片和螺栓的结构示意图；图5为图1中箱体盖、卡槽和第二通孔的结构示意图；图6为图1中块体、杆体和弹簧的结构示意图。图中：1、超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管，2、输出端，3、保护机构，301、箱体，302、第一通孔，4、固定机构，401、弹性片，402、螺栓，5、散热机构，501、箱体盖，502、卡槽，503、第二通孔，6、连接机构，601、块体，602、杆体，603、卡杆，604、弹簧。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1-6，本专利技术提供一种技术方案：实施例1一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，包括超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1，超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1的底部安装有多个输出端2，超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1的外壁设有保护机构3，保护机构3包括箱体301和第一通孔302，箱体301的内壁与超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1的外壁相贴合，使得超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1可放置在箱体301的内壁，箱体301的底部加工有多个第一通孔302，多个第一通孔302的内壁分别与多个输出端2的外壁间隙配合，使得输出端2可穿过第一通孔302的内壁，并与外界电路板进行连接。实施例2作为一种可选情况，参见图1-4，超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，箱体301的内壁左右两侧均设有固定机构4，固定机构4包括弹性片401和螺栓402两个弹性片401分别设于箱体301的内壁左右两侧，两个弹性片401分别通过多个螺栓402与箱体301的内壁左右两侧螺纹相连，两个弹性片401的内侧与超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1的外壁相抵紧，使得超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1可通过弹性片401固定在箱体301的内壁，两个弹性片401关于超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1轴对称分布，使得两个弹性片401可将超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1稳定的固定在箱体301的内壁。该实施例中的方案可以与其他实施例中的方案进行选择性的组合使用。实施例3作为一种可选情况，参见图1、5和6，超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，箱体301的顶部设有散热机构5，散热机构5包括箱体盖501、卡槽502和第二通孔503，箱体盖501的内壁与箱体301的外壁顶部间隙配合，箱体盖501的顶部左右两侧均固接有卡槽502，箱体盖301的顶部加工有多个第二通孔503，第二通孔503用于将超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1产生的热量进行排出散热，箱体盖501的内壁与箱体301的外壁间隙为0.5-1mm，使得箱体盖501可稳定的调和在箱体301的外壁，第二通孔503两两之间等距分布，使得多本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，包括超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管（1），所述超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管（1）的底部安装有多个输出端（2），其特征在于：所述超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管（1）的外壁设有保护机构（3）；/n所述保护机构（3）包括箱体（301）和第一通孔（302）；/n所述箱体（301）的内壁与超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管（1）的外壁相贴合，所述箱体（301）的底部加工有多个第一通孔（302），多个所述第一通孔（302）的内壁分别与多个输出端（2）的外壁间隙配合。/n

【技术特征摘要】
1.一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，包括超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管（1），所述超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管（1）的底部安装有多个输出端（2），其特征在于：所述超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管（1）的外壁设有保护机构（3）；
所述保护机构（3）包括箱体（301）和第一通孔（302）；
所述箱体（301）的内壁与超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管（1）的外壁相贴合，所述箱体（301）的底部加工有多个第一通孔（302），多个所述第一通孔（302）的内壁分别与多个输出端（2）的外壁间隙配合。


2.根据权利要求1所述的一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，其特征在于：所述箱体（301）的内壁左右两侧均设有固定机构（4）；
所述固定机构（4）包括弹性片（401）和螺栓（402）；
两个所述弹性片（401）分别设于箱体（301）的内壁左右两侧，两个所述弹性片（401）分别通过多个螺栓（402）与箱体（301）的内壁左右两侧螺纹相连，两个所述弹性片（401）的内侧与超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管（1）的外壁相抵紧。


3.根据权利要求2所述的一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，其特征在于：两个所述弹性片（401）关于超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管（1）轴对称分布。


4.根据权利要求1所述的一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，其特征在于：所述箱体（301）的顶部设有散热机构（5）；
所述散热机构（5）包括箱体盖（501）、...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：李玉凤，
类型：发明
国别省市：安徽;34